I_t和Q_t法测量MOS结构少子寿命和表面产生速度

本文介绍的测量MOS结构少数载流子寿命(τg)和表面产生速度(S)的I—t和Q—t法,其基本理论建立在C·R·Viswanathan的Q—t法的基础上.用国产仪器装备而成I—t和Q—t测量装置.本法在实验数据处理上较Q—t法简便而计算结果也更为准确.本法的测量结果与C—t法的测量结果有较好的吻合.     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

C—t法直接测定体产生寿命及表面产生速度

本文从耗尽层近似出发,推导出与pierret—C-t方程在形式上相同的方程,它不仅能求出少于产生寿命,而且比pierret的方程还能多求出表面产生速度,数学处理简单,计算结果准确,可作为器件的质量分析和工艺监控的手段。     

测量硅片电学参数及MOS特性的恒流瞬态技术(Ⅱ)

本文提出了利用恒流瞬态技术测量硅片电学参数及MOS特性的新方法。改变位移电流的大小,使MOS结构处于不同瞬态,从而完成硅片电学参数(电导型号,掺杂浓度,少子寿命及雪崩击穿)和MOS特性(SiO_2厚度,平带电压及a系数)的快速测量。由于所测之杂质浓度与SiO_2厚度无关,可望浓度测量的精度会高些。电导型号的确定是杂质浓度测量的自然结果,而无需特别检查硅片的电导型号。对硅片雪崩击穿现象进行了直观和连续的观察,并且,发现了一种与传统观察结果不一样的MOS结构非稳态电容击穿特性。其他参数均可用瞬态技术简捷地进行测量。     

Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析

本文完成了Zerbst C-t法确定少子体产生寿命的误差分析。结果表明,主要的影响来之于电容的测量误差,而时间的测量误差(≤10％)可以忽略不计。对于其它影响寿命测量的原因,亦进行了讨论。     

EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度

应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描,得出电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线,给出一简单模型,对GaP样品n区的EBIC线型进行计算,拟合实验曲线,得出少子扩散长度和表面复合速度。     

用新的装置测定半导体的产生寿命及杂质浓度分布

研制了一个结构不复杂,但噪声较低、精度较高的电子测试装置。利用它我们就可直接得到Zerbst图,因而测得半导体的体内产生寿命和表面产生速度。除此而外,我们还可用它来绘出半导体掺杂浓度的纵向分布.     

大功率半导体整流元件正向压降和测定大注入少子寿命的新方法

本文用实验上证明了的非平衡载流子浓度的对称边界条件代替原始的霍尔条件,建立了大功率P~+NN~+整流元件的正向特性公式。计算结果与Herle■和Raithel的著名伏安特性试验很好符合。在此基础上提出了一个确定大注入少子寿命的新方法,所得的结果与反向恢复时间法一致。     

利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ)

本文提出了利用恒流非稳态MOS特性测量硅外延层杂质分布的一种快速,简捷的新方法。此法由于没有反向传导电流的影响,所以,比利用肖特基势垒方法要精确些;由于克服了二倍费米势的限制,所以,比通常的MOS方法所测的范围要宽些;由于是一种直接测量,所以比一般MOS脉冲方法更快些。因此,用此法测量的外延层分布是实际载流子分布的一种较好的近似。这种方法适合于外延片生产自动化过程中的快速测量。     

电子辐照硅的缺陷退火特性及少子寿命控制

本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3.     

用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO_2系统中可动离子的能量分布

本文是工作[1]的继续。利用MOS恒流瞬态谱线研究了Al-SiO_2-Si系统中可动离子的输运过程。考虑了Poole-Frenkel效应以后,分别用单能级介面陷阱模型和连续分布能级介面陷阱模型分析了可动离子的能量分布,得到了相应的解析式。 实验结果表明,所得的可动离子的能量分布与“TSIC”法以及“FATSIC”法的实验结果一致。     

轴对称体空泡流的噪声特性与空泡界面瞬态特征

在空泡流发展的各个阶段 ,空泡呈现各种不同的流动特性和界面特征 ,且空泡流噪声与其界面的流动特征具有强烈的相关性 .本试验通过对半球头和 45°锥头轴对称体空泡流噪声测量和观察 ,运用总声级分析了空泡流发展各阶段的噪声特性 ,并与高速摄影记录的相应空泡界面特征进行比较后发现 ,空泡界面瞬态特征的演化将导致空泡流噪声总声级随空泡数演化趋势的变化 ,并参考二维空泡流归纳了轴对称体空泡流的瞬态特征     

卟啉及金属卟啉的瞬态表面光伏特性

通过对比研究卟啉单体、 二聚体及金属卟啉单体的瞬 态光电压性质, 发现其光生电子-空穴对完全分离的时间： 单体小于二聚体, 卟啉配体小于金属卟啉. 卟啉配体电荷载流子缓慢衰减, 而金属卟啉在短时间内, 电子在接近半导体表面空间电荷区域里实现了载流子的快速分离. Cu卟啉的光生电荷载流子瞬态光电压信号与卟啉配体有相似之处, 且与其他金属卟啉也有相似之处. 在金属离子Co²⁺,Ni²⁺,Cu²⁺,Zn²⁺的影响下, 电子-空穴对开始分离的时间大约在2×10^-7 s, 负信号是由接近半导体表面空间电荷区域内快速载流子分离所致, 金属卟啉中心离子d电子数不同, 光生电荷载流子快速分离时间也略有不同.     

用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

引言目前常用MOS 器件的C—V 特性测量Si—SiO_2界面特性,但是,无论用准静态C—V法或高频C—V 法,都难以测量由陷阱产生少数载流子的特性.为了测量陷阱的少数载流子产生率,曾发展了一些方法,但是,这些实验方法数据处理烦琐,不宜在生产中应用.在1977年以后,由J.G.Simmons 等发展了MOS 器件对三角形电压扫描的非平衡响应     

恒流管充电式电压扫描电路的特性及性能比较

探讨了射极电阻式、负反馈放大器式、集成运放式和复合管式电压扫描电路的特性，并对其性能进行了比较。     

大面积表面放电等离子体的产生及电特性研究

为了获得大面积表面放电等离子体,设计了大气压多电极表面放电等离子体激励器,并对给定电源频率下等离子体激励器的放电特性(包括气体放电的利萨如图形、稳定放电时的功率及功率面密度等参数)进行了实验研究.实验测量结果表明,采用多电极结构表面放电等离子体激励器可以在较低的电源输入功率面密度下获得大面积的气体放电等离子体.     

中心对称半导体表面的面极化率张量及体极化率张量分析

对m3m和432晶系中心对称晶体表面处面极化张量及体极化张量行了系统地分析,并且讨论了将临近表面的跃迁层对反射的二次谐波的贡献分离出来的可能性,表面对非线性光信号的这种贡献来源于表面处对称性的破缺.首次对纵模激光场在非线性介质表面导致的极化率张量的分量情况进行了分析.