热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

ZnO压敏陶瓷的导纳谱研究

该文用导纳谱方法探讨ＺｎＯ２压敏陶瓷中电子陷阱的种类和起因，研究某些微量添加剂对它们的影响。结果本征缺陷二次电离填隙锌Ｚｎ＾２＋能探测到不但与其相对浓度大小有关还与测量温度有关；某些添加剂例如Ｂａ对Ｚｎ＾２＋缺陷的形成有抑制作用，除常见的对应于本征缺陷一次是离氧空位Ｖｏ＾＋及Ｚｎ＾２＋的是导峰１及２以外，在低温（－１７０℃左右）也出现电导峰３，其对应的陷阱能级Ｅ＝０．１６３ｅＶ，陷阱俘获截面σｎ＝     

De Siter时空背景中Vaidya-Bonner黑洞的热效应

讨论了ＤｅＳｉｔｅｒ时空背景中的Ｖａｉｄｙａ－Ｂｏｎｎｅｒ黑洞，给出了Ｋｌｅｉｎ－Ｇｏｒ－ｄｏｎ方程在黑洞视界附近的渐近解，得到了Ｈａｗｋｉｎｇ辐射温度和热谱公式     

De Sitter时空背景中Vaidya—Bonner黑洞的热效应

讨论了Ｄｅ Ｓｉｔｔｅｒ时空背景中的Ｖａｉｄｙａ－Ｂｏｎｎｅｒ黑洞，给出了Ｋｌ；ｅｉｎ－Ｇｏｒｄｏｎ方程在黑洞视界附近的渐近解，得到了Ｈａｗｋｉｎｇ辐射温度和热谱公式。     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

铜（Ⅱ）,锌（Ⅱ）,镍（Ⅱ）,铁（Ⅲ）,铝（Ⅲ）萃取分离研究——聚乙二醇—…

本文用偶氮胂Ⅲ作萃取剂，探讨了在聚乙二醇－硫酸铵－偶氮胂Ⅲ体系中Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｎｉ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ），Ａｌ（Ⅲ）的非有机溶剂萃取分离 行为。在一定条件下，Ｆｅ（Ⅲ），Ａｌ（Ⅲ）几乎可被ＰＥＧ相完全萃取、而Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｎｉ（Ⅱ）不被萃取，从而获得了Ｆｅ（Ⅱ）－Ｃｕ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ）－Ｎｉ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ）－Ｚｎ（Ⅱ），Ａｌ（Ⅲ）－ｚＮ（Ⅱ）及Ｆｅ（Ⅲ）－Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ）＿     

Eu1—xSrxFeO3—y的^57FeMossbauer谱

报导Ｅｕ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３－ｙ（ｘ＝０．０－１．０）的固相反应法合成，测量子其Ｘ射线衍射及室温下的＾５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。     

ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

αFe2O3超微粒的^57Fe穆斯堡尔谱

利用沉淀法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒，用Ｘ射线衍射仪和扫描电镜对样品的结构和粒度进行了分析，并在室温下测量了不同粒度样品的穆斯堡尔谱，结果表明，α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒存在明显的超顺磁现象，在室温至８０Ｋ的温度范围内测量了一个样品（１７ｎｍ）的穆斯堡尔谱，未见莫林（Ｍｏｒｉｎ）转变，随着粒度和测量温度的改变，样品的穆斯堡尔谱的超顺磁成分，同质异能够位，四极分裂，内磁场发生了变化，对上述穆斯堡尔参数的变     

掺Er的In1—xGaxP的光致发光性能

金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一上强光致发光峰，与合金成分无关，２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ＾３＋离子的光致发光特征峰，发光强度明显降低。     

呋喃甲酰基吡唑啉酮Schiff碱及其金属配合物的研究

首次合成了双１－苯基－３－甲基－４－（ａ－呋喃甲酰基）吡唑啉酮－５缩乙二胺Ｓｃｈｉｆｆ碱（Ｈ２ＰＭａＦＰｅｎ），并用此试剂与过渡金属离子反应，合成了四种Ｓｃｈｉｆｆ碱配合物Ｍ（ＰＭａＦＰｅｎ），其中Ｍ２＋为Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｃｏ２＋、Ｃｄ２＋。通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热－热重分析、磁化率和摩尔电导测定等分析测试方法，研究了该试剂及配合物的组成结构和性质。     

电子束蒸发法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质

采用电子束蒸发法在蓝宝石衬底上制备了ZnO∶Eu3+薄膜.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光(PL)光谱仪测试了不同退火温度下薄膜结构、形貌以及光致发光谱,分析了薄膜光致发光中的能量传递原理.结果表明:ZnO∶Eu粒子为六角纤锌矿结构,且600℃退火后结晶更好;光致发光谱中Eu3+的特征发光中心波长分别位于617 nm和667 nm,且600℃退火温度下的Eu3+特征发光最强.适当的退火温度可有效形成Eu离子的发光中心.     

Fe3O4中铁离子电子态的XDAFS研究

用选择Ｂｒａｇｇ峰的Ｘ射线衍射异常精细结构方法测定了Ｆｅ３Ｏ４的ＸＤＡＦＳ谱。结果显示，４００衍射的谷位在２２０衍射谷位的高能量一侧，其位移量约１．４ｅＶ，这表明Ｆｅ３Ｏ４中处于不同晶体学等效位置的两种铁离子的内层电子结构不同。     

中子—质子费米子动力对称模型下核素Xe,Ba和Ce的低激发谱

探讨了在实际原子核体系中存在的区分子中子－质子的ＳＯ（６）动力学对称性，并利用这种动力学对称性对边渡区的偶－偶核Ｘｅ，Ｂａ和Ｃｅ等同位素的低激发谱进行了研究。所得理论结果与实验数据相符合。     

CuO基多金属氧化物复合陶瓷的制备及电性质

用硝酸盐热分解方法制备以ＣｕＯ为主体含１３种金属氧化物的系列复合陶瓷，室温下的电阻率与组成及烧结时间有明显的相关性，当组成（Ｃｕ：Ｃａ：Ｓｒ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｐｂ：Ｃｅ：Ｌａ：Ｓｂ：Ｆｅ：Ｚｎ：Ｔｉ：Ｃｒ）为３：２：２：２：１：１：０．２０：０．６０：０．２５：０．５０：０．５０：０．２５：０．７５（ｍｏｌ：ｍｏｌ）时，陶瓷具有良好的绝缘性能。     

弱智儿童头发八种微（宏）量元素的检测与研究

对７７例弱智儿童发中Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ等八种元素用ＩＣＰ进行了测试分析。结果表明：发Ｚｎ、Ｐｂ含量与智力呈显著相关，而发中其他六种元素的含量与智力无相关。     

离子取代对Ba（Zn1—xCox）2Fe16O27铁氧体μi—T曲线的影响

采用氧化物工艺制备Ｂａ（Ｚｎ１－ｘＣｏｘ）２Ｆｅ１６Ｏ２７六角铁氧体，通过不同含量Ｃｏ＾２＋、Ｃｕ＾２＋对Ｚｎ＾２＋的取代，发现平面型Ｂａ（Ｚｎ１－ｘＣｏｘ）２Ｆｅ１６Ｏ２７的μ１－Ｔ曲线出现双峰（Ⅰ、Ⅱ），随着Ｃｏ＾２＋、Ｃｕ＾２＋含量的增加，第Ⅱ峰分别移向高温和低温。