半导体色敏传感器(SCSS)原理及其检测电路

系统的介绍了半导体色敏传感器(SCSS)的测色原理,建立了光照下P-N结短路电流与波长的关系。给出了SCSS单色及三颜色检测电路,为工程设计奠定了基础。     

采用含氯氧化慢降温工艺减少P-N结漏电流

本文就P-Mos集成电路使用无位错直拉单晶时P-N结漏电流的机理进行了分析。通过实验指出,影响P-N结漏电流的主要原因与氧化层错和位错等缺陷有关。对〈100〉、〈111〉两种单晶大量重复对比实验,证明采用含氯氧化与慢降温相结合的吸杂工艺对减少P-N结漏电流的效果较好。使P-N结特性参数V_(BR)、I_R合格率由过去不合氯氧化工艺的百分之几提高到95%以上,漏电流I_R降低了1～2个数量级。     

含P—N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应

理论上讨论了含P-N结的石墨烯中的阿哈罗夫-玻姆效应.在石墨烯中的P-N结具有令电子发生负折射的性质,根据此一特性,考虑当四个P-N结组成一个封闭的路径并包围一个数值为ψ的磁通时电子运动的情形.分析表明,磁通将对电子的运动产生影响,使其局域流密度发生变化.     

垂直腔面发射激光器(VCSEL) 简介及行业发展趋势

VCSEL简介及应用 垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL) 是一种激光发射方向垂直于P-N结平面而谐振腔面平行于P-N结平面的半导体激光器.1977年,日本东京工业大学的伊贺健一教授提出VCSEL的概念,随后相关的研究如火如荼地展开.     

新型PN结终端技术的研究

在场板工作机理的基础上阐述了一种新型的场板和保护环相结合的P-N结终端技术的工作原理,最后讨论了此终端结构的可行性。     

投弃式温深测量仪高精度测温电路设计

为提高投弃式温度深度测量仪(XBT)的测温精度,本文利用电桥测温的方法设计了高精度测温电路,提出了新的校准方法,并应用软硬件结合设计了可靠的入水检测模块。海试结果表明,该XBT测量的温度剖面与标准CTD剖面曲线相似度在0.9以上,测温平均误差小于0.2℃,在允许误差范围内,测温精度达到预期目标。     

AD590在温度控制系统中的应用

本文介绍了集成温度传感器AD590的测温原理,给出了AD590测温电路以及到标准信号的转换电路。经过多次实验证实,此电路性能十分稳定。     

波尔兹曼常数测量及实验数据处理

本应用P-N结电压电流特性,较精确测量了玻尔兹曼常数．应用计算机进行了实验数据分析处理。实验中采用弱电流测量的方法,在其它有关弱电流测量的实验中可以借鉴。     

混凝土大坝多点温度分布式计算机监测

介绍大坝多点温度分布式测温系统的结构及工作原理，在基于ＰＣ计算机与单片机组成的分布式测温系统中，采用数字温度传感器，省去了传统测温电路中的放大电路和Ａ／Ｄ转换电路，给传统的电阻式测温技术带来一场极大的变革．     

掺铒光纤光源泵浦源温度控制系统设计

一种新的光纤光源泵浦源温度控制设计方案被提出来。在该方案中分别设计了测温电路、热电制冷器驱动电路和温度控制逻辑。测温电路采用改进的“桥式”测温电路,降低了电路成本,提高了测温精度。热电制冷器采用专用芯片MAX1968驱动,可以保护元器件。用FPGA实现控制算法,采用数字步进式的控制方法,以提高控制精度,方便系统调试,在此系统的控制作用下,泵浦源温度为0。1℃内,并给出了实验曲线。     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

掺杂锆钇氮硫硼p-n结型光催化剂的制备及其催化降解甲基橙的研究

本文以钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备掺杂N-Zr-Y-S的n型、B-Zr-Y的p型以及p-n型干凝胶,将各种干凝胶在不同温度下焙烧制得纳米光催化剂,以甲基橙为目标降解物,考察它们的光催化活性.实验结果表明a:、相同温度、相同时间焙烧的p型TiO2光催化剂的光催化活性大于n型;b、以未焙烧的p型干凝胶制备出来的p-n型催化剂的催化效率比p型干凝胶在不同温度下焙烧后制备的p-n结型光催化剂高c;、在可见光条件下,未焙烧的p型制备出来干凝胶在250℃下焙烧所得p-n型催化剂的催化效率是最高的.     

二极管p－n结杂质浓度分布模型改进

 简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p－n结杂质浓度分布规律，但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C－V实验数据，利用泊松方程并结合提出的改进模型，可以更准确地描述p－n结杂质浓度分布。虽然部分样品C－V关系可由指数1/2或1/3独立表示，但数据拟合分析显示采用指数n=1/2和n=1/3两模型分量共同描述更合理。模型改进可获得更准确的p－n结杂质浓度分布规律及物理参数。     

Colossal magnetoresistive p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3／SrNb0.01Ti0.99O3

We have successfully fabricated the colossal magnetoresistive (CMR) p-n junctions of perovskite oxide La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3 (LSMO/SNTO) with laser molecular beam epitaxy. The I-V characteristics of the LSMO/SNTO p-n junctions as a function of applied magnetic field (0—5 T) were studied between 100 and 300 K. We found that the p-n junction exhibited the CMR behavior. The CMR ratio △R/R0 (△R = RH - R0) is positive in magnetic fields below 0.13 T and at high temperature, while it displays a negative CMR near 100 K and in magnetic fields over 0.13 T. The CMR ratio values are 8% at 0.1 T and 13% at 5 T and 300 K, 40% at 0.1 T and 150 K, 10% at 0.13 T and -60% at 5 T and 100 K. The CMR behavior of the p-n junction is different from those of the LaMnO3 compound family.     

p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的制备、表征及其光催化性能的研究

n结型Co3O4／In2O3光催化剂是用共沉淀法制备的．并用X射线衍射对其进行表征。用光催化还原Cr^6＋和光催化氧化甲基橙的效率来评价该催化剂的活性。实验分别研究了Co3O4的掺杂比、焙烧温度和焙烧时间对光催化活性的影响。实验结果表明．Co3O4的最佳掺杂比（质量分数）为5％。催化剂的最佳焙烧温度和最佳焙烧时间分别为300℃和2h。在可见光和紫外光的照射下。p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的光催化氧化活性和光催化还原活性均比纯In2O3的高。实验同时还探讨了影响p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3催化活性的机理。     

Preparation,Characterization and Solar Photocatalytic Activity of P-YFeO_3-N-TiO_2 Nanojunctions

1 Results YFeO3-TiO2 composite photocatalysts with p-n heterojunction have been prepared by physical amalgamation.The physical and photophysical properties of the composites were characterized by XRD,TEM,UV-vis/DRS,XPS.Effects of calcination temperature and constitute content on structure and surface characterization were also investigated.Results show that the presence of p-n junction not only has visible light harvesting but potential force for hole-electron pair separation.A preliminary investigation...     

应变SrTiO_3/GaAs异质结的整流特性研究

采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备了缺氧的钛SrTiO3薄膜.X射线衍射测量证明SrTiO3薄膜外延生长.I-V曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO3薄膜与GaAs形成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.     

漂流扩散模型的数值极限的程序实现

本文针对带p-n结的奇异摄动椭圆抛物混合方程的拟中性数值极限的解法,给出相应的计算机程序计算出结果,并讨论程序的运行所受限制及解决方法。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

晶体二极管在温度测量中的应用

介绍了二极管ｐ－ｎ结正向电压随温度变化的关系及进行非线性补偿的一种方法;给出了硅二极管在温度测量中的一种应用电路。