分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中极化子特性随Al浓度的变化

用分数维方法研究AlxGa1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中Al摩尔分数x对GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能和有效质量的相对变化(mass shift)都随着Al摩尔分数的增大而单调增大;AlxGa1-x As衬底中Al摩尔分数对不同厚度的GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中Al摩尔分数对GaAs薄膜中极化子的影响越显著.     

光束的非交迭效应对极化干涉仪的影响

从高斯光束基本理论出发,分析了双光束的非交迭效应对ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ极化干涉仪性能的影响,提出了改善极化干涉仪性能的途径,并在实验中得到了验证．用自制的有衬底的线栅极化器组装成的ＭａｃｈＺｅｈｎｄｅｒ极化干涉仪,在波长为３３７μｍ（８９０ＧＨｚ）的条件下,测得调制比优于１９ｄＢ,插入损耗小于１ｄＢ．     

非线性材料的拉普拉斯方程的建立

通过外场中非线性材料极化矢量和电磁之间的关系,建立了均匀静电场中均匀介质内非线性介质球满足的非线性拉普拉斯方程,以便求解静电势与外电场和非线性极化率的关系.     

运用对称四极测深研究层状极化介质频谱特征

不考虑电磁感应,用Cole-Cole模型表征极化介质复电阻率,正演计算对称四极装置测深2种典型层状极化介质频谱激电谱曲线和其2个极距的频谱.计算结果表明,时间常数值较大的极化层(如炭层等)所反映的相位曲线,当频率为0.01～1 000 Hz时,随着频率提高,相位负异常递减;时间常数τ值较小(如块状硫化物等)的极化层反映的相位谱与τ值较大的极化层所反映的规律不同;在同样的频率范围内,随着激发频率的提高,相位负异常递增,而后又递减;时间常数τ值较大的极化层的相位频谱特征频率要远远小于τ值较小的极化层的相位频谱特征频率.这些谱特征为区分矿与非矿提供了理论依据.     

极化矢量■与磁化矢量■的关系

本文讨论电磁场与介质的相互作用。认为在一般情况下,介质既产生极化,也产生磁化。因此,极化对介质的磁化有贡献。同样,磁化对介质的极化也有贡献。     

介质存在时静电场分布的几个问题

在电场中放入电介质时,介质将在电场作用下被极化,因而在介质内部及表面便出现宏观电荷分布,称为极化电荷。电介质存在三种不同的极化机制,即电子极化、离子极化和取向极化。电子极化是组成介质中原子的电子云在电场作用下相对于原子核发生位移。而离子极化是组成介质分子的正负离子在电场作用下从其平衡位置发生相对位移。这种情况均在电介质中出现分子电矩,并且在介质内分子电矩的矢量和不为零。取向极化是具有固定的分子电偶极矩的一些电介质,在没有外电场作用时,因分子的热运动,介质内任一物理无限小体积内分子电偶极矩的矢量和仍为零,但在电场作用下分子电矩向电场方向转动,而在介质内分子电偶极矩的矢量和不为零。单原子的电介质只有电子极化,所有的化合物都存在离子极化和电子极化;某些化合物同时存在三种极化现象。     

均匀极化介质的电势的简明公式及其应用

从介质极化后束缚电荷在空间激发电势的基本公式出发,建立了极化介质产生的电势与其极化强度之间的关系,并由此导出了均匀极化介质产生的电势的一个简明公式,且举例加以应用.     

关于介质表面磁化电流和极化电荷分布的一点讨论

文章从不同角度对两个类似的电磁问题进行求解,在有介质存在的情况下求解电场和磁场分布时,介质界面上的磁化电流和极化面电荷的贡献不能忽略。     

在介质经典微观物理模型下对极化强度和磁化强度边值的关系推导和讨论

用和一般电动力学教材不同的方法即在介质经典微观物理模型的基础上推导出了极化强度Pω和磁化强度Mω的边值关系,使得更有利于从微观的角度理解这两个边值关系,并得出了极化电荷分布深度和磁化电流的分布深度都在分子线度的数量级这一结论.     

均匀极化介质的电势的简明公式及其应用

从介质极化后束缚电荷在空间激发电势的基本公式出发,建立了极化介质产生的电势与其极化强度之间的关系,并由此导出均匀化介质产生的电势的一个简明公式,且举例加以应用。