纳米Mn2O3的制备及其分形凝聚

采用化学液相均相沉淀法制备出纳米Ｍｎ２Ｏ３材料，并用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）和高分辨电镜（ＨＲＥＭ）对其微结构特点进行了研究．首次在Ｍｎ２Ｏ３材料中观察到了分形凝聚现象．     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究

以硝酸锌，硝酸锰，正硅酸乙酯，无水乙醇为主要原料，用溶胶－凝胶提拉法制备了Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析．结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀致密的薄膜．在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ薄膜．其荧光寿命从常规粉末材料的的ｍｓ量级缩短至ｎｓ量级     

化学气相法制备纳米级氮化铁超细粉末

采用化学气相法制备了纳米级氮化铁超细粉末，利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和ＶＳＭ测试了粉末的基本物性，初步表征了粉末的物相、形貌、粒度、成分及相应的磁性．实验结果表明，化学气相法可以制备出均匀、链状、超细的氮化铁粉末，并且该粉末的磁性指标优于γ－Ｆｅ２Ｏ３和田中隆夫的同类研究结果．     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成了材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μ该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度。     

纳米氧化镁的合成

以ＭｇＣｌ２·６Ｈ２Ｏ和ＣＯ（ＮＨ２）２为原料，采用均匀沉淀法合成了纳米ＭｇＯ．讨论了反应温度、煅烧温度和时间对产物的影响，通过ＸＲＤ和ＴＥＭ对纳米ＭｇＯ进行了表征．     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

HARMONIC AC SUSCEPTIBILITY FOR TEXTURED YBa_2Cu_3O_7

ＨＡＲＭＯＮＩＣＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＦＯＲＴＥＸＴＵＲＥＤＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ＧｅＹｏｎｇ１）ＤｉｎｇＳｈｉＹｉｎｇ２）（１）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ,ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒ...     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。     

合成的具有天然锰矿晶型的MnO2的循环伏安研究

使用合成的钡镁锰矿（ＴＯＤＯＲＯＫＩＴＥ）、碱硬锰矿（ＨＯＬＬＡＮＤＩＴＥ）型的ＭｎＯ２及电解ＭｎＯ２修饰碳膏电极，报告了它们在＋１．０Ｖ￣－１．０Ｖ电压范围和０．１Ｍ ＫＣｌ溶液中的循环伏安图。Ｔｏｄｏｒｏｋｉｔｅ和ｈｏｌｌａｎｄｉｔｅ的循环伏安图相似，都没有显明的电流峰。而电解ＭｎＯ２的循环伏安图中，有两个阳极峰（＋０．１Ｖ，＋０．５ＶｖｓＳＣＥ）两个阴极峰（０．０Ｖ，－０．１５Ｖ ｖｓ ＳＸ     

SnO2纳米晶的溶胶-凝胶法制备及气敏性质

采用溶胶 -凝胶法制备出 Sn O2 纳米晶材料 .经 X光衍射和透射电镜研究表明 ,该材料具有金红石结构 ,晶粒为球形 ,粒径约 4nm.气敏特性研究表明 ,该材料具有很好的乙醇敏感特性     

纳米TiO2/SnO2涂层制备与光阴极保护性能

采用溶胶凝胶法与浸渍提拉技术在304不锈钢表面上制备了纳米TiO2/SnO2叠层涂层。用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD）,X射线光电子能谱(XPS)对涂层表面形貌、晶体结构与组成进行了表征。通过测量稳定电位方法研究了涂层的光电化学性能和对不锈钢的光阴极保护特性。结果表明,所制备的纳米TiO2/SnO2叠层涂层表面连续、均匀致密;涂层中的TiO2为锐钛矿型,颗粒呈球形,平均直径约为35nm,SnO2为金红石型;涂层表面与内层均由Ti、Sn、O、C四种元素组成。纳米TiO2表面层与纳米SnO2中间层分别浸渍提拉4次制得的叠层涂层,紫外光照的光电化学效应、储存电子性能与光阴极保护作用最好,紫外光照1h的延时阴极保护作用可达7h。通过研究分析,提出了纳米TiO2/SnO2叠层涂层的光阴极保护作用机理。     

Mo掺杂SnO2纳米晶的制备及光致发光性质

用四氯化锡和钼酸铵为原料,经水解、分离、焙烧等工序制备出Mo掺杂SnO2纳米晶的光电材料。通过X射线粉末衍射、透射电镜表征,结果显示:尺寸为2.5 nm左右的SnO2纳米粒子形成。荧光测试结果表明,以220 nm波长进行激发,其发射波长为463、490和537 nm,均在可见光范围内。     

纳米SnO2/TiO2半导体薄膜电极的制备及其光电响应性能

采用化学沉积和电镀的方法在ITO导电玻璃表面制备SnO₂/TiO₂纳米半导体薄膜电极,用SEM,XRD进行了物性表征,并用光电流时间曲线、循环伏安法研究了薄膜电极光电流响应随时间、电压的变化情况。研究结果表明,SnO₂的掺杂有助于TiO₂薄膜表面产生的气孔孔径增大,数量变多。此法可制备具有多孔、粒径小于100nm的纳米SnO₂/TiO₂半导体薄膜电极。与纯纳米TiO₂薄膜电极相比,在光照条件下SnO₂的掺杂使得复合薄膜电极在阳极峰电位下的阳极峰电流的响应程度明显大于纯纳米TiO₂薄膜电极响应程度,有利于提高光生载流子的运输和分离效率,并从机理上阐述了光电流响应的提高归因于不同能级半导体之间的耦合效应。     

多元纳米相固态合金化机理研究

应用ＸＲＤ，ＴＥＭ，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等实验手段研究了ＴｉＦｅＮｉ元素混合粉在机械合金化过程中的固态合金化机理．测试了不同合金化时间的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱．结果表明，由于Ｎｉ元素的加入，ＴｉＦｅＮｉ的合金化过程与ＴｉＦｅ二元系中只有Ｆｅ扩散到Ｔｉ点阵中的合金化机理不同，出现了多种Ｆｅ原子过渡状态，这些过渡状态主要是Ｎｉ及Ｔｉ原子扩散到Ｆｅ点阵中形成的固溶体结构．在合金化过程完成后，最终形成Ｂ２结构的纳米晶相．     

SnO_2纳米晶的湿敏特性研究

采用溶胶-凝胶法制备SnO2纳米晶薄膜,并对其进行表征;初步研究SnO2纳米晶薄膜的阻-湿特性并计算其湿滞,得出:SnO2纳米晶薄膜随着晶粒尺寸的减小,其感湿灵敏度有所增大且湿滞变小.     

SnO2@C锂离子电池负极材料的制备及其性能

通过回流法制备了SnO2纳米小球，再以-环糊精作为碳源通过水热法制备得到SnO2纳米小球/C复合材料. 扫描电子显微镜和粉末Ｘ射线衍射仪测试结果表明，所合成复合材料为直径约为30~40 nm的纳米小球，在SnO2的外表面可以看到一层均匀的碳层的包裹. 通过碳的包裹，材料的结构稳定性和导电性增加. 在100 mA/g的电流密度下，200次循环后，放电比容量稳定在749 mAh/g，而在大电流充放电后（100 ~ 800 mA/g），再次回到100 mA/g的电流密度时，放电比容量仍能保持在620 mAh/g.     

SnO2/Fe2O3复合膜界面电导率特性分析

等离子体化学气相淀积法（PCVD法）制备的复合膜SnO2/Fe2O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果。其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明：当锡在Fe2O3中的浓度低时，由于准自由电子补偿机制起作用，电导率升高；当锡与铁在过渡层中浓度接近时，杂质散射和晶界电阻增大，电导率急剧减小。     

络合水热法合成介孔SnO2简

二氧化锡（SnO2）作为一种n型宽禁带半导体氧化物材料,广泛用于有机物催化、固态电子器件和锂离子电池电极材料领域。介孔SnO2具有较大的比表面积和纳米级有序孔道,与周围介质之间存在更强的相互作用力,可提高其在气敏传感器、催化反应中的应用效率。本文以SnCl4·5H2O为锡源,P123为模板剂,采用络合水热法合成了具有金红石结构的介孔二氧化锡,并考察了pH值、表面活性剂和添加剂等因素对介孔结构形成的影响;采用X射线衍射、透射电镜、荧光光谱等手段综合分析了产物的结构、形貌、成分及光学性质。结果表明所制备的介孔SnO2具有蠕虫状孔结构,表面积大,孔径集中分布在2～8 nm。合成的样品具有良好的光学性能,在光学材料领域具有应用前景。