用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料

阐述了用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料的工艺过程，对所制作的材料进行了屏蔽性能的测试和理论分析，给出了屏蔽效果与材料结构，膜厚等关系的定量说明。     

ABS塑料Cu／Ni双镀层的电磁屏蔽性能

对在ＡＢＳ塑料上电镀Ｃｕ／Ｎｉ双镀层的方法及镀层的结构与性能进行了研究。重点研讨了塑料的镀前预处理及电镀铜工艺，同时对镀层的电磁屏蔽性能做了较为细致的研究。结果表明，用ＡＢＳ电镀Ｃｕ／Ｎｉ材料做电子仪器的外壳，具有良好的电磁屏蔽性能。     

水热法制备菱面体BiFeO3/CdS复合材料及其可见光性能

通过两步水热法成功制备了不同摩尔比例的新型异质结复合催化剂BiFeO3/CdS利用XRD、SEM和UV vis等手段对复合材料的物相、形貌和光学性能进行了表征；并通过降解罗丹明B(RhB)对其光催化活性进行评价.结果表明，与单独半导体材料相比，复合催化剂在可见光下光催化降解效率更高，稳定性能更加优异.此外，本文还探讨了光催化降解机理     

水热法制备菱面体BiFeO_3/CdS复合材料及其可见光性能（英文）

通过两步水热法成功制备了不同摩尔比例的新型异质结复合催化剂BiFeO_3/CdS.利用XRD、SEM和UV-vis等手段对复合材料的物相、形貌和光学性能进行了表征;并通过降解罗丹明B(RhB)对其光催化活性进行评价.结果表明,与单独半导体材料相比,复合催化剂在可见光下光催化降解效率更高,稳定性能更加优异.此外,本文还探讨了光催化降解机理.     

SHS/PHIP工艺制备Ti-C-B4C体系复相陶瓷

选用Ti、C、B、B4C为原料通过SHS工艺制备了不同配比的TiC-TiB2复合陶瓷,同时进行了Ti-C-B和Ti-C-B4C体系材料的对比实验,通过对不同体系材料的组织分析和性能测试,同时考虑到材料的价格性能比,表明用B4C替代B来制备TiC-TiB2复合陶瓷是可行的.     

异相光催化技术及其影响因素和改进方法

介绍半导体异相光催化反应机理、影响异相光催化的因素．综述贵金属沉积、金属离子掺杂、复合半导体、半导体的表面光敏化等改性手段对光催化活性的影响，并对其原理进行解释和说明．     

中波台站内建造大数据机房的可行性研究

本文对中波台站内建造大数据机房进行了研究,针对不同功率、不同数量发射机产生的场强大小进行计算。对金属丝网在不同频率电磁波下的屏蔽效能进行计算和研究。同时,对机房屏蔽材料的选择进行了初步的探讨,并给出了中波台站内建造大数据机房的可行性建议和计算实例。     

浅析多晶硅还原生产常见问题及控制对策

随着光伏产业及半导体行业的发展与繁荣,作为基础材料的多晶硅材料得到了广泛的应用。在全球范围内新能源越来越受重视的背景下,多晶硅行业取得了快速发展的契机,在短短几年里取得了繁荣与发展,同时呈现出过剩现象。在多晶硅生产过程中,还原生产工艺是最为关键的工艺。本文通过对多晶硅生产过程进行介绍,对多晶硅还原生产过程中常见问题进行分析,同时对相应控制对策进行探讨,以期为多晶硅生产提供参考。     

电镀金刚石——镍复合膜沉积率研究

随着电子行业的迅速发展,由于陶瓷、半导体材料、水晶、玻璃等材料的切割和开槽等高精度微加工技术日益增多,因此,要求用于这种加工的切割工具必须具有高硬度,磨削效率高,形状误差小且容易保持,高化学惰性,高热导率,低热膨胀系数等优异性能,而金刚石--镍复合镀层正是具有上述的综合优点,于是成为这种切割工具的最佳材料.本文通过研究金刚石--镍复合镀沉积速率,分析了金刚石--镍复合镀的内在机理,得出了电镀金刚石--镍复合膜的沉积速率分布,有利于电镀出各种厚度的金刚石--镍复合膜,为进一步提高金刚石--镍复膜产品质量作了有力准备.     

Fe_2O_3/MWCNTs复合材料的制备及其NO_x气敏性能

采用沉淀法制备了Fe2O3/MWCNTs复合材料。通过X-射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等测试手段对所合成材料进行了表征。结果表明,合成的Fe2O3/MWCNTs复合材料均由碳纳米管与氧化铁颗粒组成,Fe2O3粒子尺寸较均匀,其颗粒大小约为5 nm。在室温条件下,Fe2O3/MWCNTs复合材料对NOx具有较好的气敏性能,当NOx浓度为9.7×10-7时,复合材料对NOx的灵敏度为6.13%,响应时间为38 s。分析其原因主要是合成材料中Fe2O3的主要相态是呈p型半导体特性的γ-Fe2O3,与吸附空气中氧气呈现出p型半导体特性的MWCNTs复合时产生倍增效应的结果。     

TECA转运车关键部件γ射线防护实验研究

针对TECA转运车关键部件γ射线防护问题,通过理论分析和计算,设计了γ射线防护装置,并对此装置开展了实验研究.通过辐照前后电子产品、屏蔽材料的性能对比,可以发现在1 000Gy/h常温条件下,所设计的γ射线防护装置能有效屏蔽γ射线对电子产品的影响,且所选材料力学性能变化较小.这为下一步核环境机器人的设计提供了重要依据,对相关设备的γ屏蔽材料选择和设计也有重要参考价值.     

致冷晶片表面热喷涂处理工艺在半导体制冷器生产中的应用

半导体致冷组件(器件)是电力电子产业的重要组成部分,行业要求专业性较强。半导体致冷(组件)器件的加工过程主要包括半导体切割、喷涂、组装、焊接4个关键环节。本文重点对加工过程中的喷涂环节,采用致冷晶片表面处理热喷涂工艺所产生的作用进行探讨。     

铝电解槽打壳气缸周围磁场的测试及屏蔽设计

使用SYPRIS7030精密高斯计测试某350k A系列铝电解槽打壳气缸周围磁场的分布情况,对所得数据进行分析讨论,并针对可控行程铝电解槽打壳系统中行程控制开关受到打壳气缸周围磁场干扰的问题,进行磁场屏蔽方案的研究。通过研究发现,采用铁镍合金(48%镍)作为磁场屏蔽材料,对行程控制开关进行封闭屏蔽,在实际应用中效果较好。     

用γ射线检测管道环向对接接头技术的应用

采用γ射线AB级检测技术对管道熔化焊环向对接接头检测,包括检测设备、器材和材料,检测表面要求,检测时机,检测工艺。     

基于半导体制冷技术的驻车空调系统设计

半导体制冷技术主要依托热点材料来制冷,是一种清洁环保的驻车空调系统新选择。本文结合半导体制冷技术的制冷原理及独有特性,对基于半导体制冷技术的驻车空调系统的总体结构、制冷器、电路控制系统进行设计,并对热量循环、半导体制冷片数量和功率进行核算。通过计算可知,在驻车空调系统中需要采用不少于105片的半导体制冷片,空调系统的功率约为7 555W。     

硅藻土负载型复合相变材料的制备与表征

以硅藻精土为载体,以Na2SO4·10H2O和切片石蜡为相变材料,进行了复合相变材料的制备及表征。采用插层复合法制备出了硅藻土负载型的复合相变材料,采用差示扫描量热分析仪、SEM对复合材料的相变温度、相变潜热以及形貌等进行了表征。在Na2SO4·10H2O与切片石蜡的质量比为1:3、负载量为60%、负载时间为2h、水浴温度为70℃的条件下制备出了复合相变材料,其相变温度为31.22℃和51.20℃,相变潜热为79.81J/g,相变材料均匀地吸附硅藻土多孔基体材料中,并与基体材料结合为一体。     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.     

改性橘皮粉对Cu~(2+)和Ni~(2+)的吸附行为研究

橘皮粉用环氧化氯丙烷改性后再与DTPA-γ-Fe_2O_3复合,得到一种对重金属离子Cu~(2+)和Ni~(2+)有较强吸附能力的杂化材料.探讨了pH值、温度、时间等因素对其吸附性能的影响.结果表明:该材料对Cu2+和Ni 2+的最大吸附量分别为107.30mg/g和63.69mg/g,吸附为二级动力学过程,符合Langmuir等温吸附模型.     

半导体多量子阱结构光学非线性应用

1982年以前，人们对半导体光学非线性的研究都局限于体材料，激子光学非线性效应局限于低温．1982年以来，由于半导体生长技术，特别是分子束外延技术的发展，才开始对多星子讲结构材料的光学非线性效应进行研究．研究结果表明，体材料的激子只在外温下才存在，而多星子价结构的做子在室温下仍然存在，半导体中的许多非线性效应是山于激子的饱和吸收引起折射系数的非线性变化而产生的．所以量子价结构使半导体的光学非线性效应山外温扩展到了室温．现在已用多星子价结构研制了一些光学逻辑器件，为光染成提供了基本的和必要的条件．一般地，…     

带有旋转的压电半导体层状结构中的广义Love波

研究了半空间上带有旋转压电半导体覆盖层状结构中的广义Love波．以弹性半空间材料为基底，带有厚度为h的压电半导体覆盖层．基于压电半导体材料的本构方程以及考虑旋转效应的控制方程，结合边界条件以及广义Love波函数的试探解，推导出考虑旋转效应的压电半导体层状结构中广义Love波的波速方程，从而为压电半导体材料在工程中的应用提供理论基础．