LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

TiO2／Cu超晶格结构表征

用磁控溅射方法制备TiO2/Cu超晶格，通过X射线衍射和电镜手段对其进行测试，利用X射线傅氏线形分析法对超晶格的微观进行表征，通过TEM对超晶格的截面形貌进行观察，发现其具有柱状生长结构。     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构，同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明，该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大，晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

Fibonacci准周期超晶格的X-Ray衍射和Raman散射

本文主要简单地介绍了Fibonacci准周期超晶格的结构和性质,并利用X一Ray衍射以及喇曼散射的方法对Fibonacci准周期超晶格进行了观察和分析,实验结果证实了理论上的预言,并使我们对准周期超晶格的性质有了更进一步的理解.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

涡流对反铁磁层间耦合侧向磁性超晶格推迟模的影响

使用等效介质理论研究层间有反铁磁交换相互作用存在的超晶格的推迟模.特别是,考虑传导电流和位移电流对推迟模的影响,给出了层间存在着反铁磁耦合的磁性超晶格的自旋波衰减随波矢k,外磁场H0的变化曲线.     

形变的SiGe合金中的深能级

该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

横场Ising铁磁超晶格的性质

在有效场理论的框架内,本文对横场中的自旋S=1/2的Ising超晶格的磁化和相图做了研究,并通过数值求解给出了几种情况下的磁化曲线和相图。     

Ising—Heisenberg铁磁超晶格的的自旋波

在格林函数理论的框架内，我们研究了由两个不同的模型共同描写的超晶格的性质，即用Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ各向同性模型描述α种原子层，而用带有Ｉｓｉｎｇ型各向异性的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型（当各向异性参数为适当值时，即为Ｉｓｉｎｇ模型）描述种原子层，我们解析的求解了子格磁化的高低温行为，同时还数值计算了０＜Ｔ＜Ｔｃ温区的子格磁化曲线。     

Eu1—xSrxFeO3—y的^57FeMossbauer谱

报导Ｅｕ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３－ｙ（ｘ＝０．０－１．０）的固相反应法合成，测量子其Ｘ射线衍射及室温下的＾５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。     

δ掺杂超晶格中的极化激元

本采用转移矩阵的方法，研究了δ型掺杂超晶格中的极化激元模。结果得到其色散曲线分为两支，两支这间存在一带隙，带隙宽度随ｋｘ增加而增加，计入推迟效应后，我们得出在ｋｘ〈〈ω极限情形下的色散关系。     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

侧向表面超晶格膜的表面静磁模式

我们计算了一个侧向磁性－非磁性超晶格膜的表面静磁模式，其中膜厚度为Ｗ，并且超晶格周期是足够短以致这个超晶格膜可以被看做一个等效各向异性的磁性膜，此文重点研究了表面静磁模式的频率随超晶格膜中磁性介质比例变化的规律，并进一步证明当磁性介质的比例比非磁性介质的比例小时表面静磁不能存在，计算建立在Ｎｉ／Ｍｏ超晶格基础上并设磁性介质中的磁化和外场沿磁条的方向。     

Ising-Heisenberg铁磁超晶格的自旋波

在格林函数理论的框架内，我们研究了由两个不同的模型共同描写的超晶格的性质，即用Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ各向同性模型描述ａ种原子层，而用带有Ｉｓｉｎｇ型各向异性的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型（当各向异性参数为适当值时，即为Ｉｓｉｎｇ模型）描述ｂ种原子层，我们解析的求解了子格磁化的高低温行为，同时还数值计算了０＜Ｔ＜Ｔｃ温区的子格磁化曲线。     

侧向超晶格中自旋波推迟模式的色散方程

本文利用磁性超晶格中自旋波的等效介质理论及麦克斯韧方程组，推导出侧向超晶格中自旋波推迟模式的色散方程。根据此方程可以计算出各种结构的侧向超晶格的自旋波推迟模式随外界条件的变化情况。     

亚铁磁超晶格静磁模式

我们用关联有效场理论研究了亚铁磁／非磁性超晶格的体模式和表面静磁模式,得到了等效磁导率作为频率的函数关系并在偶极近似下数值计算了自旋波的色散关系,给出了表面式和体的色散曲线。