掺杂对锗纳米晶薄膜电输运的影响

利用离子注入然后退火的方法制备镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜,再利用中子嬗变方法,对镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜进行精确均匀掺杂,用激光拉曼散射测量表征锗纳米晶的存在,测量嬗变掺杂前后样品的I-U曲线和lnR-1/T曲线.结果表明:掺杂样品未退火时电阻极大,退火后电阻明显减小,但比未掺杂时大;其它条件相同时,锗的注入量越大,纳米晶层的电阻越小;在掺杂样品的低温I-U曲线中发现台阶.     

Sn—Bi纳米晶粉的形貌及组织结构的研究

对采用电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉进行微区原位电子显微实验和Ｘ射线衍射实验，研究其形貌、尺寸分布及组织结构特征。实验结果表明，电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉是尺寸分布均匀且集中的球形小颗粒，其组织结构是成分由原始合金成分和液态金属浓度走伏决定的、具有单晶结构的单相过饱和固溶体（或单相固溶体）。     

电解液pH值对电沉积纳米晶Cu的影响

通过直流电沉积纳米晶铜实验,研究电解液pH值对电沉积速率和沉积层微观结构的影响。结果表明,电沉积速率随着电解液pH值的升高而下降。pH值为8.0时,沉积铜层具有明显的(111)方向织构,晶粒尺寸大于100 nm。随着pH值的升高,沉积铜层(200)晶面的择优取向程度不断上升,晶粒尺寸逐渐减小。pH值为9.0时,铜晶粒平均尺寸为44.2 nm。实验发现,电解液pH值的最佳范围为8.8~9.0。     

定向电结晶法制备纳米针锥晶布阵材料

通过定向电结晶方法制备了镍基针锥晶布阵材料.用扫描电子显微镜(SEM)研究发现,在电沉积初始阶段形成大量晶核,随着沉积过程的进行,晶核不断纵向生长,从而形成针锥晶.透射电子显微镜(TEM)结果表明,定向电结晶法获得的镍基针锥晶材料的每一个针锥晶体均为单晶体.由于针锥结构的物理镶嵌咬合等作用,针推晶表面与TiO2膜即使在高温烧结后也无开裂、起皮现象,针锥晶布阵材料与陶瓷薄膜表现了良好的结合性能.     

分形结构金属的电输运性质

基于电子－声子和电子－分形子相互作用，通过求解量子输过方程，计算出分形结构金属的电阻率和霍尔电导率。数值计算表明，对于不同的渡越频率，平面电阻率和霍尔角有不同的温度关系。     

喷射电镀纳米晶镍工艺研究

采用喷射电沉积法,在直流和方波脉冲两种电流波形下制备纳米晶镍镀层。研究了沉积参数,如电流密度、电流波形、镀液喷射速度等对镀层微观结构的影响。     

Sn－Bi纳米晶粉的形貌及组织结构的研究

对采用电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉进行微区原位电子显微实验和Ｘ射线衍射实验，研究其形貌、尺寸分布及组织结构特征．实验结果表明，电流体动力学法制取的Ｓｎ－Ｂｉ纳米晶粉是尺寸分布均匀且集中的球形小颗粒，其组织结构是成分由原始合金成分和液态金属浓度起伏决定的、具有单晶结构的单相过饱和固溶体（或单相固溶体）．     

高压下晶界对BaTiO_3纳米晶电输运行为的影响（英文）

利用金刚石对顶砧装置,测量了BaTiO_3纳米晶高压下(最高压力达35GPa)的交流阻抗谱.给出了晶粒和晶界各自对电输运性质的贡献.在高压相,晶界对总的电输运性质起主导作用.三个结构相晶界电阻的差异源于结构相变引起的晶界微结构重组.     

W9M03Cr4V材料的低温热导率测量

通过试验测定了W9M03Cr4V材料在80K-300K的低温热导率，冷却介质采用液氮，试验采用稳态法。并使用中国科学院理化技术研究所的“金属材料低温热导测试装置”。该试验数据精确度高。为高速钢刀具深冷处理的计算机模拟提供了必要的数据，同时填补了该材料低温参数的国内空白。     

曼地亚红豆杉的半致死温度与对低温的适应性

红豆杉树皮是一种最重要的提取紫衫醇的原料,但其生长缓慢,资源匮乏,而曼地亚红豆杉的自然杂交品种叶片中的紫衫醇的含量很高,生长迅速,可通过大力栽培解决原料不足的问题。在引种栽培蔓地亚红豆衫的试验过程中,抗寒性是决定其是否能够引种栽培成功的关键因素之一,而半致死温度能较直观,准确地反映植物的抗寒能力,半致死温度的测定常采用电导法。采用电导法对引种栽培的2个曼地亚红豆衫(T.media)品种Hicksii和Dark Green Spreader(DGS)进行低温半致死温度的测定,并与其生境中的自然温度变化相比较,结果表明,在自然降温的过程中,两个曼地亚红豆衫杂交品种的低温半致死温度随气温的下降而不断的降低,两品种的低温半致死温度分别为-13．3℃和-12．6℃,均对引种栽培地低温有较强的适应性,又Hicksii品种比Dark Green Spreader品种的抗寒能力略强。因此从理论上讲,两种曼地亚红豆衫品种均可在栽培地及与栽培地相同的生境下栽培成功。     

一种测定生物组织在233～293K温区导热系数的方法

微珠状热敏电阻作为球形热源传热模型的基础上，提出适用于较宽温区生物组织导热系数测量的方法，同时为解决小尺度生物组织的测量提供了有效途径。对标准样品在233—313K温度范围导热系数测量的最大误差为5．1％。在233—293K温度范围内对家兔新鲜离体器官心脏、肝脏、肾脏和颈动脉血管的导热系数进行了实验测定，结果表明生物组织在低温下的导热系数与冰的相差很大。     

微型制冷机在固体低温热导率测量中的应用及调温附加温差的消除

本文介绍应用ＬＴＳ－２１型制冷机测量固体低温热导率的装置和方法，在一定的条件下，消除了由于调节温度所产生的附加温差，在２０－２８０Ｋ温度范围内得到了与给出的曲线较好符合的测量结果。     

Ga掺杂70Ge纳米晶的制备与研究

通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂70Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究.结果表明：随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果.此外,从PL上面看到580 nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的.     

射频磁控溅射技术制备Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究

用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试，未经退火的样品呈现非晶状态，600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱，发现了其红移和宽化现象。测量了薄膜的光致发光谱，所有样品都在394nm处发出很强的光，随着Ge纳米晶粒的出现，样品有310nm和625nm处的光发出，其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。     

低温固相反应法合成ZnO纳米晶体

以乙酸锌和草酸为原料,采用低温固相反应法制备了纳米ZnO。用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、傅里叶红外光谱仪（FT-IR）,光致发光（PL）光谱对所制备的纳米ZnO进行了表征。结果表明,制备的纳米ZnO的粒径为15～25 nm,六方晶系纤锌矿结构,形貌为类球形。研究了改变工艺条件中研磨时间和水浴温度对合成样品的结构、形貌的影响。发现随着研磨时间的延长,样品的结晶性增强;水浴温度的变化对纳米粒子的结晶性及尺寸也有一定的影响。由于纳米ZnO对紫外线的高吸收率和可将紫外线转换为可见光,将其作为近紫外LED光转换材料有着潜在的应用价值。     

按比例缩小SiGe HBT能量传输模型

针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.     

低夜温后光照对榕树与海桐叶片光合电子传递和吸收光能分配的影响

用叶绿素荧光技术研究了低夜温后光照对榕树与海桐叶片光合电子传递和吸收光能分配的影响.结果表明:低夜温胁迫及随后的光照导致榕树叶片质子醌(PQ)还原程度增加,光合电子传递速率受阻,引起光化学速率的降低,虽然榕树叶片能通过增强热耗散消耗部分过量光能,但其光化学能力的下降导致了光系统Ⅱ(PSⅡ)反应中心过剩激发能的增加;而低夜温后光照并未导致海桐叶片PQ还原程度增加与光合电子传递速率受阻,叶片吸收光能主要分配于光化学反应和热耗散,未引起PSⅡ反应中心的过剩激发能增加.