光纤链路误码率快速测量的探讨

本文论述了以高斯近似作为基础的误码率快速测量法应该考虑的问题:高斯近似的误差、最佳雪崩增益G_(opt)和判决电平D必须依赖实际调试选定,以及雪崩光电二极管倍增分布特性对判决电平取定的影响。文中介绍了以微机组成的测量装置,并作了原理性分析。     

雪崩光电二极管数控偏压源的设计

为保证雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,人们研究了多种偏压控制方案。针对传统的偏压控制存在的缺陷,文章从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,得到偏压与温度的特性曲线。基于偏压的虚警控制原理,利用单片机便于数据处理和存储的特点,设计了一个自动跟踪雪崩管击穿电压的数控偏压电路。该电路能在温度大幅度变化的情况下保证APD正常工作,适合于高频连续信号检测的光电系统。     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

吸收倍增分离式雪崩光电二极管的噪声模型研究

针对雪崩光电二极管吸收区与倍增分离的特点及其噪声特性,在已经存在的SAM-APD的电路模型的基础上,应用载流子的速率方程,建立SAM-APD的噪声电路模型.仿真结果表明,该模型的输出特性与实际器件的实验数据基本相符.该模型也为APD器件的工艺制造奠定了一定基础.     

InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究

从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM) InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了完整的电流响应模型．模型使用与通用电路仿真器完全兼容的Verilog-A语言进行描述,适用于Cadence电路设计平台中与外围电路进行协同仿真．结果表明：在300 K下模型仿真结果与实验数据在60 V偏置电压范围内均处于同一数量级,验证了所构建的APD器件模型的精确度,为光电探测系统的协同设计与整体优化提供了参考．     

CO2浓度倍增对宁夏枸杞光合特性的影响

采用开顶式气室(OTC)控制模拟环境,测定1年生宁夏枸杞苗木在CO2倍增浓度((700±20)μmol/mol)处理下的净光合速率、蒸腾速率、气孔导度、水分利用效率及光响应曲线以及CO2响应曲线等,研究CO2浓度倍增对枸杞苗木光合特性的影响。结果表明:在各自生长环境下,处理组ECC((700±20)μmol/mol)的枸杞净光合速率在整个处理期间均高于对照组的ACC((350±20)μmol/mol),同时光补偿点提高,光饱和点降低,CO2饱和点升高。因此,CO2浓度增高可以提高枸杞叶片的净光合速率和水分利用效率。     

光接收机的宽带前置放大器

在光接收机中,人们通常把用作检测光缆传来的高频光信号的光检测器(由PIN管或者雪崩光电二极管组成)和前置放大器设计在一起。为了保证宽频带光信号的接收,就要求这种放大电路具有频带宽、线性好、增益高和信噪比亦高的特性。目前,性能最好的一种电路结构是:用雪崩光电二极管作光检测器,以砷化镓场效应管作前置放大器,并把电路设计为互阻抗放大器的形式。然而,雪崩光电二极管价格昂贵,场效应管,特别是低容值的砷化镓场效应管     

论文摘要

高倍增 Ga As光电导开关中的单电荷畴施　卫 ,陈二柱 ,张显斌(西安理工大学理学院 ,陕西西安 71 0 0 4 8)给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出了用类似于耿畴的单极电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 Lock-on效应。分析了单极电荷畴形成和辐射发光的物理过程 ,并对 Lock-on效应的典型现象作了物理解释。(将发表在《西安理工大学学报》2 0 0 1 Vol.1 7No.2 )真空内氧化法制备 α-Al2 O3/ Cu复合材料王武孝 ,袁…     

水/十二烷基硫酸钠/正丁醇/正辛烷系统的微乳液相行为和结构

用滴定法和色谱分析测定了H_2O/C_(12)H_(25)SO_4Na/n-C_4H_9OH/n-C_8H_(18)系统在表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)与助表面活性剂正丁醇不同配比下的相图。微乳液只有在一定配比范围内方始形成,随着SDS配比增加,微乳区先逐步扩大。电导测定还可区别W/O型、双连续相和O/W型微乳液,并且双连续相区随SDS配比增加而扩大。但是当SDS配比很高时,由于溶解度减小和出现粘稠液晶相,微乳液区反而缩小。对分相区的系线测定还表明,富水相微乳液中SDS的含量恒高于富油相微乳液。     

全局雪崩准则的矩阵表示及其性质

从研究全局雪崩准则的表达方式出发,提出了全局雪崩准则的矩阵表示方法,并证明了布尔函数f(x)与f(x+α)全局雪崩的绝对值指标和平方和指标相同。依据矩阵表示方法得到了全局雪崩准则与布尔函数Walsh谱值的关系,并给出了一个布尔函数同一个仿射函数的互相关全局雪崩准则绝对指标的上、下限。最后,分析了修改序列中的一位对布尔函数全局雪崩准则指标的影响,结合爬山算法设计了一种修改M-M型Bent函数的优化算法,得到的布尔序列在非线性度和全局雪崩准则指标上优于已有的构造。     

素数域椭圆曲线密码点乘的高性能硬件实现

素数域的椭圆曲线密码（elliptic curve cryptography,ECC）被广泛应用于物联网安全设备中.针对这些具有有限硬件资源,同时也需要较高计算速度的安全设备,本文提出了一种基于改进Left-to-Right点乘算法的素数域ECC点乘高性能硬件结构.利用模块的复用与指令ROM减少了硬件资源消耗,并通过高位宽的算术逻辑单元提高了点乘计算的速度.在Virtex-5 FPGA上实现的资源使用量为2 684 LUT,16 DSP,4 BRAM,时钟频率达到150.2 MHz,完成一次点乘计算需要4.24 ms,综合的性能指标大于其他已有的素数域ECC点乘高性能硬件设计.      

Two Normal Basis Multiplication Algorithms for GF（2^n）

Introduction Arithmetic operations in GF(2n)play an important role in coding theory,computer algebra,and cryptosystems.Among the different types of field representations,the normal basis(NB)has received considerable attention on account of its efficient i…     

矩阵乘在通用DSP上的峰值性能模型

DSP具有能效比高的特点,可以用于通用高性能计算.矩阵乘是许多科学与计算问题的核心算法,在DSP上取得高性能具有重要的理论和现实意义.面向通用DSP,提出了矩阵乘并行算法,建立了矩阵乘峰值性能模型,根据性能模型,构建了矩阵乘性能达Tflops级DSP体系结构参数配置,对通用DSP的设计参数给出了明确的性能指标要求,包括乘加流水线数量、寄存器数目、带宽和延迟.     

香石竹试管苗增殖培养的研究

本文探讨了香石竹试管苗增殖过程中,不同的生长调节剂、碳源、水质对增殖效果的影响。研究结果表明：在ＮＡＡ０．５ｍｇ／Ｌ和６－ＢＡ１．０ｍｇ／Ｌ的生长调节剂组合下,试管苗增殖效果好、苗壮,增殖率达４．７。用４０ｇ／Ｌ的市售白糖代替３０ｇ／Ｌ化学纯蔗糖作为培养基的碳源是可行的,既降低了配制培养基的成本,又不影响苗的增殖和质量;但以自来水代替蒸馏水作培养基的水质,则不利于苗的生长和增殖。     

TDM／FDM60路复用转换中的ODFT算法

众所周知，快速付立叶变换算法可以使乘法次数大为减少，这就意味着可以节省硬件．降低功耗，提高性价比。本文从理论上阐明应用于TDM／FDM60路复用转换设备中奇型离散什立叶变换的原理，然后提出一种简单而有效的硬件实现方案。     

随机小介质球散射的稀疏矩阵/规则网格法分析

利用张量电场积分方程和稀疏矩阵/规则网格（SMCG）法分析了随机分布小介质球的散射问题，SMCG法根据离散单元间场作用的强弱，将阻抗元素分解为强作用的稀疏矩阵和弱作用的补充矩阵，在共轭梯度法迭代求解矩阵方程时，直接计算强作用稀疏阵与待求向量的乘积；而对弱作用的补充矩阵，则将阻抗元素在规则网格上应用Taylor级数展开，由于级数项中存在平移不变性的核，因而可利用快速傅里叶变换实现补充矩阵与待求向量的乘积，实验算例表明：SMCG法和矩量法的数值曲线吻合性很好，在分析电大目标散射时减少了计算机内存和CPU时间要求，因此SMCG法比矩量法具有明显的优越性。     

银边红雀珊瑚(Pedilanthus tithymaloides(L) Poir.var.cuculatus Hort.)快速繁殖研究

顶芽或腋芽在添加６－苄基氨基嘌呤（６－ＢＡ）３ｐｐｍ和萘乙酸（ＮＡＡ）０．５ｐｐｍ的ＭＳ培养基培养３０ｄ，长４－６ｃｍ，腋芽３－７个。此时，将它们分切成单芽切段，围到添加６－ＢＡ２ｐｐｍ的ＭＳ培养基，继代培养周期２１ｄ，繁殖系数５－８。芽长２－３ｃｍ时用添加吲哚丁酸（ＩＢＡ）１ｐｐｍ的ＭＳ培养基进行生根培养，培养２１ｄ，生根率８７％，移载成活率９３％。     

氧化钽/氧化铝薄膜的阻变特性和突触特性

通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.     

基于加权因子的双重延时乘累加波束形成算法

针对超声成像中双重延时乘累加算法不适用于高噪声环境的问题,提出一种基于均值-标准差加权因子的双重延时乘累加算法,即RD-DMAS算法.该加权因子对解决高噪声带来的图像斑点问题具有显著效果,而双重延时乘累加波束形成算法能大幅提高超声成像分辨率,使所提算法能得到高分辨率和高对比度的重建图像.对该算法在点散射目标仿体、囊肿仿体和噪声环境下进行了仿真,结果表明,RD-DMAS算法有最小旁瓣以及较窄的主瓣.DAS,DMAS,DS-DMAS,RD-DMAS算法的对比度(CR)分别为9.72,11.72,13.28和19.86.不管环境中是否有噪声,RD-DMAS算法的成像效果都是最好的.     

实对称循环Toeplitz矩阵相乘的算法探讨

应用初等的组合方法和三角矩阵知识,给出了两n阶实对称循环Toeplitz矩阵相乘的一种快速算法.该算法的时间复杂性为nr次乘法和(n-1)r次加法,其中r=[n2]+1.