求解p型半导体霍尔系数极值的新方法

本文取用新的方法,求解在过渡温度范围下p型半导体霍尔系数的极值,导出了与过去理论中的结论有所不同的极值表示式,并在新的表示式中引入了一个霍尔极值因数r_(Hm).本文还指明了应用有关结论来测定半导体中电子与空穴迁移率之比值的新途径.     

N型硅单晶霍尔系数与应力关系的研究

本文针对n型硅单晶,在常温下进行霍尔效应实验,研究了霍尔系数与压缩应力的关系。研究结果表明,样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。应力增加一个数量级,霍尔系数绝对值的相对变化小于10%。其与应力的变化关系似乎不是完整的线性关系。在应力方向和电流方向沿〈111〉晶向时,沿不同晶向加磁场,霍尔系数的变化情形几乎没有多大改变。本文还对实验结果作了理论上的定性解释。     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

对P型半导体霍尔效应的一种新解释

本文在普通物理知识范围内,用经典图象解释了P型半导体发生霍尔效应时可以将空穴看成带正电的粒子。     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

二次型极值及其推广的几个结论

讨论了二次在单位球面及其闭子集上的极值问题,并引入广义二次型的概念,利用正交变换从两个方面推广了二次型的极值与春对应的特征值之间的关系。     

霍尔效应与新材料的发展

介绍了经典霍尔效应、量子霍尔效应和反常量子霍尔效应,以及在石墨烯、拓扑绝缘体等纳米新材料发展过程中的应用.     

一种材料霍尔系数测试系统的设计

硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统。     

Bi2Sr2CaCu2O8+δ正常态霍尔系数的理论分析

以基于高温超导体双成分模型的近局域对理论分析Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ正常态霍尔系数的温度行为,得到与实验相符的结果。指出赝隙随温度降低的不断加深导致了霍尔系数在比T_c略高的温度出现正的极大值,并且该极大值与赝隙深度随温度变化的谷底附近相对应。     

非均匀半导体电导率和霍耳系数测量方法研究

应用电动力学理论，提出了一种测量非均匀半导体电导率和霍耳系数的方法，论述了这种方法依据的原理和计算公式，以及用此方法测量的步骤，并举例说明．结果表明：该方法所得结果与文献给出的实验结果相符，也与用其它方法测量结果一致．     

辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响

用60Co、137Cs、90Sr-90Y放射源低剂量率对恒流激励、无磁场作用时的InSb、GaAs、Si、Ge等半导体霍尔器件进行短时辐照,测量了辐照过程中各器件输入电阻的变化。结果表明:因为位移效应所引起的辐射缺陷,三种辐照均导致各器件输入电阻增加,并与辐照时间成正比。比较相同射线、相同时间辐照所引起的输入电阻变化量,可以判定Ge器件的抗辐射能力最强,Si器件次之,InSb、GaAs器件最差。     

应用于保护电能传输系统的全电阻继电器

介绍了一种新型的应用于保护电能传输系统的全电阻继电器：基于非线性平衡原理，在正常状态下，在输出之前加上一个半导体霍尔元件和一个整流器．实验结果证明，新型全电阻继电器灵敏度高，测量范围广，并具备尺寸小，价格低等优点．     

利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数

膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内（20.6℃-70.6℃）空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27％,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.     

霍尔角、霍尔电场与载流子能态关系研究

讨论了霍尔电场和外加电场对裁流子作用问题,认为外电场既改变载流子在晶格势场中的能态,也驱动栽流子作漂移运动．在外电场作用下,霍尔角正切反映了载流子在晶格势场中增加的能量占外电场输入能量的百分比,外电场输入能量的其他部分转变成裁流子漂移运动动能、晶格格点热振动能量及焦耳热．     

霍尔传感器测速系统的设计

文章介绍了霍尔传感器的工作原理及其在工程应用中的种类,举例说明霍尔传感器在测速系统中的应用,提出了霍尔传感器应用电路的设计方法,即电路框图设计、元件参数设置和测量电路仿真,把非电量信号检测来出并转换成便于传输、处理和显示的可用电信号,再利用信号处理和显示电路测出数据。通过实验和理论数据比对,表明该测速系统符合实际应用。     

薛定谔变分原理中的极值

已有的一些文献指出,薛定谔变分原理中的极值是极小值。经证明,与基态相应的极值是极小值,而与激发态相应的极值不是极小值。只有在变分中用到的波函数同所有低能态波函数都正交的条件下,与激发态相对应的极值才是极小值。     

Hall Effect in Quasicrystals

The relations between Hall effect and symmetry are discussed for all 2- and 3-dimensional quasicrystals with crystallographical|y forbidden symmetries. The results show that the numbers of independent components of the Hall coefficient (R11) are one for 3-dimensional quasicrystals, two for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is non-Abelian, and three for those 2-dimensional quasicrystals whose symmetry group is Abelian. respectively. The quasicrysta[s with the same number of independent components have the same form of the components of R11.     

霍耳效应公式的量子力学推导法

用量子力学方法推导了量子霍耳效应的二维电子气中的霍耳效应公式。     

钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用

研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL) 理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中, 并详细考虑钉扎效应, 得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律, 不同高温超导体的实验数据可以很好地标度在一起。同时, 基于含时GL理论的结果并考虑钉扎效应,给出了一组描述存在一次或多次霍尔反号的高温超导体的霍尔电导方程。