VDMOS功率器件的优化设计与研制

讨论了VDMOS功率器件的外延层结构,结终端技术,芯片背面多层金属化的优化设计理论与器件制造工艺技术;导出了BV_(DS)≥500V,I_(DS)≥IA的VDMOS外延层结构参数和终端结构模型与参数,给出了芯片背面多层金属化的工艺条件和制造VDMOS芯片的集成电路平面工艺流程.     

30伏P沟VDMOS场效应管的设计

对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.     

具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层.通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41％的非极性a面p-AlGaN外延层的结构与电学性质.特别针对具有较高Al组分的非极性a面p-AlGaN层的外延生长,创新性地研发了一种以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长工艺.研究结果表明,在非极性a面p-AlGaN外延层的MOCVD生长过程中采用以金属有机源的流量脉冲供给为特征的MOCVD生长技术,可以显著提高非极性a面p-AlGaN外延层电导率.其中,利用该技术所生长的p-Al0.41Ga0.59N外延层样品的空穴浓度可高达7.0×1016 cm-3,为制备高发光效率的非极性a面AlGaN基紫外发光二极管打下了坚实的基础.     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

硅外延工艺中HCI气相腐蚀技术研究

主要对硅外延工艺中的IICI气相腐蚀原理以及HCI气庸对外延工艺的作用进行了分析.从HCI腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCI气腐对外延层影响的规律.     

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.     

高阻外延层电阻率均匀性控制技术分析

随着高频大功率器件的广泛应用,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是外延层电阻率.为了提高器件的工作频率与工作电压,要求外延层电阻率要高,电阻率均匀性要好.而高阻外延层的电阻率由于受到自掺杂与系统杂质的影响,很难获得好的电阻率均匀性.通过对外延生长过程中杂质的引入,以及不同杂质的来源及特点进行深入分析,针对不同杂质来源的控制提出有效的解决方法,保障了生长出电阻率均匀性好的高阻外延层.     

功率VDMOSFET外延层参数的优化选择

本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。     

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响

利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.