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采用格林函数方法和Anderson Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采用以消除Pt的不同d电子之间通过与DBA表面相互作用而产生的耦合效应·结果表明:Pt对DBA表面偏析有很大的抑制作用;化学吸附系统Pt/NixCu1-x随Ni的体内原子分数的增加而趋于稳定·化学吸附促进了吸附离子Pt与合金衬底间的电荷转移浓度· 相似文献
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采用含时密度泛函理论(TD-DFT)和多维可视化技术研究了4-巯基苯甲酸(4-MBA)-Ag20复合物的表面增强拉曼散射(SERS)的化学增强机理.通过对比和分析4-MBA与4-MBA-Ag20分子在基态与激发态的性质,发现在4-MBA-Ag20中的4-MBA与Ag20之间存在分子间电荷转移过程,这使该复合物的拉曼振动模式得到显著增强.该结论有助于进一步研究在SERS检测技术中吸附物与吸附衬底之间的相互作用机制. 相似文献
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周瑞明 《华东理工大学学报(自然科学版)》1989,(6)
提出了利用垂直于固体表面的外电场控制固体中由能带弯曲造成的表面势垒以改善固体的吸附和催化性质的设想。研究了在434K下不同电场强度对氧氮混合气流中SnO_2膜吸附性质的影响。发现电场能显著地改变氧的平衡吸附量。电场由-35 V增至+35 V造成的氧吸附 相似文献
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《西安交通大学学报》2015,(10)
为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况,采用数学建模并结合实验验证的方法,建立了二次电子能谱的吸附势垒模型。首先,以到达金属内表面二次电子为参考对象,分析金属壁的吸附过程,发现水蒸气吸附造成的能级扭曲会使金属表面势垒降低,由此建立了水吸附形态下的薛定谔方程,并求解得到吸附势垒的透射系数;然后,结合内二次电子能量分布建立吸附势垒模型,得到二次电子能谱特征参数与吸附量的定量关系。模型分析结果表明:吸附量的增加会引起表面势垒的降低,从而导致金属器壁二次电子发射增强,能谱变窄,加剧电子云效应;通过加热、氩离子清洗等手段可减少或去除加速器壁水蒸气吸附,抑制器壁表面二次电子发射。实验对比发现,离子清洗可减少吸附量,使Ag样品的吸附度从初始值0.5降至0,伴随能谱半峰宽从5.17eV展宽至12.5eV。 相似文献
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用循环伏安法研究了6,7-二甲基-2,3-二(2-吡啶基)喹恶啉在1:1体积比的水-甲醇混合溶液中,热解石墨电极上的吸附伏安行为,测定了DMDPQ的表观标准电极电位和扩散系数,对其电极反应的机制进行了探讨。 相似文献
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通过逻辑推理和具体计算,讨论了处于静电平衡状态的孤立导体上的电荷分布问题。研究了处于静电平衡状态导体的面电荷密度与导体表面曲率的关系。得到了导体面电荷密度与表面曲率并不成正比的结论。 相似文献
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为了有效地求取电气设备的空间分布电容值,对三维空间表面电荷法进行了改进。利用曲面三角形单元取代平面单元,并用二次多项式对内部点,可以更好地模拟电力设备的结构,获得高的计算精度。给出了单元上的数值离散格式,并将均压环对地电容作为算例进行了计算。结果分析表明,计算值与测量值间的相对误差仅有2%,两者有很好的一致性。 相似文献
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刘玲 《长春师范学院学报》2008,27(4):15-18
本文通过例子说明了几何形状对孤立导体上面电荷分布的影响,然后再通过对几种带电孤立导体的电荷密度的分析、计算、讨论,得出孤立导体表面电荷分布不仅与导体表面的曲率有关,还与导体表面的整体形状有关。 相似文献
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LIU Ling 《长春师范学院学报》2008,(8)
本文通过例子说明了几何形状对孤立导体上面电荷分布的影响,然后再通过对几种带电孤立导体的电荷密度的分析、计算、讨论,得出孤立导体表面电荷分布不仅与导体表面的曲率有关,还与导体表面的整体形状有关。 相似文献
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为了对直流电压作用下的绝缘子表面电荷进行测量,设计了一种性能优良的新型电容探头,该电容探头具有电荷泄漏少、分辨率高的优点。研究了外施直流电压极性、幅值、作用时间和外界气象条件对表面电荷积聚的影响。研究表明:当外施电压的幅值和作用时间增加时,绝缘子表面电荷密度的平均值逐渐增加;绝缘子表面电荷的分布与外施电压的极性密切相关;晴朗天气要比小雨天气更易积聚表面电荷,说明绝缘子表面电导率对表面电荷积聚是有影响的。 相似文献
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用荷移分光光度法测定氨苄青霉素钠含量 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了在水溶液中,氨苄青霉素钠与对苯醌生成稳定的1:1络合物,λmax=472.0nm,表观摩尔吸光系数ε^472.0=1400L.(mol.cm)^-1,线性范围为0.02-0.25g/L,本方法测定药物制剂含量与文献方法一致,回收率为99.70%-100.03%,相对标准偏差1.36%。 相似文献
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电荷转移对分子晶体二聚化基态的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了分子晶体中电荷转移对其二聚化相变,能隙及光电导率等物理性质的影响,通过正则变换引进电-声子散射函数,讨论了分子晶体中电荷转移对二聚化能隙及声子交错序参量,光电导率等的影响,结果表明,电荷转移对系统的二聚化序参量,能隙及光电导率的影响明显,其中系统能隙和二聚化序参量之间的关系由一组积分方程确定。 相似文献
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分析了半导体表面空间电荷层对深亚微米、纳米尺度下半导体微结构间电场的影响,并同宏观尺寸下采用的金属极板公式进行了比较.结果表明:当半导体微结构间距离在1 μm 以上时,可以忽略半导体表面空间电荷层对微结构间电场的影响;当半导体微结构间距离缩小到亚微米和数十纳米量级时,空间电荷层对微结构间电场分布的影响逐渐增大,此时分析电场一般不能利用金属极板公式.微结构间电场同金属极板近似公式间的相对误差与半导体材料的介电常数、掺杂浓度等因素有关. 相似文献