薄膜科学研究进展

薄膜科学在物理学与材料学科中已形成了一门分支学科。特别是半个世纪以来，电子学的发展需要新器件和新材料的突破，薄膜科学就是开发新材料和新器件非常重要的领域。电子器件的尺寸越来越小，40年代的真空管器件是几十厘米大小，60年代的器件是毫米大小，80年代的超大规模集成电路中的器件是微米大小，到2000年分子电子器件将是纳米量级的。这就要求研究亚微米和纳米的薄膜制备技术，并利用亚微米和纳米结构的薄膜制备各种新型功能器件。所有固体材料都能制成薄膜型材料，而薄膜是二维的，现在工业上所用的薄膜都是极薄的，从几十纳米到微…     

类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备

本文介绍了类金刚石薄膜和金刚石薄膜的制备原理和4种方法,同时指出了它们的应用前景。     

高速BOPP薄膜生产线常见问题分析

双向拉伸聚丙烯薄膜(简称BOPP薄膜)因其良好的性能、广泛的用途而被誉为“包装皇后”。目前国内有70多条生产线,产量达32万吨左右。90年代生产线速度达到300m/min以上,被称为高速生产线。我公司1997年从日本三菱重工引进的生产线,设计速度320m/min。本文就是对这条生产线实际运行中的常见问题进行的总结。     

农用薄膜中金属氧化物的发射光谱分析

农用薄膜中金属氧化物的发射光谱分析徐慧，王国彦（云南大学实验验中心昆明，６５００９１）理想的农用薄膜应同时具备良好的机械性能，可降解性、有效阻止杂草生长，提高农业生产效益然而，在Ｆｅ，Ａｌ，Ｍｇ等金属添加剂过多时，影响薄膜的机械强度，薄膜的机械强度消...     

Polycrystalline ZnSx Se1—x thin films deposited on ITO glass by MBE

MBE growth of ZnSx Se1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se Sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃.The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSx Se1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes.The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence,with the optimized temperature being about 290℃.Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence.Hing qual-ity ZnSx Se1-x thin film growm at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS valus of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.     

低温生长氮化铝薄膜栅介质电性的研究

直流平面磁控溅射低温成膜,靶上发射的二次电子可得到正交电磁场的控制,减少高能粒子对器件表面的轰击,使膜中缺陷减少;有利于减少膜与基片间的界面态;还以较高的速率淀积薄膜,有利于大批量生产.至今对 AlN-Si 接触的界面和介电特性研究报导不多,低温制膜的界面性能研究更少.本文用直流平面磁控溅射法在硅片上淀积AlN 制成 Al/AlN/Si 结构并对其进行电性测试分析.     

非均匀磁性薄膜的临界温度,位移指数及相干临界指数

用非均匀磁性薄膜，采用变分累积展开方法，分别对海森堡模型及伊辛模型，计算了四阶临界温度Ｔ＾（４）ｃ（Ｌ），位移指娄λ，及相干临界指数ｖ，得到了ｖＩ＝０．７１２，ｖＨ＝０．７１０，此结果与实验值ｖ＝０．７０４符合得相当好。     

过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度也不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战。阻变式存储器（RRAM）作为新一代的存储器件,因其器件具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势引起了人们广泛的研究。本文就目前基于过度氧化物薄膜的RRAM研究概况,从RRAM的基本工作原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的各种困难等方面对RRAM进行了简要评述。