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给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管. 相似文献
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对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管,该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下,根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Jn和基区注入空穴电流Jps的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件,对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便,同时精度也较高,可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。 相似文献
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禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况. 相似文献
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从理论上研究了双极型晶体管发射区中有效杂质分布N_(Eeff)在不同温度下与发射区浓度N_E的关系,结果表明:常温和高温时,N_(Eeff)随N_E的增大而上升;在低温下,N_(Eeff)则随N_E的增大而下降,而在某一特殊温度时N_(Eeff)将与N_E无关,这将为双极晶体管提供设计依据. 相似文献
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李友明 《湖南师范大学自然科学学报》2010,33(2)
论述了采用CMOS晶体管构建CCⅡ(第二代电流传输器)的基本原理与应用.采用CCⅡ分层模块形式进行了电流模式多功能状态变量滤波器的设计、建模与仿真.通过Hspiee对内部CMOS模型及外部元件参数进行了参数容差的MonteCarlo分析和功能验证.仿真结果与理论分析一致.与同类电路比较,该系列电路结构简单,便于集成. 相似文献
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晶体管接收机容易产生大信号堵塞干扰信号阻塞的主要原因是晶体管动态范围小与非线性失真大。提高晶体管接收机抗大信号堵塞和强干扰信号阻塞能力的基本途径是采用场效应应晶体管,合理分配各级增益,减弱和减少了干扰电压的强度和个数等。 相似文献
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HBT的PN结偏移效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用流体动力学输运模型详细分析了发射区PN结偏移对AlGaAs/GaAsHBT器件性能的影响,提出了器件优化设计的原则,在等和小的偏压下为了提高,β,PN结应向宽禁带层偏移,而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用PN结是质结对准的结构。 相似文献
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半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力[1].由于Si-SiO2界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降. 相似文献
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讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系. 相似文献
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我们于1978年研制成功可实用的全固化W-1(图1)及W-1A型微波针灸仪共三套[1],该年10月通过全套例行试验[2],并获得医院的疗效观察报告[3].1979年《电子科学技术》杂志对此作了简短报导[4].1980年[5]及1981年提出的新型号,无论频率选择、方案确定,均以W-1A型的设计及电路为兰本. 相似文献
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该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多功流子浓度的影响;建立了从77K到300K广为适用的数学模型,获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致;而在重掺杂时,解决了已有文献未能解决的难题;杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算。 相似文献
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报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTC-DA),由此制作的异质结PTCDA/P-Si(有机/无机)光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法. 相似文献