亚苄基乙酰二茂铁的合成

以二茂铁为原料，经Ｆｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ反应合成乙酰二茂铁；再用乙二茂铁在苯醛稍微过量条件下，经交错羟醛缩合反应，合成亚苄基乙酰二茂铁，以红外光谱确定产物的结构。     

2,3-二二茂铁基-2,3-丁二醇的合成

以二茂铁为原料,经Friedel-Crafts反应合成乙酰二茂铁,并用乙酰二茂铁与镁反应合成片呐醇镁化物,最后片呐醇镁化物水解生成片呐醇,以红外光谱、核磁共振谱图确定产物结构.     

二茂铁乙酮乙酰腙的合成

以二茂铁与乙酸酐在磷酸催化下反应，合成出乙酰基二茂铁，再用乙酰基二茂铁与乙酰肼作用，得到化合物二茂铁乙酮乙酰腙．通过多步实验确定出腙的最佳合成条件，并通过红外光谱对产物进行鉴定．     

4-二茂铁基-2，4-二氧代丁酸乙酯的合成

以草酸二乙酯,乙酰二茂铁为原料,合成了一种新化合物4-二茂铁基-2,4-二氧代丁酸乙酯．系统地研究了反应物的物质的量的比、反应温度、反应时间和萃取时pH值等因素对产品收率的影响,并用IR谱确定其结构．     

1—苯基—3—甲基—4—苯氧乙酰基—5—吡唑啉酮对金属离子萃取行为的研究

本文合成了螯合萃取剂1－苯基－3－甲基－4－苯氧乙酰基－5－吡唑啉酮，并对UO2^2 、Th^4 、La^3 、Cu^2 、TiO^2 、Cr^3 6种金属离子的萃取行为进行了研究。     

二乙酰基二茂铁二腙的合成

用三氯甲烷作溶剂、三氯化铝作催化剂的条件下进行Friedel—Crafts酰基化反应，合成了1，1＇-二乙酰基二茂铁，其产率为55％．1，1’-二乙酰基二茂铁，在少量盐酸催化下用无水乙醇作溶剂，合成了二乙酰基二茂铁二腙．     

2—乙氧基—3，4—二氢—1，2吡喃合成方法的研究

本文研究了合成2－乙氧基－3,4－二氢－1,2吡喃的方法,优化了用料比,反应时间和温度等反应条件,使得其产率增加,结果令人满意。     

电解合成二茂铁的紫外—可见光谱研究

本文研究了二茂铁在电化学合成过程中的紫外光谱特性,发现新生成的二茂铁与环茂二烯之间有着很强的相互作用,能够形成某种形式的缔合物,并讨论了氧对电解合成的影响。     

新试剂2,4—二溴—6—硝基苯基重氮氨基—4——苯基—2—噻唑的合成及马钯（Ⅱ）

本文研究了新显色剂２，４－二溴－６－硝基苯基重氮氨基－４－苯基－２－噻唑的合成及与钯的显色反应。     

新型二茂铁基喹喔啉哌嗪的合成及其抗疟活性研究

以二茂铁甲醛为起始原料,经过6步反应合成得到新型的二茂铁吡咯并[1,2-α]喹喔啉哌嗪类衍生物1a-h.产物针对恶性疟原虫FcB1,K1,F32等菌株进行了体外抑制活性实验.实验结果表明,新合成的化合物具有一定的抗疟活性,其中芳环上4-位硝基取代的化合物1h体外抗疟活性最优.本工作为进一步研究具有更好活性的抗疟药物打下一定的基础.     

二茂铁的电化学合成

在含有Na+、Cl-、环戊二烯和特性催化剂的无水乙醇溶液中，电解合成得到了二茂铁。阴、阳极均为纯铁电极，采用换向控制，氮气保护。体系温度控制在40℃，电解时恒定电流密度8～14mA／cm2或恒定电位－1．10V～－1．40V之间。产率为78．1％。     

噻吩浓度对陶瓷和石英为基底的CVD法制备碳纳米管的影响

采用二甲苯为碳源,二茂铁为催化剂,分别在陶瓷和石英基底上进行化学气相沉积(CVD),制备出多壁碳纳米管(MWNTs)及大面积的碳纳米管列阵膜。结果表明,噻吩的加入量对能否生成碳纳米管及其产量具有重要影响。对于不同基底,噻吩浓度对碳纳米管生长的影响亦不同,石英基底对噻吩浓度的敏感性更强,在石英基底上能够生长出碳纳米管列阵膜。     

啤酒制备过程中双乙酰含量变化的研究

论述了在实验室常规条件下，用比色法测定啤酒中双乙酰（包括α-乙酰乳酸）的含量．绘制了双乙酰变化的曲线图，并讨论了双乙酰同α-氨基氮、酵母的质量及数量、下酒温度等一些影响啤酒中双乙酰含量的因素的关系．     

两种拟南芥coi1突变体的鉴定与初步分析

COI1(coronatine-insensitive 1)蛋白是茉莉酸信号途径的信号开关,coi1突变体是茉莉酸信号调控机制研究中的重要实验材料。对从拟南芥生物资源中心购买的两种COI1(At2g39940)的T-DNA插入突变体SALK-095916和SALK-045434,通过基因型分析筛选获得了纯合突变体。进一步的基因表达检测和茉莉酸敏感性试验表明,两种纯合突变体中COI1基因的表达量分别约为野生型植株的40%和50%,突变体幼苗对茉莉酸的敏感性显著降低。获得的SALK-095916(命名为coi1-22)和SALK-045434(命名为coi1-23)纯合突变体可以作为实验材料在进一步的茉莉酸信号途径机制研究中使用。     

域上保秩1矩阵映射

设K是域,m,n是不小于2的整数,Mmn(K)表示K上m×n阶矩阵全体所成集合.设Φij(i=1,2,…,m,j=1,2,…,n)是K上的映射,定义K上由Φij导出的映射Φ如下:Φ:[aij]|→[Φij(aij)],[aij]∈Mmn(K).若Φ将Mmn(K)中的秩1矩阵都映成秩1矩阵,则称Φ是保秩1的,将刻画这种映射的形式.     

热壁外延法生长Zn1—xMnxSe半磁半导体薄膜

作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.     

域上迹零矩阵空间上的线性秩1保持(英文)

设F是域,m≥2是正整数,Mn(F)表示域F上所有n×n矩阵构成的线性空间,sln(F)表示Mn(F)的包含所有迹零矩阵的子空间.若线性映射φ:slm(F)→slm(F) 满足φ(sl1m(F))(-C)sl1m(F),则称其为线性秩1保持,其中sl1m(F)定义slm(F)的包含所有秩1矩阵的子集.通过使用数学归纳法证明了:φ:slm(F)→slm(F)是可逆的线性秩l保持的充要条件是存在c ∈F* 和可逆的M ∈Mm(F)使得φ(X)=cMXM-1,(A)X∈slm(F)或φ(X)=cMXT M-1,(A)X ∈slm(F).