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新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4 总被引:3,自引:0,他引:3
采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相CdFe2O4,实验表明,CdFe2O4作为一种尖晶石型结构的复合氧化物,是电子导电型半导体,具有良好的酒敏性能.且有较好的化学稳定性和气敏稳定性 相似文献
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采用固相反应法在900℃下制备出具有烧绿石结构的莳地导体气敏材料Cd2Nb2O7,研究了制备条件对产物物相和气敏性能的影响,探讨了高温固相反应机理。电导测试表明:Cd2Nb2O7是一种典型的表面电阻控制型半导体材料;而气敏测试表明:Cd2Nb2O7对乙醇具有较高的灵敏度、较好的选择性以及快的响应恢复速度。 相似文献
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CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学共沉淀法,制备了系列CdO-Fe2O复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。 相似文献
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由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。 相似文献
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Zn2SnO4复合氧化物气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用烧结法合成Zn_2SnO_4复合氧化物,具有反尖晶石结构的弱N型半导体材料,其气敏性能引人注目,尤其是对乙醇具有较高的灵敏度和选择性.当掺入少量氧化物杂质,可以看到灵敏度和最佳工作温度都有所改善,其中以稀土氧化物效果为最佳. 相似文献
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研究了不同条件下制备的α-Fe2O3(Sn,SO^2-4)气敏材料的电特性,气敏性和晶粒尺寸特性,发现SO^2-4作为一种离子基团掺杂对甲烷有明显的增感作用,我们认为引入离子基团是α-Fe2O3气敏材料改性的一种途径。 相似文献
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为了更深入地研究半导体气敏器件的气敏-光学特性,进一步提高其性能,地导体气敏元件的机理及光波在导电媒质中的传播,本文在实验基础上,建立了氧化物半导体气敏片的光学特性数学模型,导出了光通过膜片时上对透过率与膜片生长的若干主要因素的定量关系。 相似文献
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MSnO3系气敏材料的研究:Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及?… 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了CdSnO3气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明,微细CdSnO3是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。 相似文献
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金属氧化物半导体气敏机理探析 总被引:21,自引:0,他引:21
讨论了金属氧化物半导体表面的气-气,气-固反应及其相应的电子过程,建立了分析气敏作用机理的理论模型,并提出了改进传感器性能的指导性意见。 相似文献
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利用纳米技术和半导化技术,制备了CuOBaTiO3 复合氧化物电子陶瓷电容型CO2 气敏元件,该元件可用于环境中CO2 气体的监测.该元件在127 ~477 ℃范围,对CO2 气体呈现较好的敏感特性;可测气体浓度范围0 ~95 %( 体积分数,下同),在低浓度范围(0~5% )内,电容与浓度呈线性关系;能经受高浓度CO2 气流的冲击,有较快的响应恢复速度;重现性和选择性较好;是一种很有发展前途的CO2 气敏元件. 相似文献
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ZrO2—NiO陶瓷气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用化学共沉淀方法制得了ZrO2-NiO气敏材料,对其半导体特性与气敏性进行了初步研究,试验了它们在不同工艺条件下的导电性,对O2、CO、C4H10等气体和氯仿、甲苯、汽油、酒精等蒸汽的敏感性,给出了材料组成,烧结温度与灵敏度的关系。 相似文献
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简介金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举对最典型半导体气敏元件的掺杂和对其灵敏度和选择性的影响作用。 相似文献
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本文采用制备超微粒的方法制得α—Fe_2O_3,并用该材料制作成α-Fe_2O_3系气敏元件。由该材料及添加微量元素后所制作的元件对乙醇有良好的选择性和灵敏度。文中同时也讨论了不同加热功率、不同的电极材料对元件气敏性能的影响。并对α-Fe_2O_3的气敏机理作了扼要的讨论。 相似文献
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CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能 总被引:6,自引:0,他引:6
采用化学共沉淀法,制备了系列CdO-Fe2O3复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响.结果表明:组分氧化物之间在250℃开始发生反应;Cd/Fe=1/2共沉淀粉料在600℃时形成单一尖晶石CdFe2O4相;电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化;Cd/Fe为1/2产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性;优化制备工艺制得的气敏元件,对低浓度乙醇气体(100ppm)灵敏度高达20多倍,相当于1000ppm汽油灵敏度的5倍左右,具有应用开发前景. 相似文献
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以尿素为沉淀剂,基于溶剂热法制备出具有特殊三维结构的纳米ZnO,并通过改变Ag的掺杂量制备乙醇气敏材料.利用XRD和SEM对所得产物的晶体结构及微观形貌进行表征, 采用静态配气法对制得的气敏元件进行性能检测.实验结果表明:与纯3D-ZnO相比,掺杂Ag可以有效地改善三维ZnO材料对乙醇气体的气敏性能.且当Ag掺杂质量分数为1.5 % 时,气敏元件对体积分数0.1%乙醇气体的响应值达31.61,工作温度由350℃降至200℃,同时响应/恢复时间缩短至10s/10s且乙醇选择性提高. 相似文献
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半导体气敏陶瓷的研究方法 总被引:3,自引:2,他引:3
边志华 《太原理工大学学报》2003,34(1):43-45
以SnO2为基体材料的气敏元件为例,总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法,分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响,介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。 相似文献
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贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌气敏材料,利用浸渍法对Zn2SnO4材料进行了掺杂,用XRD和TEM对其微结构进行了研究,实验结果表明,合成了材料为均匀颗粒状,粒径小于0.1μ该材料对可燃气体具有高的灵敏度,通过某些贵金属掺杂可提高Zn2SnO4对C2H5OH气体的选择性,SiO2的掺杂可大幅度提高Zn2SnO4对氢气的灵敏度。 相似文献
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YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用化学共沉淀法制备了YFeO3及其掺锌固溶体Y1-xZnxFeO3气敏材料,并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究。结果表明:Fe与Y物质的量比为1:1,850℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相YFeO3;电导测量显示,该系列材料呈p型半导体导电行为,且固溶体导电优于纯相。Y0.94Zn0.06FeO3电导突变温度400℃,较纯相YFeO3低70℃,900℃下热处理4h所得微粉制作 相似文献