微量元素对Al—Si体系亚稳相图的影响

测定了加入Ｎａ，Ｓｒ，Ｌａ后，二元Ａｌ－Ｓｉ合金的亚稳相图，并进行了理论分析。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

添加硅溶胶对超稳Y沸石水热稳定性的影响

由于残余氟化物、氧化钠及非骨架硅铝碎屑等因素的影响，削弱了（ＮＨ４）２ＳｉＦ６液相处理ＮａＮＨ４Ｙ制得的超稳Ｙ沸石ＦＳＹ的水热稳定性．本文通过在ＦＳＹ制备过程中外加硅溶胶，改善了ＦＳＹ的水热稳定性，其原因可能是这种外加硅源比骨架中夹带的非骨架硅或水热处理过程中因部分骨架崩塌而生成的非骨架硅更易发生因相硅迁移，从而减轻了骨架崩塌的可能性．     

形变的SiGe合金中的深能级

该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算。结果表明，晶格中的形变使原来类的ｐ的Ｔ２能级发生分裂。形变速造成合金的价带有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。     

铝硅磷掺杂碳纳米锥场发射性质的理论研究

采用第一原理密度泛函理论方法,分别研究了铝、硅和磷原子掺杂碳纳米锥的几何结构和电子结构,进而研究其场发射特性．计算结果表明：与纯碳纳米锥相比,铝和硅原子掺杂对其场发射性能的提升意义不大,磷原子易于掺杂在碳纳米锥顶部,引起其费米能级附近最高占据分子轨道明显提升,功函数和离化能降低．计算结果表明,磷掺杂碳纳米锥体系是较好的场发射材料．     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

硅钼黄示差光度法快速测定硅藻土中SiO2

本文介绍用硅钼黄示差光度法快速测定硅藻土中ＳｉＯ２该法准础度、精密度可靠，也可用于其它粘土矿物中ＳｉＯ２的测定。     

晶体中原子排列的高分辨电子显微镜观察

用电子显微镜直接观察晶体中原子排列的成象条件,本文作了概括的理论分析.用实例说明了三种情况:反映晶体结构及缺陷的结构象;在特殊情况下与晶体结构对应的细节可以超过仪器的分辨率的超高分辨象;二元合金中能直接反映原子有序排列的超结构象.     

八面沸石在精细有机合成中的催化作用研究——XV脱铝超稳Y催…

研究脱铝ＵＳＹ催化羧酸与醇的直接酯化反应，考察了催化剂硅铝比对酯化反应的影响及不同类型酸醇酯化的一般规律，结果表明，脱铝ＵＳＹ是酯化反应的良好催化剂。     

扩展休克尔理论对NaCl晶体电子结构的研究

结合特殊点方案，利用自包容子程序，应用扩展休克尔理论到离子晶体。计算了ＮａＣｌ晶体的电子结构，进行了理论分析，找出了ＮａＣｌ晶体的能隙和价带宽度，定性解释了中性基态Ｎａ原子的低能ＥＳＤ实验的结果。     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构，同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明，该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大，晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

沸石的化学组成,结构与色谱参数Vg值之间的变化规律

采用吸附色谱法首次研究了Ｙ型沸石的结构，化学组成与吸附保留值（Ｖｇ）之间的变化规律。实验证明苯和正己烷的Ｖｇ值及其差值ΔＶｇ都与Ｙ型沸石的物化参数硅铝比等之间有良好的线性关系，由Ｖｇ－Ｍ标准曲线可准确判断沸石结构状况，同时能快速准确测算试样的硅铝比等参数。     

分子筛结构和无定形结构中Ti—O—SiO3键的特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子睡无定形ＴＳ氧化物结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－ＳｉＯ３键，但这两进在红外是可区分的。     

用不同模板剂考察成胶因素对TS分子筛合成及催化性能的影响

本文考察了ＴＳ分子筛合成中不同结构的有机胺类模板剂对硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和钛酸丁酯Ｔｉ（ＢｕＯ）４水解成胶的影响，我们发现ＴＥＯＳ和Ｔｉ（ＢｕＯ）４的水解速度、水解产物的存在形式，胶液的ｐＨ值以及水解时是否有协同作用对分子筛的合成和催化性能有重大影响。苯酚羟基化结果表明：具有分子筛结构的催化剂显示出较高的催化活性，产物主要是邻苯二酚和对苯二酚。而含Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３结构的无定形钛硅氧化物也有一定的活性，但只生成邻苯二酚而没有对苯二酚。     

NiTi合金表面TiO2掺杂N原子的电子结构计算

采用密度泛函理论的离散变分Xα方法(DV-X)α,对表面掺杂N原子后的NiTi合金表面TiO2的电子结构进行了计算,得到各原子间的键级、电荷分布、Mulliken集居数和态密度.结果表明:表面掺杂后,在Ti原子的3d,4s,4p轨道和N原子的2p轨道之间发生了有效的作用,改变了表面膜的电荷分布,表面负电荷增加,从而抑制了C1-等阴离子的吸附,阻碍电子的失去,提高了其抗点蚀的能力;同时,也有利于体液中Ca2 、PO4在表面沉积形成羟基磷灰石,使NiTi合金的耐腐蚀性得到进一步提高.这一理论计算阐明了NiTi合金表面掺N后抗腐蚀性和生物相容性提高的机制.     

铸铁孕育机理的探讨

铸铁孕育机理的探讨王春生，严密田丽（浙江大学）（佳木斯工学院）关键词：生核，热力学，孕育机理。０引言人们普遍接受的硅铁浓度不均匀孕育理论认为￣［１］硅铁孕育作用是通过形成局部富硅区和形成以ＣａＳ等硫化物为核心，ＳｉＯ＿２为外壳的晶核联合作用来实现的。...