Tm2（FeGa）17化合物自旋再取向的分析

本文用单离子晶场模型分析了Tm2(FeGa)17-xGax化合物自旋再取向现象，计算了这些化合物的自旋再取向温度，并与实验数据进行了比较，还计算了4f-3d交换能，讨论了Ga取代对晶场的影响。     

Nd2T14B（T=Fe,Co）自旋再取向现象的分析

本文用多离子晶场方法分析了Nd_2T_(14)B的自旋再取向现象,并计算了低温下Nd_2T_(14)B的磁结构。用数值拟合方法得到了一组晶场系数,自旋方向在低温和C轴的夹角和自旋再取向的温度,它们和实验值相符。并由计算求得了低温下Nd离子的磁距。     

AMnF_3型化合物 Mn~(2+)的吸收谱理论研究

本文用含自旋轨道耦合相互作用的自旋相关晶场模型来计算反铁磁链状化合物 AMnF_3(A=Na,K,Rb)中 Mn~(2+)离子的电子能级.理论和测量相一致的结果表明:AMnF~3型化合物中存在自旋相关效应.     

Tb_(0.3)Dy_(0.7)(Fe_(0.9)T_(0.1))_(1.95)合金的结构、磁致伸缩和Mssbauer研究

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95(T=Mn,Fe,Co,B,Al,Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属元素T替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、内禀磁致伸缩、自旋重取向的影响.结果发现,不同金属T替代Fe,Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金具有相同的MgCu2型立方Laves相结构.ⅢA族金属B,Al,Ga替代使磁致伸缩λs下降幅度较大,同时发现Al,Ga替代使磁致伸缩容易饱和,表明Al,Ga替代可降低Tb0.3Dy0.7(Fe1?xTx)1.95合金的磁晶各向异性,而过渡金属Mn,Co替代Fe使Tb0.3Dy0.7(Fe1?xTx)1.95合金磁致伸缩λs下降幅度较小;不同替代金属元素,对内禀磁致伸缩λ111有不同的影响.M?ssbauer效应表明,Al,Ga替代使Tb0.3Dy0.7-(Fe0.9T0.1)1.95合金的易磁化方向在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,即自旋重取向,B,Mn,Co替代未使易磁化轴发生明显转动.     

（Er0.8Y0.2）2Fe17Cx的磁性和穆斯堡尔谱研究

利用快淬手段制备了高碳含量间隙化合物（Ｅｒ０．８Ｙ０．２）２Ｆｅ１７Ｃｘ，利用＾５７Ｆｅ穆斯堡尔谱分析了７７Ｋ和室温下化合物中各铁晶位及平均超精细场随碳含量的变化，并研究了化合物的自旋再取向现象，自旋再取向温度随碳含量增加而升高。     

Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金的结构、磁致伸缩和M(o)ssbauer研究

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95 (T = Mn, Fe, Co, B, Al, Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属元素T替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、内禀磁致伸缩、自旋重取向的影响. 结果发现, 不同金属T替代Fe, Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金具有相同的MgCu2型立方Laves相结构. ⅢA族金属B, Al, Ga替代使磁致伸缩(s下降幅度较大, 同时发现Al, Ga替代使磁致伸缩容易饱和, 表明Al, Ga替代可降低 Tb0.3Dy0.7(Fe1-xTx)1.95合金的磁晶各向异性, 而过渡金属Mn, Co替代Fe使Tb0.3Dy0.7(Fe1-xTx)1.95合金磁致伸缩λs 下降幅度较小; 不同替代金属元素, 对内禀磁致伸缩(111有不同的影响. M(o)ssbauer 效应表明, Al, Ga 替代使 Tb0.3Dy0.7- (Fe0.9T0.1)1.95合金的易磁化方向在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴, 即自旋重取向, B, Mn, Co替代未使易磁化轴发生明显转动.     

Nd_3Fe_(29-x)Ti_x(x=1.3～2.0)化合物的成相范围及其温度特性(英文)

用热磁测量和X -光衍射谱研究了Nd3Fe2 9-xTix 化合物的成相范围及其温度特性 .研究发现 ,x =1.3～ 2 .0范围内的所有化合物都成单相 ,其晶体结构具有A2 /m空间群的单斜结构 .随着Ti含量的增加 ,晶格参数a ,b ,c几乎不变 ,而晶胞体积V略微增加 .每个样品都出现了自旋重取向现象 ,但自旋重取向温度Tsr和居里温度TC 几乎不随Ti的含量而改变 .     

稀土化合物RCuAs_2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究

通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数—温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.     

晶体场理论计算能量哈密顿矩阵中为零矩阵元的判别

分析了用晶体场理论计算晶体能级时所得到的能量哈密顿矩阵,总结了静电矩阵元、晶场矩阵元、自旋-轨道耦合矩阵元、Trees修正矩阵元和自旋-自旋耦合矩阵元中为零矩阵元的判别方法.     

Tb_(0．3)Dy_(0．7)(Fe_(0．9)T_(0．1))_(1．95)合金的结构磁性能、磁致伸缩和自旋重取向温度研究

本文系统研究了室温下Tb_(0.3)Dy_(0.7)(Fe_(0.9)T_(0.1))_(1.95)(T=Mn,Fe,Co,B,Al,Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属T替代Fe对晶体结构、磁性能、磁致伸缩和自旋重取向温度的影响。结果发现,不同金属T替代Fe,Tb_(0.3)Dy_(0.7)(Fe_(0.9)T_(0.1))_(1.95)合金具有相同的MgCu_2型立方Laves相结构。除Co之外,其它金属替代均使合金的点阵常数有不同程度的增大,而Curie温度有所降低。T替代Fe使合金的比饱和磁化强度增大。ⅢA族金属B,Al,Ga替代使磁致伸缩λ_s下降幅度较大,而且Al,Ga替代使磁致伸缩容易饱和,表明Al,Ga替代可降低合金的磁晶各向异性,而过渡金属Mn,Co替代Fe使合金磁致伸缩λ_1下降幅度较小,不同替代金属元素,对内禀磁致伸缩λ_(111)有不同的影响。同时还发现,替代使合金的自旋重取向温度略有下降。     

磁性化合物R2Fe17Nx（R=Er,Tm）自旋重取向的理论解释

用单离子模型计算了化合物R_2Fe_(17)N_x(R=Er,Tm)中稀土离子R~(3+)的磁晶各向异性稳定能随温度的变化关系。并考虑到铁次晶格的各向异性稳定能随温度的变化关系,成功地解释了化合物R_2Fe_(17)N_x(R=Er,Tm)中出现自旋重取向的现象。     

Tb_(0.3)Dy_(0.7-x)Pr_x(Fe_(0.9)Al_(0.1))_(1.95)合金的磁性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7-xPrx(Fe0.9Al0.1)1.95(x=0,0.1,0.2,0.25,0.3,0.35)合金中稀土元素Pr替代Dy对磁性、磁晶各向异性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱的影响.对磁化强度和磁致伸缩的测量发现,少量Pr替代有助于降低磁晶各向异性;随着替代量x的增多磁致伸缩减小,x>0.2时超磁致伸缩效应消失.然而,x=0.1时合金的磁致伸缩略大于没有替代的,而且磁致伸缩随磁场更易趋于饱和;同时发现,随着Pr替代量x的增加,饱和磁化强度和Curie温度单调下降,而内禀磁致伸缩急剧增大.多功能磁性测量系统PPMS的研究和Mossbauer效应表明,随着Pr含量的增加,合金中的易磁化轴可能在{110}面上绕主对称轴作微小转动,发生自旋重取向.与Al元素替代效应相比,Pr替代Dy对自旋重取向的影响相对较小.     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

测定f″_(Ga)的有效反常散射因数法

本文讨论用GaAs的有效反常散射因数来测定Ga在其K吸收限附近的f的方法,并用两组Bijvoet对的积分反射强度较好地求得了f。     

纳米复合稀土永磁体Pr9-xDyxFe84.4-yCoyGa1Mn0.6B5（x=0,1,y=0,8）的反磁化行为和磁粘滞性

用电弧熔炼法制备了Pr9Fe84.4 B5Mn0.6 Ga1和Pr8Dy1Fe76.4 Co8B5Mn0.6 Ga1合金铸锭,然后利用熔体快淬法获得相应的薄带样品.分析了起始磁化,反磁化过程及样品的磁粘滞性,结果表明,两样品在室温下表现为单一硬磁相磁化行为,在低温下表现为双相行为.Co和Dy的联合添加使软磁相的晶粒尺寸减小,而晶粒间交换耦合作用增强,样品的形核场增大.磁粘滞性研究表明,Co和Dy联合掺杂的样品磁粘滞系数的增大是由软磁晶粒大小的减小导致热激活体积增加而引起的.     

Ultrafast non-thermal control of magnetization by instantaneous photomagnetic pulses

The demand for ever-increasing density of information storage and speed of manipulation has triggered an intense search for ways to control the magnetization of a medium by means other than magnetic fields. Recent experiments on laser-induced demagnetization and spin reorientation use ultrafast lasers as a means to manipulate magnetization, accessing timescales of a picosecond or less. However, in all these cases the observed magnetic excitation is the result of optical absorption followed by a rapid temperature increase. This thermal origin of spin excitation considerably limits potential applications because the repetition frequency is limited by the cooling time. Here we demonstrate that circularly polarized femtosecond laser pulses can be used to non-thermally excite and coherently control the spin dynamics in magnets by way of the inverse Faraday effect. Such a photomagnetic interaction is instantaneous and is limited in time by the pulse width (approximately 200 fs in our experiment). Our finding thus reveals an alternative mechanism of ultrafast coherent spin control, and offers prospects for applications of ultrafast lasers in magnetic devices.     

非晶态合金Pd77.5Ag6.0Si16.5中含氢引起的内耗峰

用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.     

双相Nd_(4.5)Fe_(76.5-x)Ga_xCo_(1.0)B_(18)复合磁体制备工艺对剩磁影响

对影响双相纳米晶 Nd4 .5Fe76 .5- x Gax Co1.0 B18剩磁的工艺条件进行了实验研究 ,并给出了一些有意义的结果 ,为深入开展这一国内外所关注课题的研究打下了基础     

过渡金属掺杂CuGaS2的磁学性质

应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据Ga的位置.通过对稀磁半导体(DMS)磁性稳定性的研究,可以发现到:在Cr、Mn掺杂的CuGaS2中,DMS表现为铁磁状态,其居里温度将可能高于(Ga,Mn)As,其他过渡金属掺杂时,DMS则表现为反铁磁状态.并验算了一条判断DMS磁性状态的简单规律.     

B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。