巨磁电阻材料及应用

介绍了什么是巨磁电阻效应,以及由此获得的一种新型功能材料—巨磁电阻材料;巨磁电阻材料的不同类型,描述了其特性;此外还介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器的最新应用和开发,指出巨磁电阻材料在传感器等方面的应用也令人瞩目,有着广阔的市场前景.     

磁性金属多层膜的新颖特性-巨磁电阻效应

介绍了磁性金属多层膜中巨磁电阻效应的发现过程、特点和成因，并展望了巨磁电阻材料的应用前景。     

巨磁电阻应用的现状与展望

介绍了巨磁电阻材料在高密度读出磁头、磁传感器、磁性随机存储器等领域的应用。对今后应开展的研究和应用作了展望。     

巨磁电阻效应简述及其应用

巨磁电阻效应是近年来磁电阻领域的一项重要的发现,发展了将近二十多年。许多新型的磁电子器件因此应运而生,并对产业和经济产生了巨大的影响。文章简单介绍了巨磁电阻效应的发展和基本原理,并重点介绍了巨磁电阻效应在四个方面的主要应用。     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

颗粒膜中的巨磁电阻效应

纳米颗粒构成的颗粒膜具有巨磁电阻效应，其中的相元互不固溶，颗粒膜中的巨磁电阻效应与电子自旋相关散射有关，以界面散射的贡献为最大，并受到颗粒尺寸、体积百分数、退火及温度的影响。由于颗粒膜制备工艺简便，巨磁电阻效应在信息储存技术中有巨大应用前景，颗粒膜中的巨磁电阻效应引起了人们极大的兴趣。     

从物理发现到成功应用——兼谈2007年度诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻效应发现者

法国科学家Albert Fert和德国科学家Peter Grünberg因发现巨磁电阻效应(GMR)而获得2007年度诺贝尔物理学奖。通过介绍他们的突出贡献及该领域的其他相关重要工作,梳理了近20年时间里,巨磁电阻效应和隧穿磁电阻效应(TMR)从物理发现到人工制备和优化多种纳米磁性多层膜、磁性隧道结(MTJ)材料,以及被成功应用于计算机磁读头、磁随机存储器和多种磁敏传感器的发展历程,展现了该领域现阶段有重要应用前景的一些热点课题。     

多层薄膜的巨磁电阻效应及其应用

本文介绍了多层薄膜的巨磁电阻效应。由铁磁材料与非磁材料相间构成的厚度在几纳米的多层膜超晶格结构,具有特殊的磁电效应,在磁场作用下呈现电阻剧烈下降现象,即所谓巨磁电阻效应。该效应在硬盘磁头读出器、弱磁探测等方面具有广泛应用价值。     

巨磁电阻效应薄膜研究进展及其应用

由于巨磁电阻效应在基础研究上的重要意义及广泛的应用前景,在合金成分和膜／粒结构方面进行新的探索,寻找既具有低饱和场,又具有高GMR效庆的薄膜材料,已成为当前国际上磁性材料的研究热点之一,本文论述了电阻薄膜材料研究现状,发展前景及其在计算机硬盘读出磁头上的成功应用。     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了（NiFeCo)36Ag64颗粒膜，用四探针法测量了法入Co离子前后（NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化，用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分，实验结果表明：注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响，在相同退火温度下，注入离子可使GMR效应提高一倍以上，随着退火温度增加，颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小，在360℃下退火可获得10．2％的最大室温巨磁电阻效应。     

磁电阻材料的研究进展

磁电阻效应在基础研究上具有重要意义及广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高磁电阻效应的磁性材料已成为当前国际上材料研究热点之一.本文介绍了几种磁电阻效应以及磁电阻材料在高密度读出磁头、磁性随机存储器等领域的应用前景.     

颗粒膜的巨磁电阻效应

介绍了颗粒膜巨磁电阻效应的国内外研究现状及研究意义。由于颗粒膜巨磁电阻本身的科研价值和在磁记录、磁性传感器、磁随机存储器等方面的广泛应用前景，近十几年来国内外学对此进行了大量的研究。指出了颗粒膜研究的目标。     

M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

巨磁电阻效应的发现及其应用——2007年诺贝尔物理学奖评述

2007年度诺贝尔物理学奖授予法国国家科学研究中心的阿尔贝.费尔和德国于利希研究中心的彼得.格林贝格尔,以表彰他们在19年前各自独立发现了巨磁电阻效应,为现代信息技术的迅速发展所作出的奠基性贡献.文章仅就这两位科学家在巨磁电阻效应的发现及其应用方面的贡献进行评述.     

钙钛矿锰氧化物薄膜材料巨磁电阻效应的研究进展

本文简单介绍了巨磁电阻效应的基本原理,重点介绍了钙钛矿锰氧化物薄膜的巨磁电阻效应的研究现状,指出了钙钛矿锰氧化物薄膜磁电阻效应的潜在应用市场及亟待解决的问题。     

巨磁电阻材料磁电阻测量方法研究

介绍了利用ZDY型自动磁场成型机,电脑化X－Y记录仪,计算机,HSZ－1数字磁强计等仪器测量巨磁电阻材料电阻的方法,同时对高温及低温的测量装置进行了研究。     

Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.     

离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜.用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化.用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分.实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上.随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应.     

磁性多层膜巨磁电阻效应理论

简要概述了磁性多层膜结构巨磁电阻效应的现有主要理论。对唯像理论、Boltzmann输运方程理论和量子理论的相关工作进行了总结评述。     

SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究

对Ｓｍ２／３Ｓｒ１／３ＭｎＯ３＋δ巨磁电阻材料样品在７７Ｋ至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量，结果显示，正电子平均寿命τｍ随着温度的降低在２００￣１５０Ｋ温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降，这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增另，表明了电子的离域化。