基于MO-CCCDTA的电控调谐电流模式多相位正弦振荡器

提出了一个电流模式多相位正弦振荡器,电路能产生n(n为奇,亦可为偶)个等幅度、等相位差的电流输出,电路使用多输出电流控制电流差分跨导放大器和接地电容,输出阻抗高,振荡频率高,容易集成,而且振荡频率和振荡条件可独立地电控调节.计算机仿真证明所提出的电路正确有效.     

Wien bridge电流模式正弦波振荡器的AOA实现

以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振荡频率和输出幅度可独立的调谐;振荡频率和输出幅度与负载大小无关;振荡频率受寄生电容影响小,输出频率的精确度、稳定度高,电路比较简单,既适合分立电路使用,亦适合VLSI单片集成。计算机仿真证明该设计正确.     

基于平衡运放的电压模多相位正弦振荡器

为了获得高精度、高稳定性、易集成的电压模式多相位正弦振荡器,以平衡运放及其同相和反相积分器为基础,给出多相位正弦振荡器.该电路能输出2组N(N为奇,亦可为偶)个等幅度、等相位分布的正弦输出,无源灵敏度低;振荡幅度与振荡频率可独立调节;所有电容接地,适宜集成.计算机仿真结果与理论分析一致.     

基于CFA+的正弦振荡电路设计

采用2个电流反馈放大器、2个电容和4个电阻,设计一种基于电流反馈放大器(Current Feedback Amplifier,简称CFA)的正弦振荡电路,分析了振荡器起振条件和振荡频率,电路结构简单.理论分析与仿真结果表明该电路振荡频率稳定.     

基于Saber的高精度振荡器设计与仿真

本论文利用Saber电路仿真分析软件完成电容三点式振荡器电路的设计和分析。通过仿真进行振荡器参数灵敏度分析,对影响振荡器振荡频率的因素进行了探讨,并在分析结果的基础上,对振荡器电路的关键设计参数进行选择,完成振荡器电路的最终设计。仿真结果表明,该振荡器设计方案满足设计要求,易于起振,振荡频率稳定度高。     

基于MO-CCCDTA电控调谐电流模式比较器及其应用

提出将MO-CCCDTA应用于非线性区的思想.先分析MO-CCCDTA的开环电流特性,并给出电流模式单限比较器.后给出基于MO-CCCDTA的电流模式滞回比较器.最后以此为基础,给出一个电流模式方波振荡器及其电路参数.该电路仅由2个MO-CCCDTA和1个接地电容组成,因而适宜集成,振荡频率和幅度能独立地电控调谐.计算机仿真表明电路正确有效.     

基于MOS电容的压控振荡器设计

传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。     

用SC方法实现状态变量振荡器

本文说明了开关电容(SC)积分器和有源RC积分器的等效原理,以及SC网络的一些优点。这种网络除了便于采用MOS技术集成以外,还具有高精度和高稳定度的特点。文中给出两种SC状态变量振荡器电路,该电路的输入信号为钟脉冲,输出信号为取样—保持正弦波,振荡频率与钟脉冲频率成正比,且比例系数仅与电路中的电容比有关而与钟脉冲频率无关,因而在一定电容比下,不需改变振荡电路元件即可在很宽频率范围内改变振荡频率。给出了模拟实验结果,结果与所推导公式的理论值相符。     

一种温度不敏感频率可调锯齿波振荡器的设计

设计一种以双比较器型施密特触发器为核心的锯齿波振荡器,并对各部分电路的工作原理进行阐述.该电路利用基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电产生锯齿波,并可通过外部电阻调节振荡频率,振荡频率受电源电压及温度等环境影响较小,稳定性高.通过Hspice对电路进行仿真对其功能加以验证.     

电容三点式振荡器若干问题的讨论

通过电路分析的方法,对影响电容三点式振荡器的起振条件和振荡频率稳定性的因素进行了探讨,并由此提出了电流负反馈电容三点式振荡器具有较稳定的振荡频率的结论。     

一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.     

谷值电流模式控制BUCK型LED驱动器

设计了谷值电流模式BUCK型LED恒流驱动器架构,采用双电容充放电的振荡结构分别实现开关管导通计时和最小关断计时,所设计的谷值电流控制器固有的振荡特性避免了振荡器的使用,减少电路实现的成本和复杂度。分析了系统的控制时序,引入前馈机制来调节开关导通占空比,大大减小输入电压变化对开关频率的影响。采用0．61μm30VBCD工艺利用HSPICE仿真验证了所提出的电路结构,仿真结果符合理论推导。     

低功耗低温漂的RC张弛振荡器

针对在物联网设备中使用的电阻电容(RC)张弛振荡器低功耗低温漂的需求,通过将RC张弛振荡器中的参考电压产生电路和自偏置电流产生电路复合使用,简化电路结构,减小供电电压和偏置电流,降低电路的功耗.采用水平级联的共栅共源结构、反相器链及时钟电压自举结构,减少温度变化对延时及振荡频率的影响.采用串并联电阻网络减少因电阻工艺偏差导致的影响,并将该电阻网络配置成正温度特性,以平衡RC时间常数和比较器延时的温度依赖性,提高振荡频率的温度稳定性.仿真结果表明:本文RC张弛振荡器的振荡频率为1.2 kHz,功耗和温漂系数分别为1.351 nW和139×10-6/℃,与典型RC张弛振荡器相比,其功耗和温漂性能均有显著的提升.     

KHN滤波器频率特性的进一步研究

提出了一种能同时或能分别实现低通、高通和带通滤波的多功能KHN滤波器,通过调节其电阻比,其电路也能被修改成一个正交振荡器,而且其电路的极点频率和品质因数能够被独立地,精确地调节.该电路使用了3个集成运放、2个电容和9个电阻,且使用的元件较少,性价比高,计算机仿真证明它正确有效.     

一种电流模式方波/三角波发生器

为解决普通方波/三角波工作频率有限、占空比不能调节等问题,采用多端输出差分电压电流传输器(MO-DVCC)为有源器件提出了一种电流模式方波/三角波产生电路,该电路结构非常简单,仅由1个电流模式施密特触发器、1个电流积分器和1个可调电流源构成,所有器件均接地,非常便于集成实现。该电路的振荡频率能够由接地电容实现独立控制,占空比能够通过外接可调电流源实现电动调节。Pspice仿真结果验证了电路的正确性。     

采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上，采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的GaAs FET振荡器，并考虑了该振荡器的偏置电路，结果表明，该振荡器具有大于1000的外部品质因素；在振荡频率为11．85GHz，输出功率为70mW时，其效率为20％，大于1000MHz的调谐范围，用同样的微带电路形式，用5种不同的介质谐振器可以得到9－14GHz的振荡频率，在－20℃-60℃温度范围内可以得到低于150kHz/℃的高频率稳定度。     

电子手表中的CMOSIC晶体振荡器的分析

CMOSIC晶体振荡器是一种新颖的振荡器。本文讨论了它的直流偏置电路、交流等效电路,详细地分析了它的振荡平衡条件、振荡频率及其稳定度,并提出如何选择振荡器的参数及应采取的措施。     

基于四OTA正弦振荡器的系统综合法

根据OTA和零-镜元件的端口约束关系,给出SISO-OTA的4个零-镜描述.以此为基础,利用导纳矩阵扩展法实现了OTA正弦振荡器,它使用4个SISO-OTA,共有16种不同形式.由于使用了规范数目的元件,所有电路容易被集成;电路的振荡条件和振荡频率能独立地电控调节.计算机仿真结果与理论一致.     

基于MDDCC的通用型电流模式滤波器

为实现比第2电流传送器(CCII:Current Conveyor II)更具通用性、运能力更强的模块电路, 提出了一种结构简单性能优良的改进型多输出差动差分电流传送器(MDDCC:Modified Differential Difference Current Conveyor),并给出了由该电流传送器实现的通用型电流模式滤波器.该滤波器由3个MDDCC和7个无源元件构成,可实现二阶低通、高通、带通、带阻和全通滤波的功能;且可以多端输出,电路中电阻电容全部接地,适于全集成.中心频率和品质因数的无源灵敏度低,实现了面向实际电路完成 MOS管级的PSPICE仿真,结果表明,所提出的电路方案是可行的.     

一种超低功耗高精度的RC振荡器设计

为了满足电子系统对时钟源功耗和精度的要求,设计了一种超低功耗高精度的RC振荡器电路.电路利用恒流源对电容充电的方式实现振荡,输出的时钟频率为32 kHz.首先,电路通过电流复用的方式,降低了整体的功耗;其次,通过电路内部集成数字修调结构,提高了输出频率的精度;同时,电路设计有启动和防死锁的功能,保证了电路的安全性.电路采用和舰0.11μm的工艺进行流片,典型情况下电路的整体功耗仅为160 nA;在修调后由电压和温度变化引起的频率偏差分别在±0.56%和(-1.8%)-(+0.44%)以内;且电路可以在2-5.5 V的电压范围内正常工作.