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相似文献
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1.
一、有意义的π电子化学理论有机化学的历史始于19世纪中叶合成染料的问世。当时为了合成天然色素而进行常规试验,结果得到了许多品质优良的染料,这一意外的成就丰富了早期物理化学的理论。到了20世纪后,合成化学和理论化学在物理学光吸收理论和量子化学形成的基础上得以确立,从而进一步地促进了近代有机化学的发展。今天,许多尖端技术的基本理论相继从物理学的领域中  相似文献   

2.
高效非线性有机材料MHBA单晶的光学性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
张囡 《科学通报》1992,37(15):1432-1432
我们利用分子工程法,设计、探索出了一种新型有机非线性光学材料三—甲基四—羟基苯甲醛。本文对MHBA单晶的结构特点、红外到紫外光透过率、光损伤阀值及其折射率变化等光学性能进行了全面研究。 三—甲氧基四—羟基苯甲醛,简称MHBA,分子式为C_6H_8O_3。利用改进的Hobden育  相似文献   

3.
有机加合物(3,5DNBA·PMAPh)非线性光学晶体的结构测定   总被引:2,自引:0,他引:2  
郑吉民 《科学通报》1993,38(16):1476-1476
有机晶体作为非线性光学材料的研究是80年代以来开始盛行的,由于有机非线性光学晶体比无机晶体具有较大的非线性系数,高的抗光损伤阈值,响应速度快等特点受到人们重视。目前文献报道的有机非线性晶体可分四类:1.尿素及衍生物,2.有接受电子集团π共轭体系的芳香族化合物,3.有机盐,4.金属有机化合物。文献报道目前粉末产生倍频效应的有机化合物不下一千种,而其中能生长出够测试尺寸10mm~3的单晶仅几十种。上述四  相似文献   

4.
非线性光学材料是现代激光技术、光学通讯光子计算和动态成像等高新技术产业中重要的基础物质[1,2].目前广泛使用的非线性光学材料是以BBO(β-BaB2O4),LBO(LiB3O5),KDP(KH2PO4)和LN(LiNbO3)等为代表的  相似文献   

5.
6.
二阶非线性光学系数与共轭分子链长的关系   总被引:1,自引:0,他引:1  
封继康 《科学通报》1992,37(2):136-136
有机共轭分子由于其非定域的π电子体系常呈现大的非线性光学响应。共轭链长是影响其非线性光学系数的重要因素。 本文用量子化学方法研究了共轭链长对一系列有机分子二阶非线性光学系数的影响,所选的分子为:NEPEA—nn'(n+n'=0,1,2)和NPEPA—m(m=1,2,3),其化学结构如图1所示。在这2个系列中把苯环的贡献看作2个乙烯π键,则在胺基和硝基之间的π键数N_π从2变化到7。  相似文献   

7.
有机加合物非线性光学新晶体——甘氨酸间硝基苯甲酸   总被引:3,自引:0,他引:3  
郑吉民 《科学通报》1993,38(19):1767-1767
有机非线性光学晶体具有二阶非线性光学系数大、光损伤阈值高和响应速度快等特点,因此受到人们的青睐。目前文献报道的有机非线性光学材料大体上分为4类:1.脲及衍生物;2.芳香族化合物;3.有机盐;4.金属有机化合物。在这几类有机非线性化合物中,除有机盐外,其它3类化合物中绝大多数仅从粉末测试中得知SHG效应,而难于生长出单晶体。  相似文献   

8.
双层有机电致发光器件中电场分布对载流子复合区的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了可溶性PPV衍生物薄膜在双层结构器件中的电致发光以及有机层厚度对器件发光性能的影响。对于不同厚度的Alq3电子传输层,器件的发光光谱随着电压的增加出现不同的变化规律。  相似文献   

9.
120世纪信息材料与器件的发展历程在信息时代,代表国家综合实力,作为国家支柱产业之一的信息高技术产业一直受到世界各国的高度重视。信息产业的发展依赖于显示技术、激光技术、存储技术以及调制技术等方面的进步。而这些技术的发展伊始都是以无机材料为基础的。如发...  相似文献   

10.
朱钦程  安明慧  丁然  冯晶 《科学通报》2021,66(22):2845-2860
有机单晶半导体材料由于分子排列有序、高稳定性和高载流子迁移率等优点,成为一类具有应用潜力的光电子材料,在光电器件领域获得了广泛的应用.特别是其弥补了无定形态有机薄膜在热稳定性和载流子迁移率等方面的不足,有机单晶在有机电致发光器件(OLED)方面展现了潜在的应用前景.有机单晶OLED器件从最初的点发光到成功实现了面发光,...  相似文献   

11.
12.
a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质   总被引:2,自引:0,他引:2  
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO2超晶格。利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析,并采用多种光谱测量手段,如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱,对该结构的光学性质进行了研究。结果表明,随纳米Si层厚度的减小,Raman峰发生展宽,吸收边以及光荧光峰发生蓝移。用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质。这一结果较多孔硅的相应值大两个量级。还对影响非线  相似文献   

13.
张振华  杨中芹  袁剑辉  邱明 《科学通报》2007,52(10):1212-1215
在两金电极间置于空间对称的苯硫(PDT)分子构成一分子器件模型, 并通过移动其中一电极变对称接触为非对称接触. 利用第一原理方法研究了该器件的输运性质, 结果表明, 器件的I(G)-V特性相对偏压极性有显著的非对称, 其电流及电导的大小明显地依赖于分子与电极的接触距离, 即非对称接触能导致器件伏安特性的弱整流效应. 分析表明最高占据分子轨道(HOMO)是器件的共振隧穿轨道, 偏压作用使器件充电进而移动HOMO是I(G)-V非对称性的内在原因.  相似文献   

14.
15.
张天莉  严继民  刘云圻  朱道本 《科学通报》1998,43(21):2282-2286
利用AMI量子化学方法研究了叔丁基及硝基不对称取代酞菁的电子结构及非线性光学特性,结果表明双取代酞菁的二阶非线性光学系数β大于单取代物的,拉电子取代物的β大于推电子取代物的,其中硝基连在中心有H的一端的单取代物具有较大的β值。值得注意的是,取代酞菁都具有很大的二阶非线性光学系数,数量级已达到10~(-28)(一般的为10~(-32),其中β值最大的叔丁基硝基取代酞菁β值为-9.69×10~(-28)esu。  相似文献   

16.
近年来,随着柔性和可穿戴电子设备的发展,人们对可拉伸设备的需求不断提升,促进了可拉伸电子器件的快速发展.可拉伸显示器在可拉伸电子设备中起到信息传递和人机交互的作用,是可拉伸电子设备的重要组成部分.可拉伸发光器件作为可拉伸显示器的核心组成部分之一,受到广泛关注.随着材料、工艺和器件结构设计的不断发展与进步,可拉伸发光器件的研究得到快速发展,多种策略被开发出来用于实现器件的拉伸性,且器件性能显著提高.其中,基于褶皱结构的可拉伸有机电致发光器件因其优异的光电性能和机械拉伸性而在可穿戴电子设备、电子皮肤、智能服装等领域展现出较大的应用潜力,成为制备可拉伸显示器的候选器件之一.本文对基于褶皱结构可拉伸有机电致发光器件的研究进展进行综述,首先介绍了褶皱结构的形成机制及相关的理论,然后对褶皱结构型可拉伸有机电致发光器件按照拉伸维度和褶皱有序性进行分类,总结了不同类型器件的设计思路、制造方案和器件性能特点.最后,简要讨论了褶皱结构可拉伸有机电致发光器件存在的一些挑战及对未来的展望.  相似文献   

17.
袁多荣 《科学通报》1991,36(2):151-151
二氯三丙烯基硫脲合汞(Hg[C_4H_8N_2S]_3Cl_2,ATMC)是一种全新的有机金属络合物,是我们依据双重基元结构模型的理论思想,利用粉末筛选实验,设计、合成、探索出的一种新型非线性光学晶体材料,半定量粉末倍频效应为尿素的3倍。本文简要地报道了这种新材料的单晶生长、结构及性能的研究。  相似文献   

18.
刘志斌 《科学通报》1995,40(14):1268-1268
卟啉、酞菁和它们的衍生物具有离域的大π键,易于分子组装,并对化学和热有较好的稳定性等优点,以及有可能在光存储和光学器件等方面得到应用.因此,有关它们光学非线性方面的研究比较多.然而,以共价连接的卟啉-酞菁二元分子的三阶光学非线性,尤其是它们的三阶光学非线性极化系数X~(3)值同连接卟啉、酞菁分子链长的关系报道甚少.另外,对卟啉-酞菁二元分子激发态弛豫过程的研究,有助于我们对光合作用中“特殊对”性质的了解,以  相似文献   

19.
针对目前对于半导体光放大器中的超快相位特性缺乏深入的理论分析、相关的物理机制还不清楚的现状,采用数值方式对半导体光放大器中的超快相位特性进行了详细的理论分析与解释.通过分析载流子加热、光谱烧孔等带内超快物理效应与载流子消耗等带间效应对相位贡献的物理机制的不同,并考虑到脉冲能量在相位响应中的作用,研究了半导体光放大器的相位响应特性.在分析相位响应特性的基础上,进一步解释了相位响应与增益响应存在时间延迟的原因,分析结果与已报道的实验测量结果相吻合.理论分析结果能够为超快光信号处理,如光波长、全光逻辑、光波长转换、光分插复用等提供理论指导.  相似文献   

20.
a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO2 超晶格. 利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析, 并采用多种光谱测量手段, 如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱, 对该结构的光学性质进行了研究. 结果表明, 随纳米Si层厚度的减小, Raman峰发生展宽, 吸收边以及光荧光峰发生蓝移. 用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO2 超晶格结构的非线性光学性质. 这一结果较多孔硅的相应值大两个量级. 还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论.  相似文献   

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