用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.     

ZnO表面光伏行为的Kelvin探针表征

利用Kelvin探针通过测量电子功函数来表征半导体表面光伏行为及其能级结构特性.首先由Kelvin探针测量原理建立了表征表面光伏行为的理论方法,然后用CVD法在Pt基底上制备了ZnO半导体薄膜,再利用紫外光作为激发光源实现光伏效应,最后应用Kelvin探针表征其光伏行为的演化过程.     

电缆导体电阻和电阻率误差原因分析

本文通过对电缆导体电阻和电阻率的解释,分析了导体电阻和电阻率测量时产生误差的原因,以及有效减少误差的正确措施,对电缆检验人员和企业技术人员有较强的现实意义和较好的指导意义.     

电流表、电压表示数之变化

当电路发生变化时(合上某开关、断开某开关、移动滑动变阻器或短路某一用电器等),电路中的电流表、电压表的示数将如何变化,是教学的难点,根据多年的教学经验总结出了基本规律:局部电阻的变化→总体电阻的变化→干路(或总体)电流的变化→某一定值电阻两端电压的变化→另一部分导体两端的电压变化→通过某部分导体的电流强度的变化.     

切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究

本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在(111)切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明:硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑。该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间电荷区性质的工具。     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

气敏半导体矿灯式瓦斯自动报警器

瓦斯是煤矿安全生产的主要威胁之一,目前国内煤矿中瓦斯的检测方法多半采用接触燃烧传感器,或光干涉测量仪.我们参考国外近年来半导体气体传感器的研究结果^[1~4],利用SnO₂半导体敏感元件作瓦斯传感元件,安装在矿灯上,研制了一种矿灯式瓦斯自动报警器.     

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.     

电缆导体电阻和电阻率误差原因分析

本文通过对电缆导体电阻和电阻率的解释,分析了导体电阻和电阻率测量时产生误差的原因,以及有效减少误差的正确措施,对电缆检验人员和企业技术人员有较强的现实意义和较好的指导意义。     

一维关联电子系统中的近藤问题

本文主要研究了一维导体中的磁性杂质问题。具体系统包括拉廷格液体系统、一维铁磁系统、半金属系统和自旋梯子系统等。对关联所导致的鬼自旋现象及量子相变等问题进行了探讨。     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

PbSrTiO3铁电薄膜隧道结的I-V特性

报道了对用射频磁控溅射法制备的钛酸锶铅(PST)薄膜隧道结进行的I-V特性的测量,发现有负阻现象,并首次用表面等离激元和极化波理论对此作了解释.     

上游泵送机械密封液膜刚度的计算与分析

基于N-S方程和连续性方程,并用PH线性化及迭代法,对于上游泵送机械密封两端面间液膜流场的广义雷诺方程进行求解,并利用Maple程序计算在不同转速、压力、螺旋角、槽数、槽深下的液膜刚度。结果表明:随着螺旋角、槽数、槽深(几何参数)的变化,等温不可压缩流体条件下的液膜刚度随之发生变化,并且呈现非线性关系;随着介质压力、转速(工况条件)的增加,液膜刚度也随之增加,且呈线性关系。     

基于虚拟机的数据中心能耗测量

提出一种基于计算密集型与I/O密集型建立虚拟机动态能耗的数学模型方法.结合了设备运行状态参数，在模型功耗处于计算密集型时引入了虚拟机的CPU使用率与CPU频率，处于I/O密集型时引入了虚拟机的硬盘读写总字节数与内存读写总字节数计算功耗，并对功耗进行积分得出数据中心能耗.与常规方法相比该方法进一步细化了测量粒度，且在使用Wordcount运行任务与Sort运行任务进行节点能耗测试时，得出能耗的平均误差为0.062 5.实验结果在粒度细化的同时保证了常规方法的同级别测量精度.     

用Logistic方程拟合番茄(Lycopersion)产量累积曲线的研究

本文对44个番茄品种(或F_1)的产量累积曲线与产量构成曲线分别用Logistic方程与其微分方程进行了拟合,拟合的精确性用相关指数R、R_1度量。用Logistic方程拟合番茄产量累积曲线其相关指数(R)在0.99035742—0.99934475之间,用其微分方程拟合的产量构成曲线,其相关指数(R_2)在0.72469047—0.98656061之间。本文对这两种方法拟合的结果进行了比较。本文还给出了这44个番茄品种(或F_1)的t_(A/2)值,并提出t_(A/2)值可作为番茄熟期的指标。     

工学结合人才培养模式若干问题及对策

阐述了工学结合人才培养模式在我国推广应用中存在的若干问题,在此基础上提出了一些对策以及推广该模式的保障机制,以期进一步完善与推广工学结合人才培养模式,培养出高质量技能人才。     

三维复杂运动模式航迹推算惯性导航室内定位

在微机电惯性测量单元(micro-electro-mechanical system-inertial measurement unit, MEMS-IMU)人体室内定位技术研究领域中,行人航迹推算法(pedestrian dead reckoning, PDR)具有计算简便、对传感器精度要求低的优点,得到了较为广泛的应用,但传统的PDR 研究通常只针对单一的二维前进行走运动模式,这与人体实际的三维复杂运动模式相距甚远. 该文从人体三维室内定位研究角度出发,通过10 轴MEMS 传感器采集人体运动原始信息,提出了三维复杂运动模式航迹推算法. 首先使用双零点交叉区间内的峰值双轴检测法与俯仰角检测法来检测5 类非行走运动模式,排除其对有效跨步检测的干扰;其次使用相位反转法与气压值突变法区分3 类行走运动模式,提取出不同类型的有效跨步;最后针对每一个有效跨步求解出人体位置的三维坐标值,完成人体三维室内定位. 实验表明,所提出的三维复杂运动模式航迹推算法在人体实际室内运动中,相较传统的峰值检测和零点交叉法PDR,水平定位精度提升了99%,并且高度定位精度可以达到92.4%.     

平面汞膜电极恒电位阳极溶出极限电流方程式的推导和实验验证

本文推导出膜电极恒电位阳极溶出极限电流方程式,以平面厚汞膜电极对该式进行了实验验证。实验结果与理论式基本相符。