The Relation between the Sensitivity and HeatingVoltage of ZnSnO 3 Gas Sensor

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明,元件灵敏度随加热电压的变化而变化．当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时,灵敏度不变;当加热电压大于３倍ＶＨ０时,灵敏度降低,元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验,找出了气敏元件灵敏度降低的原因．     

高选择性NH3敏元件

以化学沉淀法制备的ＷＯ３微粉作为气敏基体材料，以Ａｕ２Ｏ（或ＨＡｕＣｌ４）及ＮＨ４ＶＯ３为主要掺杂剂制成的气敏元件对ＮＨ３具有较高的灵敏度和优良的选择特性     

气敏电阻特性与加热电压关系的自动测量

本文给出了一种利用积分运放按一定速率产生自动线性增长的电压Ｖ＿Ｈ（ｔ）对气敏电阻热丝加热，同时用函　数记录仪描绘其工作电流Ｉ＿ｇ随Ｖ＿Ｈ（ｔ）的变化曲线的测量方法。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

提高气敏元件灵敏度及选择性的研究

通过向元件内掺入不同的杂质或在表面涂敷有机膜，提高了ＬａＦｅＯ３乙醇乙气敏元件 灵敏度，阐述了用Ｐ型γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件和Ｎ型ＬａＦｅＯ３气敏元件构成补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件，结果表明，上述办法提高了元件的灵敏度及选择性。     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。     

石英谐振式NH_3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件．实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有良好的选择性．     

一种抗汽油干扰的实用型酒敏元件及其掺杂特性

介绍一一种抗汽油干扰的，电阻适用的ＳｎＯ２其酒敏元件及其气敏特性，找出了掺Ｓｂ２Ｏ３，ＣａＯ后元件的电阻变化的一些规律。     

多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制

以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。     

MSnO_3系气敏材料研究(Ⅰ)CdSnO_3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＣｄＳｎＯ＿３气敏陶瓷的制备及气敏特性，研究表明，微细ＣｄＳｎＯ＿３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及？…

报道了ＣｄＳｎＯ３气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明，微细ＣｄＳｎＯ３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

稀土氧化物阴极的YSZ固体电解质燃料电池的制备

以稀土复合氧化物Ｌａ＿０．７Ｓｒ＿０．３ＣｏＯ＿３为阴极材料，ＹＳＺ为电解质，Ｐｔ为阳极，组装了Ｈ＿２－Ｏ＿２燃料电地．测试了电地的Ｖ－Ｉ特性曲线．结果表明，在１０００℃时电池的开路电压为１．０８Ｖ；最大输出功率密度的工作电压为０．５４Ｖ，电流密度为１５０ｍＡ／ｃｍ￣２．     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

低温选择性硫化氢气敏元件的研制

采用均匀沉淀法合成了ＺｎＳ半导体气敏材料，用Ｘ射线衍射和透射电镜确定了合成材料的物相和微观结构；用静态配气法测试了合成材料在低加热功率下对Ｈ２Ｓ气体的灵敏特性。实验结果表明：硫代乙酰胺直接水解法制备的ＺｎＳ在低温对Ｈ２Ｓ具有好的灵敏度和选择性。     

CO气体敏感元件的研究

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ２材料和γ－Ｆｅ２Ｏ３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ２．ｌｎＯ３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

CO气体敏感元件的研究①

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ＿２材料和ｙ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ＿２Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

新试剂6-(2-羟基-4-二乙基氨苯偶氮)-2,3-二氢-1.4-酞嗪二酮的电化学发光研究

应用自制的ＥＣＬ－１型电致化学发光仪，对新试剂６－（２－羟基－４－二乙基氨苯偶氮）－２．３－二氢－１，４－酞嗪二酮（ＨＤＥＡ）在Ｎａ２ＣＯ３－ＮａＨＣＯ３缓冲介质中的电化学发光行为作了研究．结果发现，当介质ｐＨ值为 １０．５４时，在一定的实验条件下，施加 １．７Ｖ （ＶＳ．ＳＣＥ）三角波脉冲电压，体系的发光强度与ＨＤＥＡ浓度在５．０ × １０－９～１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，反应的检测限达１．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ．     

微波水热法制掺铈SnO_2纳米气敏材料及其性能

采用微波水热法制备SnO2纳米粉体,应用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对粉体进行结构表征和微观形貌观察;以所得粉体为原料制备厚膜气敏元件,对其进行气敏性能测试。结果表明:铈离子(Ce3+)的掺杂对SnO2晶粒的生长有抑制作用,掺杂后颗粒粒径约为50 nm;前驱体煅烧温度为700℃时,Ce3+的掺杂可改变SnO2气敏元件对某些气体的灵敏度,当工作温度为370℃时,掺杂x(Ce3+)=5%的气敏元件对乙醇的灵敏度达到20.5,对丙酮的灵敏度达到22,均高于未掺杂Ce3+的气敏传感器的灵敏度;Ce3+的掺杂可以降低厚膜气敏元件的本征电阻,提高其工作稳定性。     

电容型 CO_2 气敏元件的研制

研究了以粉末冶金技术制备的四方晶型ＢａＴｉＯ３粉为主体原料，机械均匀掺杂一定摩尔配比的高纯ＣｕＯ粉体，获得电容型气敏元件的可能性．实验考察了元件温度、频率、浓度特性．结果表明所制元件对ＣＯ２气体呈现一定的敏感特性，该元件可测ＣＯ２气体浓度（体积分数）范围广（０～９５％），在低浓度０～５％范围内，元件灵敏度与ＣＯ２气体浓度呈线性关系，利于直接标定，是一种很有发展前途的新型气敏元件．