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Cd2O2S:Eu^3+的荧光光谱及晶体场计算 总被引:2,自引:0,他引:2
在21500cm^-1~11500cm^-1区间内测量了红色荧光粉Gd2O2S:Eu的室温(300K)及低温(77K)荧光光谱,认定了Gd2O2S:Eu^3+77K的122条谱线和300K的96条谱线的跃迁属性,利用^7FJ的实验能级并考虑到中间耦合和J混杂效应,对Gd2O2S中Eu^3+的晶体场进行了计算,得到了77K及300K时的6个晶体场参数及晶体中的7个“自由离子能量”参数,拟合计算的均方 相似文献
2.
若图G中去掉任何K条边后所得的图含有生成了图同构于G0,则称G关于G0是K边容错图,记为K-EFT(G0)图且边数尽可能小,则称G为最优K-EFT(G0)图,设Sn表示n点星,若一个最优K-EFT(Sn)图的最大度尽可能小,则称为(K,n)一极图,本文对于所有的K和n,表征了最优K-EFT(Sn)图和(k,n)-极图的结构。 相似文献
3.
普通物理实验教材中,对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了Id=Ie(exp(eV/kT)-1)的解析公式,要求由实验结果求出指数e/KT,从而求出电子电荷e,或波尔兹曼常数k,并和理论值比较,考察实验误差。这种要求由于实际结果偏离解析公式较大,因而不尽合理,本文讨论了有关实验结果,并对上述结论作了必要的说明,最后建议对该实验的要求作合理的调整,即要考察V-A的一般关系。 相似文献
4.
面向对象程序设计风格和逻辑程序设计风格有其各自的优点和局限性.本文利用SCKE范例的特性,在其中嵌入了常识知识表示模型LXZ,为大型软件(特别是基于知识的软件)系统的设计提供了一个较有效的环境. 相似文献
5.
用量热滴定法研究了水溶液中葡萄糖酸根的质子化反应,在298.15K及0.1mol/L(NaCl)离子强度下,得到了该反应的平衡常数Ka和热力学参量△H、△G及△S. 相似文献
6.
在3-(二甲氨基)丙胺(DPA)催化下,对硝基苯磺酰基乙腈与芳香醛发生Knoevenagel缩合反应,生成2-(4-硝基苯磺酰基)肉桂腈类化合物,产率83%-98%,用元素分析,IR,^1HNMR和MS等方法对产物进行结构鉴定,确证得到了上述结构的化合物。 相似文献
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自适应网FSK解调方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于自适应滤波算法的解调频移键控(FSK)信号的方法—自适应解调方法队(ADEM).文中以常用的最小均方误差自适应算法(LMS)为例,讨论ADBM对低速数据FSK信号的解调过程及其性能.实验结果表明,ADEM具有抗干扰性强、输出响应快、便于用数字信号处理(DSP)技术实现等特点,并且易于推广应用.关键词 相似文献
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MKdV方程和SG方程是描述非线性波动具有代表性的两个重要方程。本文通过对这两个方程进行小振幅下的Fourier展开分析和呼吸子解分析,得出在小振幅慢变位相情形下都满足非线性Schrdinger方程,从而揭示了非线性波动方程的一些共同特性和内在联系. 相似文献
10.
MKdV方程和SG方程是描述非线性波动具有代表性的两个重要方程,本文通过对这两个方程进行小振幅下的Fourier展开分析和呼吸子解分析,得出在小振幅慢变位相情形下都满足非线性Schrodinger方程,从而揭示了非线性波动方程的一些共同特性和内在联系。 相似文献
11.
以前,人们利用p-n结的正向压降VBE随温度而变化的特性,制作温度敏感器件.最近,国外研制集成化温度敏感器件,克服了单管温度敏感器件,E-B结压降一致性差,灵敏度不够高的缺点. 相似文献
12.
温差电材料室温热导率测试装置的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了半导体致冷材料在室温条件下热导率测试装置的制作原理及方法。本装置的特点是采用绝对稳态法测试,样品做得薄,侧面散热小,测试误差小。 相似文献
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扫描光荧光表征半导体材料特性 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征. 相似文献
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设计了一种测试物质相变点固、液相导热系数的新方法。采用该方法测试处于低相变曙度下的纯金属,合金,有机物和湿多孔材料相变时固、液相的导热系数,结果与文献数据或数值计算数据吻合较好,研究表明该方法用于研究物质相变温度下的热传导,以及相变点的热物性是可行的。 相似文献
16.
对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管,该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下,根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Jn和基区注入空穴电流Jps的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件,对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便,同时精度也较高,可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。 相似文献
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利用模板法制备了单根ZnO纳米线半导体器件,得到了具有欧姆接触的电极,对器件进行了湿敏测试,通过测得的I-V曲线及响应恢复特性曲线剖析其敏感机理. 相似文献
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QPSK全数字解调算法 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种新颖的数字信号处理算法,对QPSK信号的相位进行数字化处理,从而实现对QPSK信号的解调,文中还对这种算法的噪声性能进行了分析。该算法允许收发两端载波存在频差,无需用锁相实现收发端载波的同步,该算法的计算机模拟结果表明,它是一种有应用前景的新方法。 相似文献
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利用延拓矩阵范数的理论与性质,并结合矩阵范数与图像小波变换低频分量稳健性的特点,提出了一种低复杂度的无损水印方案.仿真结果证明,该方法具有计算简单,对于各种攻击均表现出很强的鲁棒性与安全性,并且不破坏图像数据等特点,是一种有效的版权保护方法. 相似文献