一类线性时滞控制系统的镇定

本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑_i=0^k (B_iu(t-r_i))+∫₁⁰ (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r₀ < r₁ < … < r_k=r<∞)).     

电磁场数值计算中奇异性的处理

本文对电磁场数值计算中经常遇到的一些奇异性问题进行了讨论.一般的处理方法是从积分域中挖去奋点r_s的一个小的ε邻域N_ε(r_s)当ε很小时这种方法能达到一定精度,但对ε的取值不能进行定量分析,本文的处理方法是积分域绕开奇点r_s然后将被积函数在奇点r_s处展开成级数从而获到奇点处积分的近似式和截断误差.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

用有限差分法计算圆柱形介质谐振器的谐振频率

任何电磁波系统中的场均应满足麦克斯韦方程.在圆柱坐标系(R,θ,Z)中,若圆柱形介质谐振器的中心轴与Z轴重合,则由麦克斯韦方程,可导出与θ无关的亥姆霍兹方程.     

三对角阵与其主子阵的特征值之间的偏差

本文考虑下列三个问题:估计d_l(λ)=min|μ_i-λ|的上界,其中μ_i(i=1,2,…,n)是B_n的特征值.     

压力对多晶PbMg1/3Nb2/3O3铁电体弥散相变的影响

在0~14kbar之间的不同压力下,测量了多晶PbMg_1/3Nb_2/3O₃铁电体的介电常数ε在-196℃~50℃温区内随温度变化的关系,并得到了在不同温度下较完整的ε-P关系.     

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

一个非线性色散方程孤波解的性质

大家知道具有松弛效应非均匀介质中的KDV方程为u_t+2au+(α+ax)u_x-6uu_x+u_xxx=0(1.1)     

用比色法测定固定化葡萄糖氧化酶活性的经验公式

用包埋法得到的固定化葡萄糖氧化酶,我们发现很难找到一个合适的体系,可用比色法从初速度测定它的活性.提出了一个模拟体系,并得到了该体系的吸收光密度与活性的校正曲线,以解析式A=A₀(1-e^-β[E])表示之.式中A为吸收光密度,[E]为葡萄糖氧化酶浓度(活性单位/毫升),A₀和β在给定体系下为常数.测得固定化葡萄糖氧化酶在该体系下的A值,便可从该式计算它的活性.     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

棱镜耦合器的输入耦合效率与入射波传播常数的关系

在集成光学实验中,为了正确地使用棱镜耦合器,有必要研究输入耦合效率η与入射波传播常数β_i的关系.     

SOS膜载流子迁移率的纵向分布

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.     

碳在Mn-Al-C永磁合金中的行为

用X射线衍射等方法研究了碳在Mn-Al-C合金中的行为.发现碳能提高强磁性相的稳定性、降低共析温度、影响合金相点阵参数和长程有序度,高C(>1%)合金还能析出碳化物相.本文从强磁性相的单轴应变、有序度、弥散碳化物以及晶体不完整性等几方面讨论了碳对磁性的贡献.实验研究了合金的潮解效应,提出了碳化物水解和次级裂纹产生的高碳合金的粉化机理.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.