计及电子自旋与磁场耦合的超晶格共振劈裂

研究了零电场和正弦电场作用下的磁量子结构中自旋电子的隧穿输运特性，结果表明，自旋耦合使得共振劈裂区展宽或压缩，且沿能量轴移动，考虑自旋耦合和正弦电场作用后，不改变周期结构的n-1重劈裂和Fibonacci准周期结构的自相似的特性，磁量子结构的调制磁场方向改变也会引起弹道电导的改变。     

半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

铁磁/半金属/铁磁隧道结中的自旋极化输运

运用量子力学的隧穿方法讨论一个铁磁/半金属/铁磁隧道结（FM/HM/FM）中的自旋极化输运和隧道磁电阻（TMR）.结果表明：当选定半金属材料自旋向上子能带呈现金属性时,自旋向上和自旋向下电子的隧穿系数都表现出共振隧穿特性.发现TP↑↑与a,u和Δm↓-Δm↑的取值无关,但随着这些量的增加,TP↓↓和TAP振荡逐渐加快,峰也变得更为尖锐,并且相邻峰之间的间距也逐渐变窄.更重要的是,当这些系数取值合适时,TMR值明显增大.可见,半金属材料对提高隧道结的磁电阻是十分有利的,只要选取合适的参数便能得到较理想的结果,从而有利于提高磁性存储器等磁性元件的性能.     

双势垒结构中电子共振隧穿几率的研究

运用转移矩阵方法,研究双势垒量子阱中的共振隧穿现象,讨论了隧穿几率随势垒宽度、势垒高度以及势阱宽度的变化关系.结果表明当势垒宽度或势垒高度增加时,隧穿几率变小,且当势垒高度增加时共振峰向高能方向移动;势阱宽度增加时,隧穿几率也变小,且共振峰向低能方向移动.在保持势垒和势阱不变的情况下,随着入射能量的增加,共振峰向高能方向移动.     

含三个含时点接触的量子输运

拓扑绝缘体的材料可大大提高计算机芯片的运行速度和工作效率,甚至可能会成为以自旋电子学为基础的下一代全新计算机技术的基石.拓扑绝缘体的边缘态展现出奇特的性质,电子在表面自由流动,不损耗任何能量.使用玻色化,重整化群,格林函数的方法从理论上研究了三个含时点接触存在对拓扑边缘态输运性质的影响.得到电流随偏压和温度变化的解析表达式,以及依赖于电子间相互作用幂指数变化规律.该理论提供了一种调控纳米结构中输运性质的手段.     

电磁波在薄膜界面反射透射的量子力学方法

平面电磁波垂直入射到介质界面时,电磁波满足的亥姆霍兹方程和边界条件与量子力学中粒子入射到势垒时的方程和边界条件具有相同的形式,因此也具有相同形式的解．其本质原因在于电磁波与微观粒子具有相同的波动属性．利用量子力学中势垒隧穿的方法讨论垂直入射的电磁波在薄膜界面上的反射和透射,以及电磁波通过光子势垒的光子隧穿．     

铁磁体半导体混杂纳米结构中的巨磁阻效应

研究了在常规GaAs半导体异质结表明沉积纳米尺度的金属铁磁体混杂纳米结构.由于电子隧穿在平行和反平行磁化构型透射几率完全不同,因此具有明显的巨磁阻效应.研究结果表明,系统的磁阻比例强烈地依赖于铁磁条上所施加的电压,可用作一个电压可调的巨磁阻器件.     

衬底偏压对磁溅射生长氮化碳薄膜的影响

采用非平衡磁溅射方法，在不同衬底偏压条件下，在Ｓｉ（００１）衬底上制备出氮化碳薄膜，实验发现，氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现，衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。     

非线性弹性杆中MKdV应变孤波的演变

本文利用微扰论方法,从连续谱方面详细研究了非线性弹性杆中的粘弹性阻尼对杆内纵向MKdV应变孤波传播的影响.结论指出:耗散的存在不仅使孤波的能量发生耗散,高度随时间变矮,速度减慢,而且在初时刻,孤波的后面会随时间逐渐生长出一个振荡形式的尾迹.     

透过磁垒的波矢相关电子隧道效应

本文首先简要推导特定非均匀磁场作用下二维电气气的薛定谔方程，其次对实际材料中产生的４种微观磁垒的等价ｑ－矢相关电子势进行了数值计算和讨论；     

外偏场对反铁磁膜静磁表面波能流偏转的影响

该文研究了在最一般情况下反铁磁膜线性静磁表面波的色散关系及上下支静磁表面波存在区间,考察了静磁表面波的色散随外偏置场Ｈ０大小和方向变化的情况,研究揭示了反铁磁膜上下支静磁表面波能流偏转受Ｈ０大小和方向控制在０℃￣９０℃范围内可调的特性。     

同步旋进电磁场在纵向均匀磁场自由电子激光中的作用和性质

本文为"纵向均匀磁场自由电子激光运行原理"能够在实际中有效地获得实现,提出同步螺旋准静电磁场和同步螺旋谐振腔电磁场作为纵向均匀磁场自由电子激光的两种能量补偿形式,提出同步螺旋静电场作为电子束起旋和解旋的形式,简明地论述了它们的作用、性质及其现实性.     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结中间绝缘层同TMR关系的研究

采用离子束和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性隧道结样品,主要研究了中间绝缘层对隧道结磁电阻效应的影响．结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象．为提高磁隧道结磁电阻性能做了实验尝试．     

铁磁薄膜中静磁表面波和体波的能流方向

铁磁薄膜波导中的静磁表面波和体波是色散的,波矢显示各向异性.一般,静磁波的能流方向与传播波矢非共线.文中研究分析了静磁表面波和体波的能流方向随频率和外偏置磁场方向的变化规律.     

涡流对反铁磁层间耦合侧向磁性超晶格推迟模的影响

使用等效介质理论研究层间有反铁磁交换相互作用存在的超晶格的推迟模.特别是,考虑传导电流和位移电流对推迟模的影响,给出了层间存在着反铁磁耦合的磁性超晶格的自旋波衰减随波矢k,外磁场H0的变化曲线.     

宽度非绝热变化量子线的电子输运性质

在自由电子近似下，利用散射矩阵方法研究了两端光滑连着电子库、宽度呈宽-窄-宽和窄-宽-窄非绝热变化量子线（量子波导）的电子输运性质，用Landauer-Biittiker公式解析地计算出了两种情况下系统电子透射率作为入射电子能量和系统几何参数的函数表达式，从而分析得出丁由于量子干涉产生透射极大与极小值时入射能量与几何参数所满足的条件关系并得到了数值验证，这种简单体系的精确解除有重要的基础性意义外，能为研究考虑各种相互作用、外场特别是含时外场作用下的介观电子输运问题提供一个“零级近似”的参考。     

双轴亚铁磁粒子中的量子位相干涉

本文研究了外磁场沿难磁化轴和中间磁化轴所在平面上任意方向时,亚铁磁颗粒中的量子位相干涉。     

自旋配对与化学成键

在化学键形成时并不是电子配对的结果,而是电子从能量较高的原子轨道转移到能量较低的成键的分子轨道上使体系能量降低的结果.因此,电子自旋配对不是共价键形成的原因,也不是先决条件,电子自旋配对只是双电子共价键的一个特点.