SiO_2分子受激喇曼散射的理论计算

本文利用群论方法计算了ＳｉＯ＿２分子受激喇曼散射的跃迁矩阵元，给出了受激喇曼散射的截面和增益系数，较好地与实验结果符合。     

吖啶橙染料吸附于银镜表面的共振喇曼散射

利用银镜体系研究了吖啶橙染料分子的共振喇曼散射及其特点,实验结果表明:稳定而增强的共振喇曼散射强度不仅与电磁效应有关,还与吸附分子内电子结构有关。吸附分子与金属表面间的能量转移对共振喇曼信号起稳定作用。     

表面增强喇曼散射与表面吸附分子的研究

本文综述了表面增强喇曼散射研究的概况。报道了在兰光作用下,金属表面吸附罗丹明6G分子的表面增强喇曼散射谱以及金属铜、铅表面对染料分子的吸附。     

新型纯转动喇曼激光雷达系统单色仪设计及分析

采用双光栅6级闪耀衍射分光方法,设计了一套高光谱分辨率、干扰光高抑制比的新型纯转动喇曼激光雷达单色仪系统,并对该系统的设计方案进行了计算和分析.结果表明,系统通过6级闪耀衍射分光能实现N2分子转动喇曼的单谱线信号提取,并且相对于5级闪耀衍射分光能更好地抑制强弹性散射光的干扰.     

近红外付里叶变换表面增强喇曼散射技术的有效性研究

近红外激发的付里叶变换喇曼光谱是近年来发展起来的一项新技术，它吸引了人们对其应用研究的兴趣．本文将该技术与表面增强技术相结合形成的付里叶变换表面增强喇曼散射（ＮＩＲＳＥＲＳ）技术应用于高荧光量子产额分子的喇曼研究中，获得了其高质量的ＮＩＲＳＥＲＳ谱．本文的目的是淬灭荧光，进一步提高喇曼灵敏度，获得研究具有强荧光干扰的生物药物分子的ＳＥＲＳ方法     

受激喇曼散射

本文以受激喇曼散射问题为中心,对非线性光学、受激喇曼散射、元激发的受激喇曼散射及喇曼散射的应用(包括喇曼激光器,喇曼光谱分析,产生近10~(-14)秒的超短脉冲以及在研究分子动力学方面的应用)等作了初步介绍。     

用激光喇曼光谱分析研究半导体中杂质

用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空间分辨力(几个μm~2),而且共振杂质喇曼散射有极高的检测灵敏度,可达10~(-9)的数量级。     

光纤受激喇曼散射的机理及对光通信的影响

介绍了受激喇曼散射(SRS)的机理,总结了受激喇曼散射的主要特点,着重阐述它对光纤通信系统产生的影响,并针对光纤通信中受激喇曼散射的串扰特性和自感受激散射,要求信道功率要尽可能小于阈值功率,从而克服受激喇曼散射光纤通信系统的影响.     

核黄素分子吸附在银溶胶表面上的荧光猝灭及喇曼增强

本文第一次在银溶胶体系中对口服药物核黄素(维生素B_2)做了表面增强喇曼散射(SERS)实验研究,观察到了荧光猝灭和喇曼增强现象,获得了利用一般喇曼光谱技术所无法得到的光谱结果.分析了金属小球的存在对光散射过程所产生的影响,解释了核黄素分子在自由状态和吸附状态下光谱性质完全不同的原因.指出了这种方法在光谱学上的应用价值.我们的实验结果充分显示了SERS技术可以作为荧光物质及药物分析的有力工具.     

银电极表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱

本文介绍了吸附于粗糙银电极表面的毗啶等四种喇曼活性分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱的实验研究工作及所得到的 SERS 光谱。研究了电极表面增强效应的淬灭、保存和再生条件。实验结果表明,电极表面的粗糙度对喇曼活性分子的喇曼光谱表面增强效应有较大影响,电极的外加电位对表面增强效应也有较大影响。最后,对SERS 光谱表面增强效应的起因进行了初步讨论。     

PS激光泵浦高压H_2的受激喇曼散射研究

利用脉宽20ps、脉冲序列能量约40mJ的锁模Nd:YAG线偏激光泵浦高压氢,在365至605nm范围内获得的70余条受激喇曼散射(SRS)谱线.经分析,这些谱线分别与氢的振动喇曼频移4156cm~(-1)和4144.2cm~(-1)的一些反斯托克斯(AS)谱线及由它们激励产生的各阶转动SRS谱线(转动喇曼频移为587cm~(-1))相对应.     

取向向列型液晶的VV—VH Raman散射

把只适用于各向同性系统的振动和转动相关函数分离理论推广到各向异性的取向向列型液晶中,并用MBBA在液晶相进行VV-VH实验,分离出振动和转动相关函数,分别研究其振动和转动弛豫。     

强激光受激转动喇曼散射的瞬态阈值理论计算

由半经典耦合方程出发,本文完整建立了均匀大气中准直激光传输时瞬态受激转动喇曼散射的阈值理论,讨论了激光脉冲波形、激光波长、气压等对瞬态阈值的影响。     

基于转动拉曼-米激光雷达拟合大气边界层内气溶胶光学厚度与PM2.5

提出一种利用转动拉曼-米散射激光雷达米弹性散射信号与转动拉曼散射信号比值来拟合大气边界层1 km以内气溶胶光学厚度与PM_2.5值的方法. 该方法消除了几何因子对近地面探测过渡区所带来的误差,而且消除了近地面大气湿度的影响,能够获得高精度的气溶胶后向散射系数,并在此基础上推导了气溶胶光学厚度（AOD）的计算方法,最后利用实验室转动拉曼-米激光雷达系统测量的2013年北京地区气溶胶数据,拟合获得了2013年北京地区冬夏两季AOD-PM_2.5经验公式.      

Compact, stable and efficient all-fibre gas cells using hollow-core photonic crystal fibres

Gas-phase materials are used in a variety of laser-based applications--for example, in high-precision frequency measurement, quantum optics and nonlinear optics. Their full potential has however not been realized because of the lack of a suitable technology for creating gas cells that can guide light over long lengths in a single transverse mode while still offering a high level of integration in a practical and compact set-up or device. As a result, solid-phase materials are still often favoured, even when their performance compares unfavourably with gas-phase systems. Here we report the development of all-fibre gas cells that meet these challenges. Our structures are based on gas-filled hollow-core photonic crystal fibres, in which we have recently demonstrated substantially enhanced stimulated Raman scattering, and which exhibit high performance, excellent long-term pressure stability and ease of use. To illustrate the practical potential of these structures, we report two different devices: a hydrogen-filled cell for efficient generation of rotational Raman scattering using only quasi-continuous-wave laser pulses; and acetylene-filled cells, which we use for absolute frequency-locking of diode lasers with very high signal-to-noise ratios. The stable performance of these compact gas-phase devices could permit, for example, gas-phase laser devices incorporated in a 'credit card' or even in a laser pointer.     

一种新的表面增强拉曼散射活性基底——在阳极氧化铝模板上用激光脉冲沉积制备镍纳米线

在制备出的阳极氧化铝模板上利用激光脉冲沉积法制得了直径为40nm～70nm的镍纳米线,将镍纳米线涂在栽玻片上作为基底,可以测得很强的苏丹红Ⅱ的表面增强拉曼散射光谱和尖端增强拉曼散射,扩大了表面增强拉曼散射的应用范围,也表明它存在着新的增强方式。同时,用密度泛函理论分别计算了苏丹红Ⅱ的拉曼散射与表面增强拉曼散射的频率。     

光纤拉曼放大器双瑞利散射噪声特性分析

分析了光纤拉曼放大器（FRA）双瑞利散射（DRS）噪声特性;给出了噪声在拉曼光纤中的传输模型,基于噪声功率分析,得到了信号瑞利散射噪声功率之比和功率代价的表达式,信号的DRS和原信号一起到达接收机,导致交调,使接收机的灵敏度降低。     

10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征,认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系,这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰,可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示,小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．本文还将讨论其它的有关的Ｒａｍａｎ峰