少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型

对少于ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型，以此模型为基础，导出该器件的ｈＥＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系，所得结果与实验数据符合较好。     

金属－氧化物－金属隧道结的光发射

报道通过改进制作工艺，将Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｕ隧道结的耐压增强到５．３Ｖ，发光外量子效率增强到８．２×１０（－４）均高过迄今见到的关于该类结的最高耐压和最高效率的报道。我们观测到了该发光结上的Ａｕ膜厚度对发射光谱形状的影响，观测到了该光谱的截止频率≈３．２６ｅＶ，峰值≈２．１ｅＶ，并提出了理论解释；特别是利用对该结表面所拍得的ＳＴＭ照片，首次将Ｌａｋｓ－Ｍｉｌｌｓ近似模型用于该光谱峰位的解释。     

Safety Features of Modular High Temperature Gas-cooled Reactors (MHTGR)

ＳａｆｅｔｙＦｅａｔｕｒｅｓｏｆＭｏｄｕｌａｒＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＧａｓ－ｃｏｏｌｅｄＲｅａｃｔｏｒｓ（ＭＨＴＧＲ）ＷｕＺｏｎｇｘｉｎ（吴宗鑫）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｒＮｕｃｌｅａｒＥｎｅｒｇｙＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖ...     

应用CIM—OSA方法进行CIMS设计初探

本文论述了ＣＩＭ－ＯＳＡ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｏｐｅｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）的内容及特点，详细介绍了齐齐哈尔第一机床厂在ＣＩＭＳ设计中应用ＣＩＭ－ＯＳＡ的构想。     

MgF_2薄膜器件的结构、导电和发光

通过蒸镀ＭｇＦ２薄膜制作了一种可均匀发射可见光的新型金属一绝缘体一金属结型发光器件。论证了它的内层结构、导电机理及其发光的物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在Ａｕ－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合。这一图象与该器件的电流－电压（Ｉ－Ｖ）、电流－温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致。     

National CIMS Engineering Research Center of China Brief Introduction

ＮａｔｉｏｎａｌＣＩＭＳＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｏｆＣｈｉｎａＢｒｉｅｆＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ￥／／ＴｈｅＮａｔｉｏｎａｌＣＩＭＳＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ（ＣＩＭＳ－ＥＲＣ）ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ...     

超导—阵列—超导（S—G—S）结Josephson低温隧道特性

本文在平均场近似下，应用路径积分新近似计算方法，对超导－阵更－超导（Ｓ－Ｇ－Ｓ）组成的隧道结构Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ低温特性作了研究。     

用G—L理论计算磁在Josephson隧道结中的穿透深度

该文用Ｇ－Ｌ理论计算得出磁场在Ｊｐｓｅｐｈｓｏｎ隧道结中的穿透深度值为λｊ＝」ｍｃ＾２／８πｅ＾２ ξ＾２００．７４＾２／ρ０ｃｏｓ（γ２－γ１）／２Ｔｃ／（ｄ＾２－ｘ＾２）（Ｔｃ－Ｔ０」＾１／２这一结果表明λｊ与空间位置Ｘ有关。     

DNA as Vacine or Therapeutic Against Cancer and Viral Infections

ＭｏｅｌｉｎｇＫ．ＰａｖｌｏｖｉｃＪ．ＳｃｈｕｌｔｚＪ．ＮａｗｒａｔｈＭ．ＰｅｔｒｚｌｋａＤ．（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｄｉｃａｌＶｉｒｏｌｏｇｙｏｆｔｈｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆｚｕｒｉｃｈ，Ｇｌｏｒｌａｓｔｒａｓｅ３０，ＣＨ－８０２８Ｚｕｒｌｃ...     

MULTIPARAMETERINVERSIONOFELASTICWAVEWITHSINGLEIMPULSESOURCE

ＭＵＬＴＩＰＡＲＡＭＥＴＥＲＩＮＶＥＲＳＩＯＮＯＦＥＬＡＳＴＩＣＷＡＶＥＷＩＴＨＳＩＮＧＬＥＩＭＰＵＬＳＥＳＯＵＲＣＥＣｈｅｎｇＪｉａｎｃｈｕｎＴａｏＸｉｕｐｉｎｇＷｅｉＹｏｎｇＺｈａｎｇＳｈｕｙｉ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｃｏｕｓｔｉｃｓａｎｄＬ...     

发光隧道结表面粗糙度的隧道显微镜研究

本文报道用扫描隧道显微镜(STM)在空气中观测淀积在1000A厚的CaF_2薄膜上的Al-Al_2O_3-Au在发光隧道结表面的研究成果。在观测中我们首次发现结表面的CaF_2薄膜呈现出横向相关长度分别为300-700A和30-50A的两种粗糙度;横向相关长度小的粗糙度被横向相关长度大的所调制。这种横向相关长度为30-50A的表面粗糙度的存在与Laks和Mills的表面随机粗糙隧道结发光理论的预期值一致。     

顶发射白光有机电致发光器件的优化

为满足大面积固态照明与全彩显示的需求,实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件,采用仿真和实验相结合的研究方法,模拟基于光学传输矩阵法和电磁场理论进行计算,用真空蒸镀法制备器件并测试其光电性能。确定传输层材料、厚度和结构,优化发光效率,逐步改进发光层结构,以改善器件的效率和颜色质量。结果表明,基于电学平衡的P-I-N传输结构和蓝/红/蓝三明治型发光结构,能实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件。     

生物组织光透射特性的理论与实验研究

该文利用所建立的测量激光在组织透射面上光强分布的实验装置,实验测得在不同分布的激光光源照射下,组织透射面上的光能分布,并进行了三维图重建,同时采用基于脉冲响应函数的Monte Carlo方法模拟了相应条件下仿生物组织样品透射面上的二维光场分布,模拟结果与实验结果具有很好的一致性,说明基于脉冲响应函数的Monte Carlo方法是处理复杂面光源照射条件下生物组织中光分布和传输问题的简洁、有效途径。     

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m²; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无
明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.     

抗菌素对明亮发光杆菌A_2发光的影响

本文研究了八种抗菌素(四环素、红霉素、卡那霉素、多粘菌素B、头孢霉素、抗霉素A、杆菌肽和博莱霉素)对明亮发光杆菌A_2(photobacterium phosphoreum A_2)发光的影响。其中四环素、抗霉素A和杆菌肽在低浓度时刺激细菌发光,然后随着作用时间的延长而逐渐抑制发光;较高浓度时则完全抑制发光,未见刺激发光。其余五种抗菌素则均表现为抑制细菌发光。抑制发光的程度随时间和所用浓度的高低而呈一定的依存关系。实验结果表明,抗菌素对发光细菌的影响作用还是跟它们各自的作用机制有关。本文还讨论了细胞质膜在细菌发光中的作用和呼吸抑制剂对细菌发光的影响的作用机制。     

抗菌素对明亮发光杆菌A_2发光的影响

本文研究了八种抗菌素(四环素、红霉素、卡那霉素、多粘菌素B、头孢霉素、抗霉素A、杆菌肽和博莱霉素)对明亮发光杆菌A_2(photobocterium phosphoreum A_2)发光的影响。其中四环素、抗霉素A和杆菌肽在低浓度时刺激细菌发光,然后随着作用时间的延长而逐渐抑制发光;较高浓度时则完全抑制发光,未见刺激发光。其余五种抗菌素则均表现为抑制细菌发光。抑制发光的程度随时间和所用浓度的高低而呈一定的依存关系。实验结果表明,抗菌素对发光细菌的影响作用还是跟它们各自的作用机制有关。本文还讨论了细胞质膜在细菌发光中的作用和呼吸抑制剂对细菌发光的影响的作用机制。     

聚合物电致发光二极管发光层中的电场分布

以单层聚对苯乙炔（PPV）薄膜发光二极管为例,研究其薄膜中的电场分布,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响,研究结果有助于揭示其发光机理,为提高发光效率提供了有益的启示。     

反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .     

GaN基二维八重准晶光子晶体制备与应用

针对半导体发光管（LED）器件普遍存在的出光效率低下的问题,首次采用聚焦离子束技术成功地在GaN基发光器件上制备了GaN二维八重准晶光子晶体（2D-8PQCs）结构。并将二维八重准晶光子晶体应用于电注入器件,当刻蚀孔径为600nm,空气填充因子为30％时,得到了表面出光效率高达2.5倍的增强。通过微区电致发光与发光图样的研究,证实二维八重准晶光子晶体结构抑制了导波模式的传播,将LED中导波模式耦合到辐射模式,从而起到改进表面出光的作用。上述结果为二维准晶光子晶体在GaN基发光器件中的应用提供了一种可能的途径。     

醇溶性聚芴作为电子注入层对绿光聚合物发光器件性能的影响

将醇溶性含膦酸酯基团的聚芴作为电子注入材料应用到聚合物电致发光器件中,并采用高功函金属铝作为阴极获得了高效率的聚合物电致发光.对聚合物发光器件光电性能的研究结果表明,与传统的Ca/Al阴极聚合物器件相比,以膦酸酯聚芴/Al为阴极的聚合物器件的流明效率达到了15.8cd/A,提高了25%以上,同时器件的工作电压降低了57%。