P型透明导电氧化物CuAlO_2的研究进展

CuAlO2作为一种天然的P型透明导电氧化物(TCO)成为近年来P型TCO的研究热点.介绍了CuAlO2近几年最新的研究进展,简述了不同的制备方法及其优缺点,综述了对其光电、热电等性能的研究状况,对CuAlO2掺杂前后性能改变的研究进展做了详细介绍,并提出了CuAlO2未来的研究方向.     

P型透明导电氧化物CuAlO2的研究进展

CuAlO2作为一种天然的P型透明导电氧化物(TCO)成为近年来P型TCO的研究热点. 介绍了CuAlO2近几年最新的研究进展, 简述了不同的制备方法及其优缺点, 综述了对其光电、热电等性能的研究状况, 对CuAlO2掺杂前后性能改变的研究进展做了详细介绍, 并提出了CuAlO2未来的研究方向.     

P型透明导电氧化物CuAlO2的研究进展

CuAlO₂作为一种天然的P型透明导电氧化物(TCO)成为近年来P型TCO的研究热点. 介绍了CuAlO₂近几年最新的研究进展, 简述了不同的制备方法及其优缺点, 综述了对其光电、热电等性能的研究状况, 对CuAlO₂掺杂前后性能改变的研究进展做了详细介绍, 并提出了CuAlO₂未来的研究方向.     

透明导电氧化物薄膜的制备方法研究

主要介绍了制备透明导电氧化物薄膜的方法,其中包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法（PLD）、喷涂热解法、分子束外延法（MBE）、溶胶-凝胶技术（sol-gel）法,总结了各种方法的优缺点,并对透明导电氧化物薄膜的研究进行了展望。     

双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能

文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行,结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的-βGa2O3;还提出了用自催化气-液-固(VLS)生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长;提出了由于Sn和In成分的双掺杂,使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。     

铟锡氧化物透明导电簿膜的化学喷雾淀积法

采用喷雾淀积法(CSD),在预热的普通玻璃基片上成功地制备了铟锡氧化物透明导电薄膜(ITO)。考察了其方块电阻R_□和透射率T_(?)随基片温度、溶液浓度及化学组份的变化,获得了他们的关系曲线。并在一组最佳工艺条件下制备出质量很好的透明导电薄膜,其方块电阻R_□≤70Ω,透射率T_r≥85％。     

透明导电薄膜(I):掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望.     

石墨烯透明导电薄膜的研究进展

石墨烯是目前发现的唯一存在的二维原子晶体,在薄膜制备中具有很多优点,如高化学和机械稳定性、高透光率、良好的导电性、优异的柔韧性以及原料廉价等,因而被认为是制备透明导电薄膜最有前途的材料之一.文中主要针对单层石墨烯的制备以及石墨烯基透明导电薄膜的研究进展进行综述,并对其发展前景进行展望.     

晶硅异质结光伏技术中透明导电氧化物靶材的研究进展与挑战

晶硅异质结（heterojunction, HJT）电池凭借其低温工艺兼容性、高开路电压及优异温度系数,成为突破钝化发射极和背面电池（passivated emitter and rear cell, PERC）与隧穿氧化层钝化接触电池（tunnel oxide passivated contact, TOPCon）效率瓶颈的第三代光伏技术。然而,HJT电池的效率极限与产业化进程高度依赖透明导电氧化物（transparent conductive oxide, TCO）层的多功能协同。当前主流高迁移率靶材通过优化导带色散,电池效率接连突破,同时铟资源约束推动无铟化技术发展。在产业化方面,物理气相沉积（physical vapor deposition, PVD）以高沉积速率及国产化设备主导量产,而反应等离子体沉积（reactive plasma deposition, RPD）通过低能粒子实现薄膜晶格匹配,迁移率较PVD大幅提升,但受限于进口设备成本与低靶材利用率。未来技术突破将驱动靶材性能从实验室向量产精准映射。通过卷对卷（roll-to-roll, R2R）工艺集成与钙钛矿/硅叠层光谱协同,HJT技术有望实现推动光伏产业向高效低碳跨越式发展。     

透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究

采用射频磁控溅射方法制备了ZTGO透明导电氧化物薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了生长温度(Tem)对样品光学、电学和光电综合性能的影响.结果表明,薄膜样品的性能参数与Tem值密切相关.当Tem为640 K时,样品的电导率为7.86×102 S?cm-1、光学带隙为3.48 eV、U...     

Influence of O_2/Ar ratio on the properties of transparent conductive niobium-doped ZnO films

Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.The influence of O2/Ar ratio on the structural,electrical and optical properties of the as-deposited films is investigated by X-ray diffraction,Hall measurement and optical transmission spectroscopy.The lowest resistivity of 4.0×10-4 Ω·cm is obtained from the film deposited at the O2/Ar ratio of 1/12.The average optical transmittance of the films is over 90%.     

Influence of post-annealing on the properties of Ta-doped In<Subscript>2</Subscript>O<Subscript>3</Subscript> transparent conductive films

Ta-doped In₂O₃ transparent conductive oxide films were deposited on glass substrates using radio-frequency (RF) sputtering at 300°C. The influence of post-annealing on the structural, morphologic, electrical and optical properties of the films was investigated using X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, Hall measurements and optical transmission spectroscopy. The obtained films were polycrystalline with a cubic structure and were preferentially oriented in the (222) crystallographic direction. The lowest resistivity, 5.1×10⁻⁴ Ω cm, was obtained in the film annealed at 500°C, which is half of that of the un-annealed film (9.9×10⁻⁴ Ω cm). The average optical transmittance of the films was over 90%. The optical bandgap was found to decrease with increasing annealing temperature.     

微波催化合成N-(2-苯并噻唑)邻苯二甲酰亚胺

用传统和微波催化法制备N-（2-苯并噻唑）邻苯二甲酰亚胺．分别考察了微波催化法中微波功率、反应时间、反应物料配比和溶剂等参数对反应的影响,得到最佳工艺参数为：以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,微波功率为500W,反应物料摩尔配比为1：1．2,反应时间为6min,此时收率为90．8％;在其他反应条件相同的情况下,无溶剂时,产物收率仅为87．4％．     

以丙烯酸-β-羟乙酯与丙烯酸为原料制备二丙烯酸乙二醇酯

以丙烯酸（AA）与丙烯酸-β-羟基乙酯（HEA）为原料,经酯化反应合成出了二丙烯酸乙二醇酯（EGDA）。以EGDA得率为考核指标,对催化剂种类及用量、阻聚剂种类及用量等合成条件进行了实验研究与优化,发现对于该反应,环己烷是比苯更优的带水剂,反应宜采用减压降温的方法抑制聚合的发生。对比分析表明,采用该方法制备EGDA的得率比直接酯化法、酯交换法更高,且产品的品质更好。     

基于二维Gabor的掌纹图像预处理研究

掌纹识别属于相对较新的一种生物特征识别技术,是利用人手掌上丰富的纹理特征来进行身份识别。掌纹图像的质量是影响掌纹识别性能的关键,因此,由掌纹的特点入手,对掌纹图像采用基于形态学方法进行感兴趣区域(ROI)的分割,为了防止由于采集时手放置位置的旋转或偏移导致的掌纹图像的差异,通过中值滤波、二值化、膨胀腐蚀等操作确定了特殊角点,再利用角点连线确定旋转角度,来旋转掌纹图像。然后对掌纹图像感兴趣的区域采取小波阈值法来去除噪声。最后结合Gabor滤波器的方向性,采用基于二维Gabor滤波器对掌纹纹线的特征进行提取。为了验证所提出的掌纹图像预处理方法的有效性,在PolyU掌纹图像库上进行实验并取得了较好的实验效果。     

A survey on porcine circovirus type 2 infection and phylogenetic analysis of its ORF2 gene in Hangzhou,Zhejiang Province,China

Porcine circovirus type 2 （PCV2） is closely related to the postweaning multisystemic wasting syndrome （PMWS）. In this study, the pig serum and tissue samples collected from different regions of Hangzhou District in Zhejiang Province of China between 2003 and 2005 were analyzed by enzyme-linked immunosorbent assay （ELISA） for PCV2 antibody and by polymerase chain reaction （PCR） for ORF2 gene. The results show that out of 1250 randomly collected serum samples, 500 sera （40%） were seropositive for PCV2. PCR results demonstrate that Hangzhou PCV2 with more than 50% Chinese PCV2 strains and French PCV2 formed Cluster A. Only one PCV2 from Hangzhou belonged to Cluster B with some other Chinese PCV2 and Netherlands＇s isolates. Cluster C consisted of PCV2 isolates from China, US, Canada, UK and Germany. The results indicate that the PCV2 infection was widespread in Hangzhou.