Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag原子的K壳层电离截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究K壳层的相对论效应和离子效应对快电子离子碰撞电离K壳层产生截面的影响;在BELL模型中,引入相对论效应和离子效应,基于相对论效应的K壳层电子离子碰撞电离截面的理论,计算Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag的K壳层电子碰撞电离截面。研究结果表明:考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的K壳层产生截面的结果明显优于BELL的计算结果和其他半经验公式的计算结果,其计算结果可用来模拟K壳层激光等离子体的超热电子能谱和产额,且可为一些电子仪器的制造提供精确的碰撞电离参数。     

C~(1+)与Ar碰撞微分截面测量及耦合道分析

文章介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的测量方法,利用符合测量技术测量了0.215~1.44 MeV的一价C离子与Ar原子碰撞的俘获、电离和电子损失截面.由于本能区内入射离子电子损失截面随速度升高而增大,甚至超过俘获道和电离道截面,因此俘获道、电离道、电子损失道的测量结果是严重耦合的.实验的结果不能直接与理论上的单反应道结果比对.本文根据实验结果进行了耦合道分析,并大致给出了影响的趁势,为将来与理论比对提供了方向.     

类硼离子C~(1+)的电子碰撞电离──单通道截面的共振增加

使用R-矩阵方法，在库仑-玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子C1+的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面．计算结果揭示了明显的Rydberg系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Chidichimo的结论相一致．     

亚稳态离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似方法计算了类氖Ｓｉ＾４＋离子的基态和亚稳态的电子碰撞直接电离截面和激发自电离截面，通过比较，指出了亚稳态离子电离贡献的重要性；在考虑亚稳态离子贡献的情况下，对最近首次给出的Ｓｉ＾４＋离子的电子碰撞电离实验结果给出了合理的解释。     

正电子碰撞氦原子电离截面的理论研究

文中运用具有耦合通道靶函数的新库仑扭曲波方法用来计算正电子碰撞氦原子电离截面.除此之外,还采用的类氢原子的Slater轨道波函数来描述氦原子的初态波函数.入射电子的能量在电离阈值和500a.u之间变化.理论计算结果与实验数据和其他理论计算结果符合较好.而且与其他复杂的畸变波方法相比,文中的理论模型更容易实现,并能给出更为准确的结果.     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

用复合势模型研究电子对原子的散射

构造了一种简化的电子与原子碰撞的复合势原子模型,并结合势能独立性原理的思想,研究了中等能量电子对原子的散射,得出了电子受原子散射的各种截面的理论计算公式,探索性地将独立性原理方法应用于电子与原子的碰撞截面的计算.应用复合势模型编程计算了电子被氦原子散射的总散射截面,计算结果与实验数据较符合.     

电子碰撞电离H（2s）的理论研究

利用ＢＢＫ模型对电子碰撞电离Ｈ过程进行理论研究，计算了对称和不对称几何条件下的三重微分截面。除将部分结果与现有理论进行比较外，首镒给出了入射能量为１５０ｅＶ共面不对称条件下的三重微分截面和Ｈ原子２ｓ态的电子动量谱，从而为实验提供较为全面的理论数据。     

Theoretical Study on Electron Impact Ionization of H(2s)

利用ＢＢＫ模型对电子碰撞电离Ｈ（２ｓ）过程进行理论研究，计算了对称和不对称几何条件下的三重微分截面。除将部分结果与现有理论进行比较外，首次给出了入射能量为１５０ｅＶ共面不对称条件下的三重微分截面和Ｈ原子２ｓ态的电子动量谱，从而为实验提供较为全面的理论数据。     

R矩阵法计算低能电子与Be+的碰撞激发

用二态密耦Ｒ矩阵方法,在入射电子能量约１－２０ｅＶ内,我们计算了电子与Ｂｒ＾＋碰撞的２ｓ→２ｓ,２ｐ弹性和激发截面,中列出了计算的结果,对比电子与Ｌｉ原子碰撞截面,详细讨论了各分波对截面的贡献。