太阳能级硅片化学清洗技术进展

介绍了硅片表面污染物的种类、来源及形成机理,论述了太阳能级硅片传统的RCA清洗技术中各种清洗液的清洗原理和优缺点,同时对改进的RCA清洗、HF/O3和电化学清洗等新型湿化学清洗技术进行了阐述,指出了太阳能级硅片化学清洗技术的发展方向。     

硅片清洗技术及发展

在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在的问题,提出了改进方向并展望了发展前景。     

超声波去蜡清洗技术研究

超声波清洗技术是半导体材料制备的主要清洗方法,极大地提高了半导体材料制备的工作效率和清洗效果。阐述了超声波清洗作用原理。通过调节超声机功率密度、频率,进行晶片去蜡清洗实验,验证、分析了超声清洗过程中超声机功率密度、频率对晶片去蜡清洗的影响。     

湿法化学清洗设备的防护措施

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺及化学涅法清洗设备在使用时安全隐患和防腐保护措施的应用。在设备的主体,电气控制系统、加热系统、排放系统等部分的设计的独创性和实用性得到广泛的应用。一定程度上解决了该设备在应用中的安全隐患,具有重要的意义。     

新型清洗剂“811”、“812”清洗半导体表面杂质的机理

用放射性同位素示踪法研究清洗剂“811”和“812”对半导体表面沾污杂质的清洗效果表明,用811、812清洗半导体表面沾污的蜡和油脂等有机杂质效果很好,用812清洗半导体表面沾污的铁、金、铬、钠等金属杂质都能得到很好的效果,清洗效率均可大于97%,甚至大于99.9%,在某些条件下比用酸、碱清洗还要高一些.有关工厂在生产中应用811、812作为半导体清洗剂,其半导体器件产品的合格率比用酸、碱和有机溶剂的清洗还有所提高.清洗机理是一个十分重要的问题.为什么清洗效率如此之高呢?我们用多种方法研究了811、812对半导体硅片和锗片表面沾污杂质的清洗机理.结果表明,其清洗效率之所以如此之高,是由于811、812是一种表面活性剂,812既是表面活性剂又是较强     

硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究。

集成电路用硅片必须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺，通过调整预清洗工序流程，对免清洗硅抛光片进行清洗，主要解决免清洗片表面“腐蚀圈”问题，对其进行了分析。     

硅材料科学与工程的现状及我国的对策

一、硅材料的发展趋势为满足微电子和电力电子器件制造的需要,现代半导体硅材料产品已进入以优质大直径高精度加工硅片为主体的新阶段,这种高精密度、高洁净度和无尘防静电包装的抛光硅片,已达到可以直接进入集成电路生产线的水平。发展趋势主要有三个方面: 其一是研制和生产大直径直拉硅单晶(CZ—Si)的切磨抛光片,用作微电子集成电路或分立器件生产的芯片材料。目前日本、美国和德国等都在生产直径150～200毫米的精细抛光硅片,实验室中已能控制直径300～400毫米的CZ硅单晶。我国国家半导体材料工程研究中心也已拉制出直径150毫米的CZ硅单晶,已能生产75～100毫米的CZ硅     

铜型件表面水痕迹的成因及对策

本文介绍了一种消除铜型材产品钝化膜易出现的水痕迹缺陷的清洗工艺,论述了纯水清洗原理、工艺过程、工艺参数的影响及选择RO膜及阴阳树脂交换生产纯水和生产过程中的注意事项。此方法是一种简单易行却效果良好的消除水痕迹缺陷的方法。     

固体材料的辐照改性

在辐射作用下,固体材料(如半导体、金属、陶瓷、电介质等)的理化性能会发生变化。利用这种辐照改性技术,可以得到各种性能优异的新型固体材料。根据不同的材料和改性要求,可分别选用电子、中子或者离子作为辐射源进行辐照处理。现介绍半导体和金属材料的辐照改性。一、半导体电力器件的电子束辐照在半导体电力器件生产中,传统采用扩金工艺。这种工艺有许多缺点,例如,产品性能差,成品率低(约为30％),工艺复杂,占用劳动力多,耗电量大,还需化费宝贵的     

RCA清洗法与NCW清洗法对砷化镓晶片表面杂质去除效果对比实验

选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗,使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试,对表面颗粒、有机物和金属3种杂质类型进行量化对比,分析两种清洗方法对3种杂质的去除能力。结果显示:表面活性剂对于有机物的去除效果比乙醇略强。基于双氧水的强氧化性和砷、镓氧化物更易溶于氨水的特性,SC-2清洗液对于表面氧化层的剥离和去除强于表面活性剂。对于主要金属杂质,两种清洗方法的去除能力相当。     

纳米二氧化钛的制备及其应用

本文概述了纳米二氧化钛光催化剂的制备方法及其在环保领域的应用,展望了该材料今后的发展方向.介绍了制备纳米二氧化钛的不同方法,主要包括气相法、液相法.分析了各种制备方法的原理、特点、应用及最新研究进展.介绍了纳米二氧化钛材料在气体净化、抗菌除臭、处理有机污染物、防雾及自清洁涂层等领域的应用以及对二氧化钛光催化剂的发展进行展望.     

国内外硅半导体材料产业现状及发展

概述了国内外硅半导体材料（多晶硅、单晶硅、硅片）的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势.     

热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。     

超声波清洗工艺在汽车清洗中的应用

对汽车清洗技术中传统的机械清洗法、湿法化学清洗法的应用现状进行了分析,介绍了超声波清洗技术的工艺特点以及与传统清洗技术相比具有的优势.通过对超声波清洗设备结构、清洗机理和清洗过程的介绍,进一步阐述了超声波清洗技术在汽车上的具体应用和广阔的发展前景.     

SiC材料的工业制备方法及其进展

介绍了工业制备SiC的各种方法和近年来国内外生产SiC的新工艺及机械法制备SiC粉体技术。指出未来工业制备SiC材料的发展应侧重于对传统的Acheson冶炼工艺进行改进；扩大制备SiC材料的新工艺的生产规模；研究发明用廉价原料制备高性能的新型SiC材料的方法以及研究超细粉碎及分级技术制备多种SiC产品等。     

机械手在硅片清洗机中的应用

硅片清洗机是太阳能行业中硅片制造环节的一种重要的自动化设备,它的主要作用是将多线切割机生产出来的多晶硅或者单晶硅片清洗干净并进行烘干,以达到进行最终硅片包装的目的。根据硅片清洗机的工艺流程和控制要求,分析了清洗机的机械手存在的缺陷,提出采用编码器代替限位开关的改造方案,并采用PLC、变频器完成了机械手的控制。     

建议将长治市作为硅工业开发基地

石英因具有独特的物理、化学性能，而被广泛应用于电子、电工、冶金、化工、宇航、电路、机械等各种高新技术产品中，如大型集成电路、光导纤维、压电石英谐振器、液电显示器、电视显像器、新型电光源、特种石英玻璃、特种光学玻璃、石英坩埚等，并作为高绝缘性能的集成电路材料。美国“硅谷”的兴起，是靠硅造就了以芯片为基础的现代信息产业。高科技发展离不开硅片。我们也应该把我国的硅片生产基地建设得像美国的硅谷一样，成为我国科技发展的源泉。半导体产业是信息产业的基础，而知识经济又是建立在信息产业基础之上的。因此，中国要成…     

SiC材料的工业制备方法及其进展

介绍了工业制备SiC的各种方法和近年来国内外生产SiC的新工艺及机械法制备SiC粉体技术.指出未来工业制备SiC材料的发展应侧重于对传统的Acheson冶炼工艺进行改进;扩大制备SiC材料的新工艺的生产规模;研究发明用廉价原料制备高性能的新型SiC材料的方法以及研究超细粉碎及分级技术制备多种SiC产品等.     

直接标繪外延层杂质分布的方法

半导体材料中的杂质浓度分布,是半导体器件制造中必须知道的一个重要参数。对外延材料的最佳选用来说,也是不可缺少的。测量半导体杂质浓度,一般使用电容——电压法。但此法测量速度慢,分辩率和准确度较差。近年提出了一种新的方法——二次谐波法〔1,2,3〕。这种方法具有如下优点:简单、快速、分辩率高(只受德拜长度的限制)、且能直接得出结果。本文除了简单介绍谐波法原理外,着重介绍坐标轴标度的确定,从而定量地给出浓度随深度的变化关系。实验举出了砷化镓外延和硅外延两种试样的杂质浓度分布的测量结果,并与用C—V方法测量的结果进行比较,两者是一致的。     

量子点显示材料的研究进展

半导体量子点(quantum dots,QDs)由于具有独特的发光特性而在显示器材料领域具有极高的应用价值。相比传统显示材料,QDs光器件具有色彩明亮、纯色性好和低能耗的优点,是理想的显示器材料。结合已有的工作介绍了半导体QDs的发光原理、发光特性和常见的制备方法,同时也介绍了目前QDs显示器的技术发展现状和面临的挑战,并对其在柔性显示器方面的发展前景进行了展望。