蕴含（K_4-e）＋K_3可图序列的刻划

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.K k,C k,Pk分别表示k阶完全图,圈长为k的圈和路长为k的路.本文刻划了当n≥6时,蕴含（K 4-e）＋K3的可图序列,其中,（K 4-e）＋K3如下图所示.     

蕴含（K_4-e）＋C_4可图序列的刻画

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.Kk,Ck,Pk分别表示k阶完全图,圈长为k的圈和路长为k的路.本文刻画了当n≥6时,蕴含（K4-e）＋C4的可图序列.     

RAMSEY数R（K_3,K_（19）-e）的下界

研究了完全图的循环着色,提出了完全图循环着色的一种计算机算法,得到了广义Ram-sey数的一个新下界：R（K3,K19-e）≥99.     

2类特殊图的邻和可区别全染色

研究了图K_3~n和D_(n,4)的邻和可区别全染色.根据图K_3~n和D_(n,4)的结构特点,利用穷染的方法得到了图K_3~n和D_(n,4)的邻和可区别全色数.     

蕴含K5-P2可图序列的刻划

对于给定的图H，称π是蕴含H可图的，如果π有一个实现包含H作为子图．Kk，Ck，Pk分别表示k阶完全图，圈长为k的圈和路长为k的路．K5-P2表示从5阶完全图中删去长为2的路．LuoRong考虑了蕴含Ck可图序列的刻划问题，并刻划了当k=3，4，5时，蕴含Ck的可图序列．此外，Luo等人刻划了蕴含K4的可图序列，Eschen和Niu刻划了蕴含K4-e的可图序列，Yin Jianhua等人刻划了当r=2，S=3和r=2，S=4时，蕴含Kr,s的可图序列，其中Kr,s是r×S完全二部图．Hu Lili等人刻划了蕴含K5-C4，K5-Z4，K5-E3的可图序列，徐正华等人刻划了蕴含K1．4＋e的可图序列，王艳刻划了蕴含K1,4＋P2的可图序列，刘明静等人刻划了蕴含K5-Z5的可图序列．本文刻划了当n≥5时，蕴含K5-P2的可图序列．     

蕴含K3∪K4的可图序列（英文）

对于给定的图H,若存在可图序列π=（d1,d2,…,dn）的一个实现包含H作为子图,则称π为蕴含H-可图的.本文给出了可图序列π=（d1,d2,…,dn）蕴含K3∪K4可图的一个充分条件,其中K3∪K4是恰好有一个公共顶点的K3和K4的并图.     

蕴含H可图序列的刻划

对于给定图Г,称可图序列π=（d1,d2,…,dn）是蕴含Г-可图的,若存在π的一个实现以Г为其子图．本文刻划了蕴含H的可图序列,其中H为剖分完全图K4的相邻两条边所得到的剖分图．     

蕴含H可图序列

对于给定的图H,称π是蕴含H可图的,如果π有一个实现包含H作为子图.本文给出了蕴含H可图序列的一个充要条件,还给出了最大度为4的可图序列的一个充要条件.     

拟正则环的若干代数K—理论性质

本文讨论了拟正则环的几个代数K—理论性质,得到:定理设R是拟正则环,1 若R还是有1的可换环,则有R的幂零理想J,使得K_0(endM(R))≌K_0(endM(R/J))≌K_0(endH(R/J))≌K_0(endP(R/J))≌K_0(R/J)×(R/J)2 若T是一定向循环,则K_1R≌K_1R〔T〕3 NilR=0,K_0(NiLP(R))≌K_0(NiLP(R/J)).     

蕴含K1,4＋P2的可图序列

本文刻划了蕴含K 1,4＋P2的可图序列,其中K 1,4＋P2是向完全二部图K1,4添加一条被剖分的边后构成的简单图.     

MSP430混合逻辑系统的设计

阐述了MSP430与非3．3V器件接口时存在的电源电压以及逻辑电平不匹配的问题，分析了产生这些问题的原因，并给出了相应的解决方案。     

体上拟伸缩

设K是一个给定的体,用GLn(K)表示体K上的n级一般线性群,用resA表示矩阵A的剩余数.在文献[3]基础上,对拟中心矩阵的概念进行重新定义,并得到相应结果.同时,引入拟伸缩矩阵的概念,并对它进行了刻画.     

域上保秩1矩阵映射

设K是域,m,n是不小于2的整数,Mmn(K)表示K上m×n阶矩阵全体所成集合.设Φij(i=1,2,…,m,j=1,2,…,n)是K上的映射,定义K上由Φij导出的映射Φ如下:Φ:[aij]|→[Φij(aij)],[aij]∈Mmn(K).若Φ将Mmn(K)中的秩1矩阵都映成秩1矩阵,则称Φ是保秩1的,将刻画这种映射的形式.     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

熔融ZnCl2玻璃转变动力学减慢的分子动力学模拟

采用Buckingham势函数,利用分子动力学（MD）模拟的方法对熔融ZnCl2玻璃转变动力学性质进行研究．模拟温度范围由2000K降到600K,发现锌和氯离子在1200K时笼子效应较明显;从扩散与温度关系中,得出锌和氯离子的扩散系数在温度达到1200K时扩散系数呈现被冻结的状态．即1200K是熔融ZnCl2的玻璃转变温度．