光电晶体管基区分布电阻的计算

给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管.     

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。     

双极型晶体管发射区有效杂质分布的温度关系

从理论上研究了双极型晶体管发射区中有效杂质分布N_(Eeff)在不同温度下与发射区浓度N_E的关系,结果表明:常温和高温时,N_(Eeff)随N_E的增大而上升;在低温下,N_(Eeff)则随N_E的增大而下降,而在某一特殊温度时N_(Eeff)将与N_E无关,这将为双极晶体管提供设计依据.     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

低温超高速BiCMOS数字电路的延迟特性分析

在常规ＢｉＣＭＯＳ技术基础上，该文充分考虑了低温下ＭＯＳ电流驱动能力增强，双极器件增益与频率性能退化，ＰＮ结正向导通电压增加和结电容减小等因素的影响，并由此建立起统一的低温ＢｉＣＭＯＳ数字电路延迟时间的非线性解析分析模型，所得到的有关结论对低温超高速ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计有现实的指导意义。     

新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

双光栅太阳能电池研究

针对现有太阳能电池板吸收层厚度较薄,吸收波长与带隙接近的光子能力较弱的问题,本文提出了一种双光栅太阳能电池结构,并使用RSOFT软件的CAD模块建立了由MATLAB模拟优化后得到的多晶硅薄膜太阳能电池模型,最后计算了转换效率,验证了利用双光栅可以显著提高单晶硅薄膜太阳能电池的转换效率和短路电流的能力。     

前途灿烂的VMOS功放电路

<正> 一、半导体器件的一颗新星 VMOS管是1976年才问世的一种新型半导体器件,它是在集中了电子管,双极型晶体管和单极型晶体管优点的基础上做成的,其优点主要表现在:输入阻抗高(约为10~8Ω以上),是电压控制器件,向信号源索取的功率甚微;开关速度快(开关时间为ns级):工作频率范围宽而高;反馈电容小;无热失控或二次击穿,具有负的电流温度系数;低的开启(或导通)电压;转移特性曲线的线线性好以及高的跨导等。因此,它是继双极型和单极型管之后,又一种具有开拓型的有源半导体器件,尤其是它的大电流和电流负温度系数,使它成为发展大功率器件的佼佼者。它的出现,引起了电子工业世界的极大兴趣,也被誉为是一种比较理想的有源器件。     

双极晶体管储存寿命的1／f噪声预测方法

针对小功率双极晶体管进行的存寿命试验和噪声测试结果表明，该器材在储存条件耻的主要失效模式是电流放大数β的退化。β随时间的减少量与其初始１／ｆ噪声电流具有强相关性，近似呈对数正比关系，由此提出了利用１／ｆ噪声测量对双极晶体管储存寿命进行快速无损评价的新方法。     

抑制晶体管有源寄生效应研究

利用基尔霍夫电流定律修正双极晶体管的EM(Ebers-Moll,EM)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.利用数学软件MathCAD,对获取的EM模型数据作无近似处理.通过观察流经各个PN结的电流变化,可以研究数字晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应.从而作为改善高集成情况下寄生效应的理论依据.     

高速旋转的滚动轴承工作游隙影响因素的分析

高速旋转的滚动轴承,其工作游隙的大小将直接影响其工作性能和使用寿命,但工作游隙受到离心力、配合的性质及工作温度变化等多种因素的影响,其中温度影响尤为复杂.有关这方面的研究大多是集中在单个因素的影响上,没有从总体上作系统的研究,也没有考虑多种因素的关联性.该文就温度、配合和离心力对工作游隙影响的关联性进行探讨.     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

混酸体系中铝阳极氧化膜表面结构的研究

采用硫酸-草酸混酸溶液作为电解液,对纯铝片进行直流阳极氧化,研究了氧化时间、电流密度、超声波等因素对阳极氧化膜微观结构的影响,采用SEM、XRD、EDS等方法对阳极氧化膜的微观形貌、成分和结构进行了分析．结果表明,氧化时间对氧化膜表面微观结构的影响主要体现在随着氧化时间的延长,氧化膜表面的微孔形状越来越规则地发生变化,电流密度对阳极氧化膜表面微孔的分布情况影响较大,当电流密度超过15mA·cm-2时氧化膜表面的微孔数量有所增加,但不规整;将超声波作用于阳极氧化过程中,阳极氧化膜有晶体结构出现,经检测分析为Al2O3晶体．     

数据的链式存储结构

计算机中数据的存储结构有2种,其中链式存储结构是数据在计算机中的一种离散存储方式.这种存储方式能充分利用内存“碎片”,同时数据的插入删除效率高.针对链式存储结构的内存组织做了详细讨论,用C语言描述这种结构的基本运算,并对2种结构做了对比分析.