分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特性分析

首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。     

光交联聚乙烯醇水凝胶及青霉素敏生物传感器研究

合成了一种光交联聚乙烯醇（ＰＶＡ－ＱＱ）水凝胶，着重讨论了该水凝胶固定化β－内酰胺青霉素酶膜及其与离子敏感场效应管（ｐＨ－ＦＥＴ）结合构成的青霉素敏生物传感器的性能。结果表明，ＰＶＡ－ＱＱ水凝胶固定化酶膜具有较高的活性及优良的温度、酸碱度、时间及力学稳定性，由该酶膜制备的青霉素敏ＦＥＴ的响应时间小于６０ｓ，灵敏度大于３ｍＶ／ｍＭ，线性响应范围为０￣１６ｍＭ。     

有根星的最优边容错

给定一个（有向）图Ｈ，称（有向）图Ｇ为关于Ｈ的ｋ－边容错图，记为ｋ－ＥＦＴ（Ｈ）图，若从Ｇ中移去任何ｋ条边所得的每个图都含有生成子图同构于Ｈ。Ｇ称为ｋ－ＥＦＴ（Ｈ）优图，若在所有ｋ－ＥＦＴ（Ｈ）图中，Ｇ的边数最小。Ｇ称为ｋ－ＥＦＴ（Ｈ）极图，若在所有ｋ－ＥＦＴ（Ｈ）优图中，Ｇ的点的最大度△（Ｇ）最小。设＾→Ｓｎ表示有根星，对于每个ｎ和ｋ，本文表征了ｋ－ＥＦＴ＾→（Ｓｎ）优图和极图。     

星网络的最优边容错图的结构

若图Ｇ中去掉任何Ｋ条边后所得的图含有生成了图同构于Ｇ０，则称Ｇ关于Ｇ０是Ｋ边容错图，记为Ｋ－ＥＦＴ（Ｇ０）图且边数尽可能小，则称Ｇ为最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｇ０）图，设Ｓｎ表示ｎ点星，若一个最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｓｎ）图的最大度尽可能小，则称为（Ｋ，ｎ）一极图，本文对于所有的Ｋ和ｎ，表征了最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｓｎ）图和（ｋ，ｎ）－极图的结构。     

内存优化管理与CONFIG.SYS文件的设计

本文讨论了基于ＭＳ－ＤＯＳ６．２操作系统的、８０３８６及其以上档次ＣＰＵ的ＰＣ系列机的内存的分类、内存的优化管理技术以及在此基础上的ＣＯＮＦＩＧ．ＳＹＳ和ＡＵＴＯＥＸ－ＥＣ．ＢＡＴ文件的设计问题．     

用SEM考察合成条件对TS—2分子筛晶体形貌的影响

以扫描电镜方法（ＳＥＭ）系统地考察了不同合成条件下ＴＳ－２分子筛的晶体形貌。结果表明：在ＴＳ－２分子筛合成过程中，模板剂用量增加使得分子筛结晶度提高；增加Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比使分子筛晶体粒径增大，但过高的Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比导致结晶纯度下降；Ｓｉ／Ｔｉ比提高会减少晶体中杂晶数量，晶体形状更加规整、均匀；调高胶液ｐＨ值时，分子筛晶粒增大，但结晶纯度下降。     

机械通气治疗ALI/ARDS的研究

研究了旨在导找ＡＬＩ／ＡＲＤＳ最佳机械通气时机。将９４例ＡＬＩ／ＡＲＤＳ患者分为３组,Ａ组ＰａＯ２／ＦｉＯ２０１６０２６．６７ｋＰａ,Ｂ组２６．６７ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ２≤３３．３３ｋＰａ,Ｃ组３３．３３ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ≤４０．００ｋＰａ,分别予机械通气,比较３组间ＶＴ、ＰＥＥＰ、ＰＩＰ、Ｐｐｌａｔ、ＰａＯ２、ＰａＣＯ２、Ｐａ、ＨＲ、ＭＶ时间、存活出率、死亡率差异性。用Ｘ＾２、ｔ检验进     

矩阵Schur补的特征值和奇异值不等式

设 Ａ∈ Ｃｍ ×ｎ ，ｌ＝ ｍｉｎ｛ ｍ ，ｎ｝ ，α｛１ ，２ ，…，ｌ｝ ，｜α｜ ＝ ｋ（１ ，２ ，…，ｌ － １） ， Ａ Ａ（ α） 表示 Ａ 关于 Ａ（ α） 的广义 Ｓｃｈｕｒ 补，则σｉ［ Ａ Ａ（ α）］ ≥σｉ＋ ｋ（ Ａ） 　（ｉ ＝ １ ，２ ，…，ｌ － ｋ） 其中σｉ（ Ａ） 表示 Ａ 的第ｉ 个奇异值．进一步，获得一些关于 Ｈｅｒｎｍｉｔｅ 矩阵 Ｓｃｈｕｒ 补特征值的交错定理     

换位子AP权有界性

设μ，λ∈ＡＰ〈Ｖ＝（μλ＾－１）＾１－Ｐ，１〈ｐ〈∞，ｂ∈Ｅ＾１（ｄｘ），如果ｂＢＭＯＶ，则换位子「Ｔ，Ｍｂ」满足，存在一个常数Ｃｆ与ｆ有关，使得∫／「Ｔ，Ｍｂ」ｆ－Ｃｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫／ｆ／＾ｐμ；相反地若Ｃｉ＝「Ｒｉ，Ｍｂ」是Ｌ＾ｐ（Ｒ，μ）到Ｌ＾ｐ（Ｒ，λ）有界算子，即∫Ｒ＾ｎ／「Ｒｉ，Ｍｂ」ｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫Ｒ＾ｎ／ｆ／＾ｐμ，（ｉ＝１，２，…，ｎ），则ｂ∈ＢＭＯＶ，此结果推广了Ｂｌｏｏｍ（     

停机位指派模型的排序模拟退火算法

实时的停机位指派对减少枢纽机场航班中转时间起着重要作用,但是停机位指派问题是NP-hard问题,常用的启发式算法计算效果较差。本文设计了一种排序模拟退火算法以求解枢纽机场的停机位指派问题。该算法首先根据停机位期望偏好值和航班客座率进行排序以得到模拟退火算法的初始解,然后运用经典模拟退火算法求解最优指派结果。算例表明,随着航班数量的增加,排序模拟退火算法的计算精度优于经典模拟退火算法,计算效率优于CPLEX软件且具有较快的收敛速度,为实时解决枢纽机场停机位优化指派问题提供了可能。     

苯多元羧酸对锆－铝鞣和少铬多金属鞣的研究

本文研究了苯多元羧酸对锆－铝鞣和少铬多金属鞣的影响．实验研究表明：在适宜ｐＨ值，ｐｍ量的改变对成革收缩温度有显著影响，苯多元羧酸羧基数目越多，收缩温度越高；苯二元羧酸中羧基处在不同位置及不同用量对收缩温度的影响不明显；在锆鞣后，ｐｍ处理，再用铬废液复鞣，不仅可提高ＴＳ，而且可减少铬鞣废液中铬残留量，基本上消除其对环境的污染．     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究

提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF₂薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验.     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结中间绝缘层同TMR关系的研究

采用离子束和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性隧道结样品,主要研究了中间绝缘层对隧道结磁电阻效应的影响．结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象．为提高磁隧道结磁电阻性能做了实验尝试．     

大型弧形闸门的自振特性计算

为掌握大型弧形闸门的自振特性,以某水电站溢洪道大型弧形闸门的动力学问题为背景,应用ANSYS软件详细分析了该闸门的自振特性.在4种不同计算模式下计算闸门的自振特性,并对不同计算模式下的计算结果进行比较;同时分析了附加水体质量对闸门自振特性的影响.     

大型坞门的有限元静力特性分析

应用ANSYS软件对某大型坞门进行有限元仿真计算,计算坞门在水压力作用下的约束反力、变形和应力,为坞门的结构设计提供理论依据.计算结果表明,该坞门的梁系布置和拟定的截面尺寸是合理的,其面板、甲板、纵横梁等主要受力构件在水压力作用下的最大应力为许用应力的67%～92%,趋于优化设计要求.     

基于微结构光纤的温度传感器研究

对基于模间Mach-Zehnder干涉式、Michelson干涉、F-P干涉和荧光等原理的微结构光纤温度传感器开展了较为系统和深入的研究，建立了相关理论，研制出了一系列新型光纤温度传感器及其功能器件.展示了一种新型的多参量荧光光纤有源温度传感器，并建立一种新的信号处理方法；利用液体填充微结构光纤制作出的在线式、全光纤Mach-Zehnder干涉式温度传感器，敏感度达–1.83 nm/℃；利用全固态光子带隙光纤内的高阶导模来制作结构紧凑的Michelson高温传感器，传感头尺寸仅为1.03 mm；基于柚子型小纤芯微结构光纤制作了微腔F-P高温传感器，温度的灵敏度为17.7 pm/℃，测量温度达1 000℃.     

消除干扰的一种新型TTL与非门电路

本文报道了一种新型的ＴＴＬ与非门电路，该电路的特点是，当输入信号突然从高电平跳变到低电平的瞬间，不会产生电源电流干扰尖脉冲。     

荧光素二聚体荧光探针同步荧光法测定阿米卡星

基于阿米卡星（AMK）能增强荧光素二聚体的荧光信号，建立了以荧光素二聚体荧光探针同步荧光光谱技术测定AMK的新方法．结果表明，在△λ=30nm，最优条件下，测定AMK的线性范围为0．5～20．0μg／mL，检出限（LOD）为0．51μg／ml．用于实际样品分析，测定回收率为96．9％-104．5％，相对标准偏差（RSD）为3．7％～5．3％．