首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到15条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
文章介绍一种参数写入串口E2 PROM的方法及串行E2 PROM同MITEL公司所产SA86 6芯片的接口电路。因串行E2 PROM自身体积小、接线方便 ,从而通过这种方法可有效地减小变频器控制电路 ,提高系统可靠性及灵活性 ,且无需大量编程。  相似文献   

2.
介绍了I2 C总线及通讯协议 ,给出了基于I2 C总线的串行E2 PROM在单片机系统中的实际应用方法 ;并就串行E2 PROM在实际系统应用中存在的通讯可靠性问题进行了分析 ,提出了串行E2 PROM在系统应用中提高通讯可靠性的有效解决方法。  相似文献   

3.
介绍了I2 C串行总线的性能和特点 ,以串行E2 PROM为例 ,提出了一种在M 6 8HC90 8GP32上利用其I/O线实现I2 C总线的方法 ,并给出了相应的汇编程序。  相似文献   

4.
文章首先介绍了E2PROM芯片级动态存储系统的基本要求,给出了这些基本要求的具体实现,最后对动态存储的性能指标进行了评估.该设计有效地解决了E2PROM中动态存储区内存的回收问题,提出了一种空闲块的定位算法,并结合类双向循环链表结构对记录管理,满足了芯片级动态存储的要求,这些设计在大型楼宇系统中应用,性能稳定可靠,因此,在低端嵌入式数据管理中有较高的应用价值.  相似文献   

5.
PROM器件主要应用于计算机、工业控制和自动测试等系统的智能设备中,用来存放监控程序和某些固定的数据信息,如数学函数表和字符发生器等.此外,还可以应用于其它一些逻辑设计.本文首先介绍PROM的功能扩展,再通过例子说明PROM在逻辑设计中的应用.  相似文献   

6.
X25045芯片的原理及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了具有可编程看门狗、电压监控、串行E2PROM功能的X25045芯片的工作原理,并给出了与单片机连接的可应用于语音系统的软件编程.  相似文献   

7.
I2C总线器件AT24C256的性能特点及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍I^2C串行总线技术及I^2C器件AT24C256的应用实例,给出了E2PROM芯片AT24C256和单片机AT89C52硬件连接方法.  相似文献   

8.
设计一款以单片机为核心的温度记录仪,设备采用I~2C总线接口的串行E2PROM存储器芯片24C16存储一定时间内的温度值,可用于温度监视.设计性价比高,测试温度点多,操作简单.  相似文献   

9.
介绍AT24C512的特点、工作原理和使用方法.举例介绍利用MSP430单片机控制大容量串行E2PROM AT24C512的应用程序.实验证明,由AT24C512构成的数据存储系统安全、可靠,应用价值很高.  相似文献   

10.
介绍了一种以单片机作为控制系统的新型溶解氧测定仪的结构和其测量方法,此方法适合于各种类型膜电极.该仪器减少了传统溶氧仪器测量时,测量结果受温度影响的缺点,测定结果可精确至0.1mg/L.此外,本设计能随时由用户根据当时使用电极的温度特性输入至E2PROM2864中,可以长期获得正确补偿.  相似文献   

11.
介绍了串行快擦写存储器25045功能、特点、工作原理以及25045在包装机控制器中的应用,并编写了相应的软件。  相似文献   

12.
本文探讨了一种多CPU共享串行E2PROM的模块化设计方法,使得系统设计简单可靠,软件编制容易  相似文献   

13.
基于FLOTOX E^2PROM结构,分析了影响FLOTOX E^2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.实验表明,擦/写电压应力周期、脉;中电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E^2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E^2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少.  相似文献   

14.
传统的非易失性存储器 E2 PROM和 FL ASH的写入速度都很慢 ,但 FRAM突破了这个缺陷 ,它是一种可以高速写入的非易失性存储器。在说明了 FRAM的存储原理的基础上 ,通过具体的数据对比说明了 FRAM的优点。介绍了 FM1 80 8在快速采集雷管电点火头温升曲线数据中的应用  相似文献   

15.
介绍了以Intel51系列单片机通用并行口仿真I~2C总线的方法,给出51系列单片机与串行E~2PROM24LC16的互连及部分操作详细清单。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号