Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

范性形变对铝电阻的影响

样品是工业纯铝,直径1.665毫米,长24厘米的铝丝,测量它拉伸过程中电阻率的变化。得到的结果:形变率ε<8.5%时,电阻率减少。当ε>8.5%,电阻率开始上升。至ε=12.5%△ρ=0。以后△ρ为正值。为了探讨电阻率改变的本质,还测量了退火对电阻率的影响和铝丝在高温淬火后电阻的变化。根据这些实验结果,试图进一步探讨范性形变对铝电阻影响的本质。     

ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷

目的研究一种方便快捷的测定硅锰合金中硅和磷的方法。方法用硝酸和氢氟酸溶解试样,采用耐氢氟酸雾化装置,用ICP-AES法同时测定硅锰合金中的硅和磷。结果 ICP-AES法同时测定硅锰合金中硅和磷的实验测量精密度和准确度较高,采用统计学上的t检验,t值均小于tα,f值,不存在显著性差异;经对照分析,测定结果差值均在国标允许范围之内。结论用ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷与标准化学分析方法相比,其操作更简便、快捷,能满足生产的需要。     

MnO2的粉体阻抗谱测量

用交流阻抗方法对粉末状和压片的电解MnO_2(EMD)和天然锰矿进行测量。其电阻率有下列顺序:ρ日本锰粉<ρ湘潭锰粉<ρ松桃锰粉。电阻率与外加压力有关。经不同温度烘烤后,阻抗谱有明显变化。讨论了噪声对高频测量的影响。用最小二乘法来模拟压片状阻抗谱。说明它是由晶粒、晶界和颗粒间界三部分阻抗组成。探讨了它与MnO_2电化学活性的关系。     

二元合金PbBi电阻率随温度的异常变化

文章通过电阻法对PbBi合金的电阻率进行了测量。发现在液相线以上一定的温度范围内,其电阻率随温度的升高而线性增加,即其电阻率温度系数α(α=dρ/dt)基本保持不变;当温度超过某一临界温度时,α随温度的升高出现异常变化。经分析可以认为,不同的合金成分具有不同的转变温度;液态PbBi合金高温区可能存在着温度诱导的液-液结构转变。     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(d A)/Ni82Fe18(t A)/Ta(30 A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火.测量了样品的磁电阻曲线和微结构.从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化.结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5%,d约为27.5 A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化.     

高硅铝合金高温微观力学行为研究

高硅铝合金以其优异的性能在电子封装领域具有广阔的应用前景,准确地测量其高温微观力学行为具有重要意义.本文基于数字图像相关(DIC)方法,对Al-27%Si、Al-42%Si、Al-60%Si3种不同硅含量高硅铝合金的拉伸试样开展了扫描电子显微镜(SEM)下的高温原位拉伸实验研究.分析了在20～300℃下测得的3种合金的应力-应变曲线、微尺度全场应变分布规律以及拉伸试样的断口形貌.结果表明,硅的含量和温度对高硅铝合金拉伸力学行为具有显著的影响.随着温度的升高,3种合金的应变量均逐渐增大,其中Al-27%Si的应变量变化最大.3种合金的抗拉强度随温度的升高均近似呈线性趋势降低,常温下Al-27%Si最高,200℃以上时Al-42%Si最高,Al-60%Si合金的抗拉强度最低.在Al-27%Si与Al-42%Si合金的应变场中的铝基体相内部出现了明显的应变集中现象,而Al-60%Si的应变分布较均匀.温度对3种合金的微尺度拉伸变形场分布规律影响不大.合金的拉伸断口形貌表明,随着硅含量的增加,高硅铝合金主要的拉伸断裂机制由铝相的韧性断裂逐渐转变为硅相的脆性断裂,而温度对其影响较小.3种高硅铝合金在不同温度下拉伸时均无明显的屈服现象,也未出现颈缩现象.     

熔盐电解二氧化硅制备低硼磷铝硅合金

分别采用高纯石墨和Fe-Ni合金为阳极,在960℃的冰晶石熔盐中电解SiO₂制备低硼磷铝硅合金,研究电流密度和SiO₂添加量对电流效率、阴极产物成分和B,P杂质含量的影响规律,并利用XRD和SEM表征阴极产物的物相组成和微观形貌.结果表明,以石墨为阳极时,当电流密度从0.5A/cm²增大到0.9A/cm²时,阴极产物中w［Si］从0.75%增大到15.17%,电流效率从2.58%增大到38.06%;B和P的最低质量分数分别为3×10^-6和7×10^-6.以Fe-Ni合金为阳极时,当SiO₂添加量从2%增大到6%时,阴极产物中w［Si］从3.19%增大到19.86%,电流效率从12.43%增大到70.48%;B和P的最低质量分数分别为6×10^-6和11×10^-6;阴极产物的物相组成为铝、硅和铝硅合金.     

TF642TF645硅锰合金生产中磷、碳含量的控制0050

ＴＦ６４２ＴＦ６４５硅锰合金生产中磷、碳含量的控制００５０［刊］／舒莉（吉林铁合金厂）“铁合金──１９９５，（１）．１～３本文依据硅锰合金的含磷量随含硅量的升高而有所下降，以及含硅量高时磷活度大的规律，采用炉外精炼高硅硅锰的方法，降低硅锰合金的含磷量...     

土壤电阻率的测量

<正>土壤电阻率ρ是决定接地电阻的主要因素。根据土壤的类型以及土壤中所含水分的性质和含水量的多少,土壤电阻率可以在很大的范围内变化。故P的确定主要靠实际测量。电阻率P是一个单位立方体的对立面之间的电阻,以欧米作单位。过去常用三极法测量接地极的接地电阻再换算出电阻率ρ。换算式为:电极垂直打入地