低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应

在非理想第Ⅱ类超导体里,临界电流密度J_c因结构缺陷的变化而变化,而且对缺陷的浓度很敏感。中子辐照是一种可控的在样品内增加缺陷浓度的有效方法。不少实验已经证明,适量的中子辐照可以较大幅度地提高YBa_2Cu_3O_(7-8)(YBCO)系列高T_c超导体(HTSC)的J_c和临界温度T_c。此外,中子辐照也是探索超导电性机理的途径之一。理论和应用上     

YBa2Cu3Oy体系中MgO纳米颗粒对磁通钉扎的影响

众所周知,氧化物超导体在高温高场下J_c值偏低及显著的磁通运动效应,阻碍了它的各种应用.因此,引进新的钉扎中心,如各种点缺陷(阴阳离子空位、部分元素替代和扩展型缺陷(如离子辐照产生的柱状缺陷)等,提高其J_c,研究相关的钉扎机制,具有理论和实际的双重意义.另外,实验发现,织构化的Y系样品在很大的温度和磁场范围内具有较高的临界电流,显然与样品内具有微米或亚微米尺寸的211脱溶物直接或间接引起的磁通钉扎有关.这说明大尺度的非超导粒子对磁通钉扎也有显著的强化效应.我们在YBa_2Cu_3O_y.体系中引入尺寸约为200nm的MgO纳米颗粒添加物,研究它对临界     

低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成     

YBa_(1.9)Cu_3O_(7-δ)中集体磁通蠕动对临界电流密度的影响

实验结果表明,在YBa_2Cu_3O_(7-δ)系,人为地使化学成分偏离理想配比,将引入新的小尺度缺陷并成为有效钉扎中心,使临界电流密度明显提高,且导致J_c(H)的非单调关系(即对应于磁化曲线的“鱼尾效应”).有关高温超导体中的“鱼尾效应”的起源,迄今虽有几种解释模型,但仍缺乏统一的认识,其重要原因是由于高温超导体中有效钉扎势很小而运行温度又较高,     

掺杂Ag_2O的Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体系的研究

一、引言 大量研究表明在Bi系超导体中存在着丰富的类Josephson结弱耦合,因此增强超导晶粒间弱耦合以改善样品的临界电流特性是很有意义的。文献[1,2]指出在YBa_2Cu_3O_(7-8)体系中掺杂银或氧化银提高了样品J_c。文献[3]的实验结果表明在Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导体中掺杂银粉时,样品的T_c和J_c敏感地依赖于烧结气氛。文献[4]则认为在Bi系中掺     

应用于微生物育种的一种快中子辐照方法

本文阐述了静电加速器用厚铍靶(d.n)反应产生的快中子吸收剂量的计算方法,设计了适用于微生物育种的快中子辐照装置。考虑到Be~9(d.n)反应的产额、中子能量、角分布和以水为介质,当氘核能量为2.3MeV     

YBa_xCu_3O_(7-y)(x=2.0,1.9,1.8)中的磁通钉扎效应

针对高温氧化物超导体的强电应用,通过改善晶粒间的弱连接和增强晶粒内部钉扎强度,提高其临界电流密度J_c是当前一个十分重要的研究课题。由于这类超导体的相关长度ζ很短、K值很高,加之存在强烈的各向异性,所以其第二类超导电性行为与传统超导体明显不     

Bi系超导材料显微结构的共性与特性及其对超导电性的影响

Bi系氧化物超导体从发现至今,人们对其显微结构与超导电性间的内在联系已有所了解.研究表明:这类超导体中,多组分混合欠均匀化、弱连接及弱钉扎是影响临界电流密度(Jc)提高的主要因素.因此传统工艺方法制备的块材在强电领域中应用遇到困难.近几年在努力探求工艺上的突破,以改善其均匀化、弱连接、弱钉扎和可加工性,使之尽快进入实用化.工艺上改进可归纳为如下几方面:     

银基体对Bi2223厚膜生长的影响

为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm~2的样品,在提高临界电流密度过程中,人们着重于研究中间冷压、热压以及烧结工艺过程等,期望获得更好的织构度、更高的致密度、微裂纹少、孔隙率低的样品.虽然银层对超导微结构和载流性能的影响引起人们的注意,但研究银基材对Bi2223厚膜生长过程影响的文章报道很少.本文通过对Bi2223银夹板厚膜制备过程中厚膜微结构的分析,研究了银基材对Bi2223厚膜生长的影响.     

用α粒子活化分析法测定硅中痕量氧

在研究半导体材料硅时,发现即使有微量氧存在,也会影响材料的物理性能。因此超纯硅中微量氧的测定很重要。一般的质谱法、真空熔融法及14兆电子伏的快中子活化法仅可测定几个ppm。由直线加速器产生的高能轫致辐射的γ光子活化法虽可测到0.1ppm,由于其产核半衰期太短(~(15)O,T_(1/2)=122秒),使得样品辐照后的化学操作很困难。而用带电粒子(p,~3He,α)活化分析法,所采用的核反应为:~(18)O     

激光显微探针~(40)Ar/~(39)Ar定年系统

K-Ar定年中的~(40)Ar/~(39)Ar方法,使样品经快中子辐射,产生~(39)K(n,P)~(39)Ar反应,经适当校正后的~(40)Ar/~(39)Ar,用以下公式计算出年龄:T=1/λln[1 J×~(40)Ar/~(39)Ar]其中,λ为~(40)K的衰变常数(5.543×10~(-10)a~(-1)),J为转化系数,对~(39)K(n,p)~(39)Ar是通过与未知样品一同照射的已知年龄的样品计算求得的.激光显微探针~(40)Ar/~(39)Ar是在常规~(40)Ar/~(39)Ar方法上发展起来的,它与常规~(40)Ar/~(39)Ar相比,具有更多的优点:精度更高,用样量更少,由此解决了由于样品不均匀引起的问题.激光探针     

用多频红外激光离解CF_3I浓缩~(13)C同位素

一、引言~(13)C同位素在科学研究、化学等方面有着重要的应用,人们正积极地寻求更合适的介质和更有效的方法来分离它。目前,一般都是利用单频激光来辐照样品,Marling用紫外离子(Ne~Ⅰ或Xe~Ⅲ)激光辐照含2％的重甲醛,得到~(13)C的浓缩系数为34倍。Clark用调谐染料激光在甲醛的光致预离解中得到~(13)C的浓缩系数为80倍。Letokhov等人用TEA CO_2激光     

重建通过地球大气层前的吉林陨石

为了恢复吉林陨石在通过地球大气层前的形状、大小、重量和估算其烧蚀量,并探讨吉林陨石的辐照历史,我们对吉林一号陨石的各顶角部位选取了9个样品以及3个其他碎块样品,用低本底Ge(Li)谱仪和二维γ-γ符合谱仪,对样品中的~(26)A1(T_(1/2=7.16×10~5年)、~(60)Co     

扫描质子探针与中子活化分析在低品位铂矿赋存状态研究中的应用

低品位铂矿(Pt<1×10~(-6))是铂赋存状态研究的一大难点.其主要原因是样品中铂含量低,铂矿物颗粒常又细微,使得光学显微镜和电子探针等常规观察和检测手段无能为力,严重影响了对这类铂矿床的研究和开发工作.扫描质子探针(SPM)和中子活化分析(NAA)是铂矿研究的有力工具.特别是新近发展起来的SPM,具有10~(-6)级的检出能力和微米级的空间分辨率,是铂的微区微量分析的有效手     

在裂变径迹测定年代中准确测定中子通量

一、引言 裂变径迹技术测定年代必须使用准确的中子积分通量和~(235)U的中子有效裂变截面,通常是采用Au和Co活化监示器或用铀标准剂量玻璃的B值(φ=B_(ρd),φ为照射的中子积分通量,ρd为中子照射后铀标准剂量玻璃的诱发裂变径迹密度)测定中子通量,一般这些方法测定的中子积分通量不能代表与~(235)U反应的实际通量,有时测定值和实际值之间的差别是不     

银夹板对Bi(2223)厚膜载流特性的影响

对Bi系高温超导体,使用银包套的方法已取得了良好的效果,这种银包套带材样品在4.2K下能在很高的外加磁场(>25T)超导地通过10~5A/cm~2电流,因而银将可能作为这类超导体应用的稳定基材.但在 Bi(2223)银包套带材的性能测量中,电流引线和电压引线是直接焊在银包套上的,由于银的电导率约为Bi(2223)相a-b面正常态电导率的10~(-3),因此银基体构成电流通路,对测量结果有一定的影响.然而研究银包套对样品性能的影响文章报道很少.为了比较准确地反映银包套对样品传输电流特性测量的影响,我们分别测量了银夹板厚膜以及由其制成的裸膜样品在零场下的R-T曲线、J_c-T曲线和磁场平行和垂直于c-轴情况下的J_c-H曲线.     

YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的临界电流密度J_c(T,H)

高温超导体薄膜无论在基础研究方面还是在高温超导体的应用方面都有十分重要的意义。临界电流密度是应用的关键参数,而且影响临界电流密度的磁通钉扎机制还不清楚,因此制备高质量的薄膜,研究其临界电流密度特点,对超导薄膜的应用和对磁通钉扎机制的理解是     

中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究

一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种有效手段得到了广泛的应用。研究光致发光谱可认识材料的一系列物理过程和性质,还可获得有关局域态的知识,     

随州陨石裂变径迹年龄研究

用固体核径迹技术研究由随州陨石中分选的辉石单矿物的古径迹密度和反应堆中子诱发裂变径迹密度,测定辉石的平均古径迹密度为(7.6±1.1)×10~3/cm~2,与吉林陨石中心辉石样品的古径迹密度(8.4×10~3/cm~2)相当,这表明随州陨石古径迹绝大部分由自裂变元素自发     

氘化酵母的耐快中子辐射效应

快中子的相对生物效应远大于1,所以中子弹以其强烈的中子辐射能有效地杀死生物。如果一生物体内的氕原子被氘原子所取代,在理论上是可以耐中子辐射的。我们用啤酒酵母(Saccharomyces Carlsbergensis)作材料,在氘水培养液中进行培养;同时用普通培养液作对