共胶法高鋁硅鋁的研究 (Ⅱ)制备过程中表面性貭的变化

有关硅鋁制备过程中表面性貭的变化,文献上极少报导。我們曾用一种較簡易的共胶法,制成了含Al_2O_3为21.6％(重)的高鋁硅鋁,并証实其活性、选择性与稳定性均比一般硅鋁为高。本报研究上述高鋁硅鋁在成胶后五个制备阶段中表面性貭的变化。     

电子酸性催化剂双重性的研究 (Ⅲ)硫化镍硅铝的反应性能与中毒作用

本报考察了硫化鎳硅鋁的反应性能(与鈷鉬硅鋁作了比較),抗毒性能和其氮中毒作用以及反应条件的影响。催化剂(鎳含量4.9～5.1重％)制法是将12～40目粒状担体焙烧后,以硝酸鎳溶液浸渍、烘干与焙烧,然后以氫气还原或硫化氫硫化。鈷鉬硅鋁(鉬含量6.5,鈷0.8重％)的制法是将12～40目共胶球状硅鋁,先浸鉬酸銨,烘干后再浸     

碱性氮化合物在裂化催化剂上的吸附 Ⅴ.吸附与中毒作用

本工作針对我国頁岩油催化裂化时催化剂中毒問題,根据以往工作的綫索,通过研究吸附作用力与中毒原因,以及催化剂的抗氮性能,来寻找解决这个問題的途径。主要研究了各种五碳、六碳的氮化合物,以及几种胺类化合物;苏联制共胶球状硅鋁(簡称共胶球)、自制氧化鋁含量30％(簡称BM-30)和50％(簡称BM-50)的混合法硅鋁,以及其他催化剂的吸附与中毒作用及其間的关系;此外,也研究了     

鋁綫阳极氧化

要实現电气化,必須大量的銅,而銅可以設法以鋁代替。現在,虽然部分的高压裸电綫已經用鋁线代替,但是电动机和变压器等仍用铜綫制造。用鋁线代替銅线制造电机設备,必須要解决的重要問題是在鋁线表面上制备絕緣层。在銅綫上是用絕緣漆来制备絕緣层的,也即所谓漆包线。在鋁上可以用适当的溶液用阳极氧化的方法制备一层具有良好絕緣性能的氧化膜。用氧化膜作为鋁綫上的电絕緣层,具有下列优点:1.絕緣层同金属之間的附着力强,耐磨性良好。2.不和有机溶剂作用,并可耐很高的溫度。3.由于鋁的氧化膜是无机物质,因此有助于解决在热带气候中电机发霉的问題。4.鋁线制的电机設备貭量輕,体积小,     

好气性分解纤维素细菌的分离和检定

文献上記載的多核碳氫化合物与苯磺酰氯于無水三氯化鋁存在下制奋砜类化合物的研究尚不多。Beckurts及Otto报告,用萘与苯磺酰氯于無水三氯化鋁存在下进行反应,仅得到很少量的結晶物質。一般用無水三氯化鋁为接触剂做多核碳氫化合物反应时,得出的产物顏色通常很深,且較难精制。我們改     

硅三环系列化合物中氮硅间键和硼三环中氮硼间键的本质的量化研究

硅三环系列(Silatrane)和硼三环(Boratrane)属于一类在结构和应用上都很有意义的三环化合物(图1)。许多实验事实都已证实了在硅三环系列的氮、硅间和硼三环中氮、硼间成键,因此硅、硼在该类化合物中的价态异于通常,这就使得这些键的本质与成因成了研究者注视的焦点。     

多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析

对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源,测量     

N+注入硅RTA样品的蓝绿光发射

自发现多孔硅在室温下可以发射可见光以来,人们对量子尺寸限制效应的研究兴趣剧增。由于多孔硅结构疏松,不利于广泛应用,人们开始将注意力转移到纳米硅薄膜的研究。朱美芳等人利用非晶硅薄膜快速退火处理,获得连续纳米硅薄膜,并观察到蓝绿光发射,但在脱氢过程中,纳米硅薄膜易损坏。本文通过高剂量N~+注入到硅基体上,经快速退火形成硅与氮化硅镶嵌结构的大面积的纳米硅薄膜,T≥1000℃退火后的样品,观测到有稳定的蓝绿光(500～610nm)发射。     

丁二烯顺式-1,4聚合的一种新的催化体系——丁基锂与四卤化钛组成的Ziegler型催化剂

迄今为止,文献上报导的使丁二烯聚合成为順式-1,4高聚物的催化剂不外乎四碘化钛-烷基鋁及鈷化合物-卤化烷基鋁二种。最近我們找到以丁基鋰与四卤化钛組成的催化剂也能使丁二烯聚合成为順式-1,4含量达90％的产物。文献上曾报     

快速热处理多孔硅的蓝光发射

对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapid thermal process, RTP). 测试了RTP处理前和处理后多孔硅样品的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR). 在400℃以上RTP处理后的多孔硅样品的PL谱中有4个蓝光发射峰. 峰的位置不随RTP处理温度和气氛改变而变化. 由于RTP处理的氧化作用, 减小了多孔硅中纳米硅粒的尺寸, 使得PL谱中出现蓝光发射峰. 从理论计算可以估算出硅粒尺寸和发光峰位置的关系, 而且只有特定尺寸的硅粒才有可能出现, 因此 PL谱的峰的位置不随RTP温度和气氛而改变.     

硅基SiNxOy薄膜的光致发光

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.     

多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P~-(100)单晶硅片,电阻率为     

硬膜氧化

在鋁及鋁合金的表面上用电化学方法生成坚硬的厚层氧化膜,即称硬膜氧化。这在国际上还是一項新工艺。鋁上的硬膜有一系列优良的性貭。它的防腐性能极好,普通的氧化膜用噴盐雾試驗,經250小时后腐蝕,而硬膜能耐13,000小时。純鋁上硬膜的硬度能超过淬火后工具鋼的硬度,前者的硬度为1500公斤/毫米~2,而后者的硬度为1100公斤/毫米~2。硬膜氧化以后的另件,耐磨性能可提高到30倍以上。     

1.5~3.0 GPa压力条件下多硅白云母榴辉岩的脱水熔融实验研究

以大别山东部碧溪岭超高压变质榴辉岩为实验样品, 使用活塞圆筒式高温高压装置, 在1.5~3.0 GPa, 800~950℃下进行封闭体系的脱水熔融实验. 结果表明: (1) 1.5~2.0 GPa下, 含5%多硅白云母榴辉岩的初始熔融温度(Tm)≤800~850℃, 熔融形成比例为3%的花岗质熔体; (2) 随着温度和压力变化, 榴辉岩中多硅白云母脱水熔融形成不同反应产物. 1.5~2.0 GPa和800~850℃下, 多硅白云母和黝帘石在亚固相下析出流体使岩石部分熔融, 蓝晶石形成斜长石反应边; (3) 随着温度升高, 多硅白云母与绿辉石、石英发生熔融反应, 形成更长石、蓝晶石和熔体, 更长石是多硅白云母在榴辉岩中主要的脱水熔融反应产物; (4) 1.5~3.0 GPa, ≥900℃的脱水熔融反应形成镁铝榴石分子较高(37.67%~45.94%)的新生石榴石; 在2.4~3.0 GPa, ≥900℃下, 反应产物中形成钾长石和硬玉, 代表反应体系处于更高压力下的流体不饱和状态. 实验初步约束了1.5~3.0 GPa下多硅白云母榴辉岩的脱水熔融固相线. 将实验结果与大别-苏鲁地区超高压榴辉岩的部分熔融特征相结合, 推断大别-苏鲁多硅白云母榴辉岩在折返过程中发生脱水熔融的压力和温度区间应为1.5~2.0 GPa, 800~850℃, 并指示超高压榴辉岩在不同变质相转变过程中可能经历了流体活动性明显不同的部分熔融过程.     

天然白土作为重油裂化催化剂的研究

天然白土經过适当处理以后,有的可作为石油工业催化裂化催化剂用。我国西北有丰富的天然白土资源,但过去尚未有人研究过如何將它应用到催化裂化工业中去。我們进行此項研究工作,其目的是为了解决目前我們催化裂化工業中所用催化剂价格较高的問題。若用天然白土来代替,則价格要便宜得多(約为現用的人造硅酸鋁的1/10或更低)。此外,还合理地利     

吕臬古5经热磁处理后的各向异磁性

我們在研究呂臬古型合金的磁性的工作中,观測了多晶体呂臬古5(8％鋁,14％鎳,24％鈷,3％銅,余为鉄)在不同处理后,在不同磁場强度和不同温度下的轉短曲线,以及矯顽力与温度的关系。这項观测的主要目的是观測这种永磁合金由热磁处理所产生的各向异磁性与矯顽力的关系。     

硅烯表面的氢吸附

硅烯是类似于石墨烯的单原子层硅薄膜.作为硅的一种新型同素异形体,其拥有奇特的狄拉克电子态,可带来新奇的物理性质,近年来引起人们的广泛关注.由于硅烯中硅原子的化学键未饱和,可以用来吸附外来原子,从而实现对硅烯的化学修饰以及电子态的调控.本文主要介绍了不同原子在硅烯上吸附的一些理论进展,以及最近在实验上对Ag(111)上的单层硅烯进行氢化的重要研究结果.     

半导体材料硅的制备

硅是实用上十分重要的半导体材料。它的化合物遍布于自然界中,不象锗要考虑資源問題。硅之所以使人們感兴趣,主要还在于它有比較大的禁带寬度(硅的禁带寬度为1.21电子伏,锗为0.75电子伏),从而导致两个十分重要的結果。首先,由于硅有較大的禁带寬度,能在更高的溫度(>200℃)才变成本征性,因此硅半导体器件能在锗不能长期使用的溫度范围工作。其次,它的p-n結的反向电流比锗要低——低三个数量級,这一性貭在許多迴路应用中是很重要的。然而,提純硅却此提純锗困难得多。这是因为硅的熔点較高(锗的熔点是936℃,硅是1420℃),熔融时有高度的化学活泼性。硅中的某些杂貭有比較大的     

我国旱作农业黍、粟植硅体碳封存潜力估算

植硅体是植物在生长过程中沉淀在细胞内的非晶质二氧化硅矿物,在其沉淀过程中能够封存部分植物细胞的有机碳,植物死亡、腐烂、燃烧后,植硅体及其封存碳会被长期保存于土壤或沉积物中,而这一部分碳封存量在陆地生态系统碳循环研究中一直没有得到计算.黍、粟是我国北方新石器时代以来典型的旱作农作物,是研究人类活动影响陆地碳循环平衡的重要材料,通过湿式灰化法提取8种现代黍、粟植硅体并对其植硅体封存的碳含量进行测定,计算了粟、黍干物质产量、植硅体产量及碳封存量,结果表明:(1)黍和粟的植硅体碳含量分别占其干物质量的0.136%±0.070%和0.129%±0.085%;(2)根据黍和粟近10年平均粮食产量计算,中国的黍和粟植硅体碳封存速率平均值分别为0.020±0.010和0.023±0.015tCO2hm-2a-1,以粟植硅体的高碳封存速率0.038tCO2hm-2a-1以及目前全国的旱作农业62.4×106hm2的种植规模计算,每年将通过旱作植硅体封存约2.37×106tCO2;(3)1949～2008年间,尽管我国粟种植面积和产量逐年减少,仅粟植硅体累积封存了约7×106tCO2.植硅体碳有可能是生物地球化学循环中丢失碳汇的...     

多孔硅的电位调制波长的可见光发射

虽然早在60年代就发现了单晶硅在氢氟酸中阳极氧化时伴随的电致荧光现象,直到1991年,随着多孔硅室温下可见光致荧光的发现,才真正认真开始了多孔硅电致发光的研究,由于PS固体电致发光器件的能量转换效率极低 10~(-4)～10~(-6),通常认为是导电镀层不能与表面粗糙的硅多孔层很好接触所致.为解决这一问题,Kelly等提出并实现了在强氧化剂溶液中阴极极化多孔硅的可见光发射,从而开辟了液相PS电致发光的新领域.通过对其电化学及光谱特性的研究,有助于弄清半导体电极的光电化学过程及荧光发射机制.Bsiesy在过硫酸铵溶液中调节多孔硅阴极偏压来改变电致荧光的波长,为可控波长的电光转换开辟了新途径,显示了硅在光电子学领域的巨大应用前景.本文对低掺杂N型多孔硅电位调制波长可见荧光发射现象进行了深入研究,首次报道了电致发光随时间淬灭峰位红移的光谱特征,并就其发光机制加以讨论.1 实验方法本实验所用样品为(100)晶面抛光的N型单晶硅,电阻率3～5Ω·cm.采用恒电流方式(电流密度=5mA/cm~2)阳极电解,对电极为透光的Pt网,电解液由重量百分比1:5:5的HF:EtOH:H_2O组成.氧化过程中用功率50W的卤钨灯照射,腐蚀10min后样品表面形成黄色多孔层,在紫外光激发下发出明亮的红黄色光.