热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

树干包扎法防治园林蛀干害虫

悬铃木（Ｐｌａｔａｎｕｓ ａｃｅｒｉｆｏｌｉｓ＜Ａｉｔ＞ｗｉｌｌｄ）、国槐（Ｓｏｐｈｏｒａ Ｊａｐｏｎｉｃａ Ｌ）、合欢（Ａｌｂｉｚｚｉａ Ｊｕｌｉ－ｂｒｓｓｉｎ Ｄｕｒａｚｚ）以其树姿优美、适应性强等特点成为我国许多城市的骨干绿化树种，在濮阳，国槐还被确定为市树。但近年来，这些树种受到了蛀干害虫近乎毁灭性的破坏。经调查，为害悬铃木的主要害虫是星天牛（Ａｎｏｐｌｏｐｈｏｒａ ＣｈｉｎｅｎｓｉｓＦｏｒｓｔｅｒ），为害国槐的是锈色粒肩天牛（Ａｐｒｉｏｎａｓｗｅｉｎｓｏｎｉ Ｈｏｐｅ），为害合欢的是合欢小吉…     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

多叶函数的某些性质

Ａ（ｐ）表示形如ｆ（ｚ）＝ｚ＾ｐ＋∞／ｄｄｄ∑／ｎｄｄｄｄｄ＝ｐｄ＋ｄ１ａｎｚ＾ｎ（ｐ＝１，２，３，…）在单圆盘Ｕ＝｛ｄｄｄｚ：｜ｄｚ｜＜１｝内解析函全体，本文讨论了Ｒｐ（α）＝｛ｆ（ｚ）∈Ａ（ｐ）：Ｒｅｆ＾（ｐ）ｄｚ＞ａ，０≤ａ＜ｐｌ，∈Ｕ｝，推广了ＯｗａＳ的结果。ｊｓ     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特性分析

首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。     

Lusin面积积分函数在Lipα（R^n）（0〈α〈min{ε,2^—1}）上的有界性

本文证明了Ｌｕｓｉｎ面积积分函数ｓ（ｆ）的一个性质，即当ｆ∈Ｌｉｐａ（０＜α＜ｍｏｎ｛ε，２＾－１｝）时，若存在点ｘ０使得ｓ（ｆ）（ｘ０）＜＋∞，则ｓ（ｆ）∈Ｌｉｐａ（Ｒ＾ｎ）且‖ｓ（ｆ）‖Ａａ≤Ｃ‖ｆ‖Ａａ，这里Ｃ仅与ｎ、ａ有关。     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

未掺杂LECSI GaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布

用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆｎ）的分布。结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据函数均呈不均匀分布。电中性的和总ＥＬ２浓度径向分布均为Ｗ形，电中性ＥＬ２Ｗ形径向分布不是由于ｆｎ的波动。     

M／a—Si：H肖特基势垒参数的测量

介绍在中性区光电导调制下实现用高频Ｃ－Ｖ仪测量Ｍ／ａ－Ｓｉ：Ｈ肖特基势垒参数的方法，把所测结果与其他方法测量值作了比较，对Ａｌ／ａ－Ｓｉ：Ｈ势垒异常现象也进行了描述。     

Tb^3＋,Ce^3＋离子在Al6Si2O13中的光致发光

采用溶胶－凝胶法合成了以Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３为基质，掺杂Ｔｂ＾３＋，Ｃｅ＾３＋的发光材料。经ＸＲＤ结构分析表明，晶体结构属于正交晶，其晶胞参数为ａ＝０．７５９５ｎｍ，ｂ＝０．７７５６ｎｍ，ｃ＝０．２８８２ｎｍ。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

一阶非线性中立型方程非振动解的渐进性

本文研究了一阶中立型非线性方程在允许ｃ＿ｉ（ｔ）（ｉ＝１，２，…，ｍ）振动且的条件下非振动解的渐进性，其中δ＝±１，证明（Ｅ）＿＋最多有Ｓ（０，０）和Ｓ（ｂ，ａ）两种类型的非振动解；（Ｅ）＿最多有Ｓ（０，０）、Ｓ（ｂ，ａ）和Ｓ（∞，∞）三种类型的非振动解。     

矩阵Schur补的特征值和奇异值不等式

设 Ａ∈ Ｃｍ ×ｎ ，ｌ＝ ｍｉｎ｛ ｍ ，ｎ｝ ，α｛１ ，２ ，…，ｌ｝ ，｜α｜ ＝ ｋ（１ ，２ ，…，ｌ － １） ， Ａ Ａ（ α） 表示 Ａ 关于 Ａ（ α） 的广义 Ｓｃｈｕｒ 补，则σｉ［ Ａ Ａ（ α）］ ≥σｉ＋ ｋ（ Ａ） 　（ｉ ＝ １ ，２ ，…，ｌ － ｋ） 其中σｉ（ Ａ） 表示 Ａ 的第ｉ 个奇异值．进一步，获得一些关于 Ｈｅｒｎｍｉｔｅ 矩阵 Ｓｃｈｕｒ 补特征值的交错定理     

系统x＋RF‘（x）x＋1／LF（x）=Ae（t）

该文研究系统ｘ＋ＲＦ（ｘ）ｘ＋１／ＬＦ（ｘ）＝Ａｅ（ｔ）Ｆ（ｘ）＝∑ａ２ｉ＋１ｘ＾２ｉ＋１出现的概周期的振荡现象，结合运用Ｌｉａｐｕｎａｖ函数，获得了系统产生概周期振荡的先兆性条件，为避免系统产生振周期振荡提供了参考数据。     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

GaP和GaAs共面波导的直接电光调制特性

对Ⅲ－Ⅴ族电光晶体ＧａＰ和ＧａＡｓ衬度上的共面波导进行直接电光调制测量，得到ＧａＰ和ＧａＡｓ的输入电压与电光计制输出的关系曲线，分析电光调制的输出特性。     

米曲霉（Aspergillusoryzae）A－9005酸性蛋白酶的初步研究

米曲霉（Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓｏｒｙｚａｅ）Ａ－９００５菌株的麸曲培养物，经水浸泡抽提其酸性蛋白酶活力为６０００ｕ／ｇ左右。硫酸铵分段沉淀中，饱和度为７０％，８０％和９０％时沉淀的比活最高，得率在７０％以上，该酸性蛋白酶的最适作用温度为５０℃，最适ｐＨ为３．５～４．７．在ｐＨ３．５～５．５时酶活力稳定，ｐＨ超过６时酶活力迅速丧失。在４０～６０℃下该酶的活力相对稳定，在７０℃下酶活力半衰期仍达７４ｍｉｎ，这一结果表明该酶为一耐热性酶种。Ｍｎ~（２＋）对酶有激活作用，其它多数金属离子如Ｚｎ~（２＋），Ｆｅ~（２＋），Ｋ~＋，Ｍｇ~（２＋），Ｌｉ~＋及Ｃａ~（２＋）等对酶有轻度抑制作用或无影响。     

Jorgense不等式在范数代数中的推广

证明了一个范数代数中的ＪＯＲＧＥＮＳＥＮ类不等式：设Ｒ是范数代数,〈ａ,ｂ〉包含Ｒ是离散非Ａ－ＮＩＬＰＯ－ＴＥＮＴ群,那么,可以得到（１）‖ａ‖＋｜（ａ,ｂ（－ａ＾２｜≥｜ａ｜＾２和（２）‖ａ‖＋｜≥｜ａ｜＾２,特别有：ｍａｘ（｜ａ｜＾２｜（ａ,ｂ）－ａ＾２｜,｜ａ－１｜）≥２－√３,ｍａｘ（｜ａ｜＾２｜ｂ－ａ｜,｜ａ－１｜）≥２－√３。     

关于非Hamilton图的一点注记

设Ｇ是一个ｋ－连通非Ｈａｍｉｌｔｏｎ图。Ｃ是最长圈，Ｈ是Ｇ＼Ｃ的分支。记ｙｉ∈Ｎ＾＋ｃ（Ｈ），１≤ｉ≤ｋ。有│Ｎ（ｙｉ）∩（∪＾ｋｊ≠ｉＮ（ｙｉ））│〈２ａ（Ｇ）。由它可推出一组大次和充分条件。