钾铵离子选择电极的研制及其在土壤肥料分析中的应用

以亚戊基双（４＇－苯并１５－冠－５）为中性载体，制得对Ｋ￣＋、具有相近响应的ＰＶＣ膜离子选择性电极。Ｎｅｒｎｓｔ线性响应范围１×１０￣（－１）～８×１０￣（－５）ｍｏｌ／Ｌ；响应斜率为５３ｍＶ／ＰＭ；对Ｌｉ￣＋、Ｎａ￣＋、Ｃａ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）、Ｂａ￣（２＋）的选择性系数分别为６×１０￣（－５），５×１０￣（－３），３×１０￣（－４），４×１０￣（－４），８×１０￣（－４）。用本电极可快速测出土壤肥料中速效氮、钾的含量。     

Ce（Ⅳ）—罗丹明B化学发光体系测定痕量亚硝酸根

本文报道了亚硝酸根离子可以对Ｃｅ（Ⅳ）－罗丹明Ｂ化学发光体系产生抑制作用的实验事实,建立了测定痕量亚硝酸根离子的化学发光新方法．检出限为１．４×１０－８ｍｏｌ／Ｌ;线性范围为１．０×１０－７～４．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ．用于实际水样中亚硝酸根离子的测定,结果满意．     

血清中微量镉的离心光度法测定研究

研究一种超高灵敏直接测定血清中微克级钢的新分析方法──离心光度法．在Ｃｄ－Ｂｒ－ＲＢ体系中缔合物表观摩尔吸光系数ε５６０＝５．０６×１０８Ｌ·ｍ－１·Ｃｍ－１，Ｃｄ２＋的浓度在１．０×１０－９～１０．０×１０－９ｍｏｌ·Ｌ－１范围服从Ｂｅｅｒ定律．本法用于分析测定人体血清样品中Ｃｄ２＋，得其含量为１．８７×１０－１１ｍｏｌ·Ｌ－１，变异系数为４．２％（ｎ＝５）．     

S型B4C-SiC/C功能梯度材料的设计和制备

对（ｌ－×）（８０％Ｂ４ＣＣ－２０％ＳｉＣ）／ｘ Ｃ（体积分数）功能梯度材料的 ×＝０． ２, ０．４, ０．６, ０．８的各层 分别在２０００℃,２０ＭＰａ进行了热压,测定了各层的密度,线膨胀系数,弹性模量和抗弯强度等． 按线性成分分布函数的６层和１１层梯度材料热压后都出现了裂纹．采用了不同于幂函数的Ｓ 型成分分布函数设计,热压了１１层（×＝０．２～１．０）的功能梯度材料,其抗弯强度为２１６ＭＰａ,抗热震 性＞５００℃．     

山楂悬浮果肉饮料的生产工艺研究

对山楂悬浮果肉饮料进行了研究。结果证明：经筛选使用琼脂与羧甲基纤维素（ＣＭＣ－Ｎａ）复合效果最佳；果粒尺寸为３ｍｍ×３ｍｍ×３ｍｍ～４ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍ，其效果最佳；试验经统计优选出山楂悬浮果肉饮料最佳配方为：山楂原汁含量６０％，果粒含量６％，糖含量１４％。采用合理的工艺加工出的饮料风味纯正，无糊口感，色泽鲜艳，真实感强。     

次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究

研究了次黄嘌呤在铜电极上的电化学行为。实验发现,以１．９６×１０＾－３￣４×１０＾－４ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＮａＯＨ作支持电解质时,在－０．２５￣－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰,它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＾＋络合物的溶出伏安峰,在选择的实验条件下,峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０＾－６￣２×１０＾－３ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内呈良好的线性关系,最低检测限为５．６×１０＾－８ｍｏｌ·Ｌ＾－     

分光光度法测定土壤及废水中铬

在ｐＨ５．４ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中，Ｃｒ（Ⅵ）与苯基荧光酮（ＰＦ）在溴化十六烷基三甲基铵（ＣＴＭＡＢ）存在下生成络合比为１：２的紫红色配合物，此配合物最大吸收波长λｍａｘ位于５８２ｎｍ，络合物的表现摩尔吸光系数为εｍａｘ＝８．０９×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，Ｃｒ（Ⅵ）含量在０ｇ／Ｌ～２．８×１０ˉ４ｇ／Ｌ范围遵守比尔定律。     

四氢呋喃在苯中聚合向醋酸酐链转移的研究

本文研究了以苯为溶剂，在醋酸酐存在下，采用乙酰基四氟硼酸盐ＣＨ３ＣＯＢＦ４为催化剂进行四氢呋喃（ＴＨＦ）聚合及链转移的反应，经测定，在１５℃和２１℃下的表观聚合速度常数Ｋｐ分别为７．０３×１０＾－３和１０．１８×１０＾－３Ｌ／ｍｏｌ．ｓ表现链转移速度常数的Ｋｔｒ分别为７．３９×１０＾－４和１２．０１×１０＾－４Ｌ／ｍｏｌ．ｓ     

核反应堆不同温度流体热混合的机理及实验研究

探讨了在核反应堆热工流体力学中具有普遍意义的不同温度流体达到热混合均匀状态的过程和机理。１０ＭＷ高温气冷实验堆（ＨＴＲ－１０）热气导管内的流体热混合主要是径向对流扩散过程。用流体温度空间分布的方差表示混合效果，通过雷诺比拟方法求得在点热源下游流动流体的径向扩散系数解析解，与在模拟热气导管内的点热源下游流动流体的扩散混合实验的结果相符合。在雷诺数Ｒｅ为（１．００～３．５０）×１０５范围内，径向湍动系数εｒ的相应范围是（１．００～４．００）×１０－３ｍ２／ｓ。反映混合效果的湍动系数与流速ｕ之比εｒ／ｕ随雷诺数Ｒｅ变化不大，解释了在高温堆堆芯底部结构中Ｒｅ对流体混合效果影响不大的现象。     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

丁二酮肟碳糊化学修饰电极直接电位法测定微量镍的研究

研究了一种以丁二酮肟（Ｃ４Ｈ８Ｎ２Ｏ２，ＤＭＧ）为修饰剂的碳糊化学修饰电极（ＣＭＥ）。该电极在ｐＨ＝８．８的ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ缓冲溶液中，对Ｎｉ２＋浓度的负对数有线性电位响应。线性范围是５．０×１０－７～１．０×１０－３ｍｏｌ／Ｌ。电极修饰简单、性能稳定，每修饰一次可稳定测试１０个标准系列。对钢铁试样中的微量Ｎｉ进行了测定，效果良好     

石英谐振式NH_3敏元件

以在ＡＴ切型，Ａｕ做电极的石英振子上涂覆适当厚度的Ｌ（＋）抗坏血酸为敏感膜，制作气敏元件．实验表明，该元件对微量ＮＨ３（＜３．３×１０－６ｍｏｌ／Ｌ）具有很高的频率响应和灵敏度；对８．２×１０－５ｍｏｌ／Ｌ的Ｈ２，ＣＯ，ＣＨ４，Ｃ４Ｈ１０及８．２×１０－７ｍｏｌ／ＬＨ２Ｓ感度很低，有良好的选择性．     

产胞外木聚糖酶青霉菌发酵条件的正交设计试验

正交设计试验结果表明,青霉菌（Ｐｅｎｉｃｉｌｌｉｕｍ ｓｐ．ｍ８） 胞外木聚糖酶活力达９２．９６ Ｕ／ｍＬ,合适的产酶发酵条件为：培养基（ｇ／Ｌ）,麦草粉４０,（ＮＨ４）２ＳＯ４ ４．４４,ＫＨ２ＰＯ４ １．０,ＭｇＳＯ４ ·７Ｈ２Ｏ０．５,ＮａＣｌ０．３,Ｔｗｅｅｎ ８０ ３．０,ＣａＣＯ３ １．０;每亳升培养基接种２．０×１０５ 个孢子,２８ ℃,水浴振荡培养４ ｄ（１２０ｒ／ｍｉｎ）。     

单晶-多晶硅P~+N结二极管基区载流子的寿命

本文研究了单品－多晶硅Ｐ＋Ｎ结二极管基区载流子寿命与掺杂浓度、晶粒大小 的关系。在重掺杂 Ｐ型单晶硅上，用 ＬＰＣＶＤ法生长多晶硅薄膜，离子注入磷后， 形成 Ｐ＋Ｎ结。掺磷浓度从 ５．４×１０１４ｃｍ－３变化到 ６．０×１０１８ｃｍ－３，相应二极管的 基区少数载流子寿命从１．４×１０－１０Ｓ减少到７．５×１０－１３ｓ并且随着晶粒尺寸的增加， 寿命变大。实验结果和 Ｈｏｗａｒｄ Ｃ．Ｃａｒｄ等人对 Ｎ型多晶硅少数载流子寿命随掺 杂浓度、晶粒大小变化的理论相符合．     

MgO中Cr~(3+)空位中心的电子顺磁共振分析

本文采用晶场理论,计算了ＭｇＯ中Ｃｒ３＋空位中心Ｃ４ｖ、对称四角畸变的能级和ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量ｇ＝１．９８２４,ｇ⊥＝１．９８０８和Ｄ＝－８１１×１０－４ｃｍ－１,得到了与实验（ｇ＝１．９７８７±０．０００６,ｇ⊥＝１．９８２７±０．０００６和Ｄ＝－８１９×１０－４ｃｍ－１）一致的结果,解释了ｇ因子各向异性的起因．     

磺胺嘧啶的极谱伏安行为研究

通过对磺胺嘧啶在多种底液中的极谱伏安行为研究，发现磺胺嘧定在ＢＲ缓冲溶液（ｐＨ４．２）和ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲液（ｐＨ４．３２）中产生良好的还原峰，峰电位分别为－０．７６Ｖ和－０．７９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），在这两种底液中，峰电流或其导数峰高与磺胺嘧啶浓度在５×１０＾－７～４×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ和５×１０＾－６～３×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，检测限为８×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ，可望用于     

太平哨电厂机组增容综合研究

太平哨电厂原设计全厂发电４ × ４０．２５ＭＷ，欲提高出力至 ４ × ４３．００ＭＷ．在对该厂机组增容可行性进行论证的基础上，对原设计进行了校核和分析．研究结果表明：太平哨电厂机组提高出力至 ４×４３．００ ＭＷ条件具备，全厂调峰容量可增加１１ＭＷ．     

Cl-、NO3-和SO42-离子对漆酶催化活性的抑制作用

以５,６－二溴－２,３－二氰基氢醌为底物,在ｐＨ值４．５０条件下,用分光光度法考察了Ｃｌ－、ＮＯ－３和ＳＯ２－４离子对漆酶催化活性的影响。发现Ｃｌ－、ＮＯ－３和ＳＯ２－４离子对漆酶的催化活性均有不同程度的抑制作用,其最大抑制率分别可达７５％、３１．４％和１７．１％。动力学研究表明,Ｃｌ－、ＮＯ－３和ＳＯ２－４离子的抑制作用是瞬时完成的,属于竞争性抑制过程,是通过与底物分子竞争漆酶分子中的Ⅱ型铜（Ⅱ）部位实现的。经测定,Ｃｌ－和ＮＯ－３离子与漆酶所形成的复合物其解离常数分别为１．１２×１０－４ｍｏｌ·ｄｍ－３和１．７８×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３。     

接种密度对Vero细胞在微载体表面生长的影响

研究了接种密度对Ｖｅｒｏ细胞在微载体表面生长行为的影响,发现培养过程中所获得的细胞最高密度随接种密度的增加而有所提高,当细胞的表面接种密度高于１．０×１０＾５ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ时,因贴壁后细胞扩展受到限制而不利于进入对数生长期。就整个Ｖｅｒｏ细胞培养过程,适宜的表面接种密度为３×１０＾－４－７×１０＾４ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ,此时可以获得较高的比生长速率和细胞增殖倍数。     

一种分辨率为9位的高速CMOS比较器

一种高速ＣＭＯＳ比较器,采用二级正反馈结构和一级推挽输出结构,通过优化传输速度和增益,在３μｍ工艺中,模拟表明它的最小分辨率±ＬＳＢ为±４．９ｍＶ,输入动态范围为±２．５Ｖ（±２．５Ｖ电源电压）,相应于９位比较精度,而工作频率达３０ＭＨｚ．用单层金属、双层多晶硅ＣＭＯＳ工艺实现,版图面积为２９５μｍ×２６６μｍ,功耗９．７２ｍＷ．