D介子谱的弦模型计算

运用弦模型研究含有粲夸克的D介子谱.通过引入自旋自旋以及自旋轨道相互作用,发现D介子谱能被很好的描述.当把这个模型用于奇异Ds介子谱时,预测存在质量为2516 MeV的第一轨道激发态粒子.文章还分析了这类相互作用在单粲夸克重子谱中对能级劈裂的贡献.     

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梅继善 《中国科学技术大学学报》1984,(2)

三旋理论及其应用

大量微观和宏观物理现象都表明基本粒子不是类点结构,但这并非是弦学说才有的特色;三旋理论利用类圈体存在三种内禀自旋的发现,会有助于对微观和宏观量子现象及场的一些难题的探索。     

双势垒磁性隧道结中电子的自旋极化输运

 采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的隧穿几率和自旋极化率。结果表明,隧穿几率和自旋极化率随阱宽的增加发生振荡周期不随垒厚变化的周期性振荡;Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了隧穿几率和自旋极化率的振荡频率;隧穿几率和自旋极化率的振幅和峰谷比强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。与铁磁/半导体/铁磁（F/S/F）磁性隧道结中的结果相比,发现垒厚的增加增大了隧穿几率和自旋极化率的峰谷比,自旋极化率的取值明显增大,并具有自旋劈裂和自旋翻转现象出现。     

La0.67Ca0.33MnO3电子自旋共振线宽的自旋波理论

 采用固相反应法制备巨磁电阻材料La_0.67Ca_0.33MnO₃, 测试其电子自旋共振, 并采用自旋波理论解释自旋共振线宽的变化. 通过对自旋波能量的计算机自洽计算, 得到了自旋相互作用的重正化因子{1-e(T)/S}, 重正化因子随体系温度升高而降低表明,  温度上升导致自旋波频率发生软化现象, 使得体系结构不稳定, 由此可知实验未探测到相变区自旋波能量的原因.  理论计算表明, 自旋共振线宽随温度升高而减小是由于自旋波耦合模的数目减少所致.     

一维亚铁磁无序混合自旋链的磁特性的Monte Carlo模拟

基于一维自旋链模型,采用Monte Carlo方法模拟研究了具有反铁磁相互作用的自旋S-1和自旋S-3/2混合的亚铁磁系统的磁特性,重点研究了自旋的无序排列对此混合系统磁特性的影响.研究发现,基态时,当自旋S-1和自旋S-3/2交替混合(有序排列)时,系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应;而当自旋S-1和自旋S-3/2无序混合时,系统的阶梯效应出现涨落,台阶甚至消失.最后,通过对系统自旋组态和能量的研究,解释了该混合系统中所产生的阶梯效应和相图.     

Fe_(70)Cr_(10)P_(13)C_7非晶态合金的中子散射研究

用中子散射和磁化强度测量研究了不呈现因瓦特性的Fe_(70)Cr_(10)P_(13)C_7非晶态合金的自旋波激发。在各种温度围绕原点(0,0,0)观测到自旋波量子激发一直到q=0.16~(-1)。以中子散射确定的自旋波劲度常数为D_s=60±2meV~2,其值接近于用磁化强度测量得到的值Dm=54±2meV。自旋波谱线宽度Γ随波矢q和温度T的变化关系为Γ∞q~4T~2,其关系与海森堡体系中自旋波量子(磁子)相互作用理论所预言的结果相一致。     

黑洞自旋与喷流能量间相关性研究

从文献资料中收集了33个Blazar源的相关数据,通过样本数据研究黑洞自旋能量与喷流能量的相关性.研究结果表明:(1)33个Blazar的黑洞自旋与喷流能量存在相关性,尤其在爱丁顿磁场条件下(B=BEDD),黑洞自旋与喷流能量的相关性最为明显;(2)33个Blazar的黑洞自旋能量与喷流能量同样存在相关性,并且其数据分布与自旋能量的关系公式存在差异;(3)得到的结果进一步证明了喷流能量很可能来源于黑洞的自旋能量.这些研究结果与其他方法获得的结果是一致的.     

超对称和环量子引力理论与粒子物理中的统一

在超对称理论中引入与自旋无关的超旋、超同位旋和各种超对称变换,从而统一描述玻色子和费米子.同时讨论了超对称和超弦中的各种相互作用及其它方面的统一,导出了环量子引力理论的4个定量结论,提出了可能存在从超弦到宇宙弦等不同尺度的泛弦.     

磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应

利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系.计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低.这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加.     

S＝1铁磁模型中阻挫和各向异性引起的量子相变

利用密度矩阵重整化群(density matrix renormalization group,DMRG)方法研究近邻作用为铁磁耦合、次近邻为反铁磁耦合的一维S=1的各向异性海森堡自旋模型.计算了该系统的基态能、z轴自旋关联函数和面内自旋关联函数.结果表明:各向异性值Δ和阻挫α的相互作用使得系统基态发生相变;在低阻挫区域,Δ>1时系统为铁磁相,0<Δ<1时基态处于自旋液体相;在阻挫较大的区域,自旋关联函数随距离的增大呈现指数函数形式衰减,且具有周期振荡特征,与自旋S=1/2的结果形成鲜明的对比.     

基于系综金刚石氮空位的色心量子调控系统设计

为了实现量子的自旋调控和精密测量,将金刚石作为自旋载体材料,设计了基于系综金刚石氮空位(nitrogen-vacancy,NV)色心量子调控系统。通过利用金刚石独特的自旋三重态容易被初始化、操控和读出,基于Lab VIEW软件,设计编写了脉冲序列发生模块并搭建了共聚焦系统,调控了系综NV色心的自旋量子态。结果表明:该系统可以调控系综NV色心的自旋量子态;实现了NV色心拉比振荡实验的测量;拉比振荡周期为100 ns。可见该系统结构设计简单,为下一步延长退相干时间,提高系统灵敏度打下基础。     

自旋回和异旋回的识别及其在油藏地层对比中的作用

在分析自旋回、异旋回的发育背景、控制因素、存在的级别和范围的基础上,探讨自旋回的识别方法和自旋回对异旋回的改造和影响。结果表明:低频的层序或旋回(1～4级)是受基准面变化产生的异旋回,中频的层序或旋回(5～6级)是受自旋回改造或干扰强烈的异旋回,高频层序或旋回(7级以上)属于自旋回;自旋回一般破坏异旋回的特征,使地层对比变得困难,但可以通过垂直物源方向和平行物源方向的对比剖面相互校对进行识别;特征明显的、分布范围广的事件性沉积(自旋回)可以在小层对比中起到正面作用,在油藏级别的地层对比过程中,由于地震剖面分辨率低,所起的作用很小,必须建立对比模式。     

CdS晶体电子自旋相干动力学

利用时间分辨克尔旋转(Time-Resolved Kerr Rotation, TRKR)光谱技术研究了纤锌矿n-CdS(n型掺杂)(0001)面单晶在不同温度、不同波长下的电子自旋相干动力学.发现低温下该材料存在两种电子自旋信号:一种是在较长泵浦探测波长下存在的长寿命自旋信号,低温5 K时其自旋退相位时间长达4.8 ns,随着温度的升高不断减小;另一种为较短泵浦探测波长下存在的短寿命自旋信号,其自旋退相位时间约为40 ps,可以持续到室温,该自旋信号几乎不受温度的影响.研究表明,长寿命自旋信号来自于局域电子,而短寿命自旋信号来自于导带自由电子.     

宇宙弦中超导电流的磁效应

本文研究了宇宙弦中超导电流的磁效应以及度规函数和超导电流之间的关系。研究表明:超导宇宙弦外部时空相当于一种磁化率为μ(r)的磁介质;当光线经过超导宇宙弦时,产生偏折。同时,在弱场近似下,也讨论了超导宇宙弦的引力场度规和当光线经过宇宙弦时所产生的偏折角。     

非对易空间中的泡利方程及其能级

非对易空间的量子效应是出现在弦的尺度下的一种物理效应,近年来对于它的研究引起了物理学界极大的兴趣和关注.本文从Moyal-Weyl乘法出发,考虑了坐标-坐标的非对易性,利用非对易空间量子力学的代数关系(Bopp变换),给出了非对易空间中的泡利方程.在重新定义了消灭产生算符的基础上,在粒子数算符和自旋算符的共同本征态下,计算了非对易空间中电子在电磁场中运动的能级.     

Rashba自旋轨道耦合对NM/FS/I/FS/NM双自旋过滤隧道结中自旋相关输运的影响

基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.     

锂原子高角动量激发态的能级结构

用全实加关联 (FCPC)方法计算锂原子的高角动量激发态 1s2 nl (l =4,5 )的能量及其精细结构 .非相对论能量用Rayleigh Ritz变分法确定 ;相对论修正和质量极化效应用微扰论计算 ;在能级精细结构的计算中不仅考虑了自旋 轨道相互作用还计及自旋 其他轨道相互作用     

双稳态分子的自旋调控与功能化

主要综述了作者近几年来在双稳态分子的自旋调控和功能化方面的工作进展,特别是对于自旋交叉化合物,系统地研究了通过化学方法(配体场设计、溶剂交换、晶型)和物理方法(温度、光学、力学)等对金属离子Fe(II)自旋态的有效调控.在此基础上,作者还将自旋交叉与发光两种性质关联在一起,设计合成了具有自旋转变-荧光耦合性质的双功能材料.     

以铁磁绝缘体和铁磁半导体为势垒层的隧道结中的隧穿时间与自旋极化率

基于Winful的隧穿时间模型,对普通金属/铁磁绝缘体/普通金属(NM/FI/NM)、普通金属/铁磁半导体/普通金属(NM/FS/NM) 2种隧道结中的隧穿时间(居留时间和相位时间)和自旋极化率进行了研究.NM/FI/NM结中隧穿电子的自旋极化源于FI层的自旋过滤效应.而NM/FS/NM结中隧穿电子的自旋极化则源于FS层中磁性和Rashba自旋轨道耦合效应的共同作用.计算结果表明:在NM/FI/NM隧道结中,随着铁磁绝缘体层势垒厚度的增加,自旋极化率变化逐渐增加到趋于饱和并始终保持为正值.与之相应的自旋上下电子的居留时间和相位时间也随着增加,但自旋向下电子的隧穿时间总是大于自旋向上电子.铁磁绝缘体层中分子场的增加会导致自旋极化率逐渐增大并始终为正,相应的自旋向下电子的居留时间和相位时间总是大于自旋向上电子,但自旋向上电子的时间逐渐增加而自旋向下电子则相应减少.铁磁绝缘层势垒高度的变化会导致自旋极化率从负到正的转变.当自旋极化率为负时,相应的自旋向上电子的隧穿时间大于自旋向下电子的隧穿时间.在NM/FS/NM结中,由于Rashba自旋轨道耦合作用,自旋向上电子和自旋向下电子的隧穿时间随铁磁半导体层的厚度、分子场和Rashba耦合系数的变化呈现出周期性振荡变化的趋势.与之相应的自旋极化率从正到负,也呈周期性的振荡变化.但当自旋向下电子的隧穿时间大于自旋向上电子的时候,极化率为负,反之为正;这个结果和NM/FI/NM隧道结中的情况刚好相反.