顶电极对金属—绝缘体—金属器件I—V曲线对称性的影响

通过顶电极金属材料的选择，考察金属－绝缘体－金属器件的Ｉ－Ｖ曲线的对称性。并用ｐ－ｎ＾－－ｎ能带模型进行了分析解释。结果表明，采用电负性小于１．６的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其Ｉ－Ｖ曲线的对称性。     

满足（accr）环的I—adic完备化

满足（accr)环是比Noether环更广泛的一类环。本文继（1）之后继续讨论了满足（accr)环的I－adic完备化问题,并讨论了满足（accr)环上模的n次同调群的特性。     

L—fuzzy拓扑空间中的I型强连通性

利用准闭集和Ｐ远域引入和研究了Ｌｆｕｚｙ拓扑空间中的Ｉ＊型强连通性概念，它保持了一般拓扑空间连通集的若干重要性质．     

氢热处理绝缘体表面对金属—绝缘体—金属开关器件I—V特性的影响

在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属－绝缘体－金属器件的Ｉ－Ｖ特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氢为对ＭＩＭ器件Ｉ－Ｖ特性曲线的影响，用ｐ－ｎ－ｎ能带模型对ＭＩＭ器件的Ｉ－Ｖ特性曲线对称性加以解释。     

分光光度法研究镥—偶氮氯膦I—溴化十六烷基三甲胺三元？…

阳离子表面活性剂溴化十六烷基三甲胺存在下、偶氮氯膦Ｉ与镥的显色反应。研究表明；在室温下，在ｐＨ７．５０－８．２０的六次甲基四胺缓冲溶液介质中，Ｌｕ－ＣＰＡＩ－ＣＴＭＡＢ可迅速形成灵敏度高的三元配合物。     

银（I）,铊（I）,汞（I）,锶（II）和钡（II）盐的合成与表征：8—羟基…

合成了银（Ｉ）、铊（Ｉ），汞（Ｉ）、锶（ＩＩ）和钡（ＩＩ）的８－羟基喹啉合十钒酸盐，并通过元素分析，ＩＲ、Ｘ射线衍射及热分析等方法探讨了配合物的性质。     

钛硅类沸石弱酸催化性能研究（I）：TS—2和TBS—2对氧 …

研究了ＴＳ－２和ＴＢＳ－２沸石在催化氧化苯乙烯重排反应中的酸催化性能，与不含硼的ＴＳ－２沸石相比，ＴＢＳ－２的重排活性比ＴＳ－２的高出近一倍，生成苯乙醛的选择性也稍好于ＴＳ－２．ＸＲＤ，ＩＲ及ＳＥＭ表征证明具有较高结晶度、较高骨架钛、较适宜骨架硼以及晶粒细小均匀的沸石有着最佳的重排活性，晶粒较大的沸石催化活性有所下降，结晶度和骨架钛都较低的沸石重排活性明显下降。此外还考察了溶剂、反应温度和时间以及     

烯烃结构性能关系的结构信息法研究（I）—298K气化潜热

本文根据分子结构的特点，首次用图论法探讨了烯烃298K气化潜热一 分子结构之间的关系，提出一个结构基础明确的定量关系式，对大量烯烃的计算结果表明，计算值与实验值之间的一致性令人满意。应用这一定量关系，不仅能够预测烯烃的气化潜热，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

Vague集上基于蕴含算子I(,■)的三I算法

给出区间集上蕴含算子的定义和一个蕴含算子。利用三I思想,给出了Vague集上基于蕴含算子I(x,y)的三IVMP算法的计算公式,分析了三IVMP算法的还原性,并给出了基于区间集上蕴含算子I(x,y)的三IVMP算法具有还原性的本质条件.由于Vague集具有表达不确定性知识比Fuzzy集更为丰富的特点,三I思想更为可信,故在不确定性的推理中,三IVMP算法是较为令人满意的算法。     

论V移位和I移位

V移位和I移位是形式语法研究的一个重要内容。本文通过对Jackend0正的否定和副词分布、Radford的have的缩略现象和予语类化、Pollock的1分裂假设和Chomsky的语迹理论、空语类原则、核查理论、经济原则、强的中心语COMP必须被填充和中心语移位限制等的研究来论证V-to-I和I—to—C的移位，从而帮助我们更好地理解英语句子的生成问题。     

Vague集上基于蕴含算子I(x,y)的三I算法

给出区间集上蕴含算子的定义和一个蕴含算子。利用三I思想,给出了Vague集上基于蕴含算子I (x,y)的三IVMP算法的计算公式,分析了三IVMP算法的还原性,并给出了基于区间集上蕴含算子I (x,y)的三IVMP算法具有还原性的本质条件.由于Vague集具有表达不确定性知识比Fuzzy集更为丰富的特点,三I思想更为可信,故在不确定性的推理中,三IVMP算法是较为令人满意的算法。     

类立方烷构型（I4Cu3S3MoS）^3—骨架的简正坐标分析

本文采用简正坐标分析法对化合物［（Ｃ４Ｈ９）４Ｎ］３（Ｉ４Ｃｕ３Ｓ３ＭＯＳ）进行红外光谱的理论归属，使得某些物征吸收峰的归属更加明确。修正后的计算频率与观察频率基本吻合，最大偏差为２．６％。