用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析

通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果     

抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件

通过关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计GAT的工艺参数和结构参数的关系,即抗核辐照器件GAT的优化设计必要条件.     

任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型

基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.     

铋超导体的磁屏蔽效应

本文研究了铋超导体屏蔽筒的磁屏蔽效应,从而得出了屏蔽效果与超导体的微观结构、临界电流密度、屏蔽空间大小有关,以及用双筒套构的方法可进一步增强磁屏蔽效果的结论.     

常用功率器件的热设计

本文介绍了几种常用功率器件的热性能参数及其热设计方法,给出了热设计中散热器的选型原则及其注意事项,并根据实际工作经验,给出相关实例用于指导功率器件的热设计。     

对钻穿效应和屏蔽效应的进一步探讨

本文对钻穿效应和屏蔽效应的实质进行了进一步的探讨,并从哈特里一福克法的计算结果给出了一些定量的依据。     

HCMOS器件的γ辐射效应

本文介绍HCMOS器件的γ辐射损伤和退火效应的结果。HCMOS器件的静态功耗电流和动态特性对剂量十分灵敏,它们的退火效应也很明显。     

电路与器件的混合模拟方法

以二级牛顿算法为基础提出了电路与器件的混合模拟方法，从而实现了一个有效的混合仿真工具。提出了一种通用的数值器件模型，可以适用于所有器件仿真工具所包含的新器件和由此组成的电路，并在计算机网络上实现了混合模拟的并行计算，大大提高了运算速度。这种方法使人们在新器件设计的同时能够很方便地进行电路级模拟，从而为新器件和新电路的发展和应用提供了强有力的模拟工具。     

功率器件金刚石薄膜用热沉的传热模型及模拟

目的对金刚石薄膜在改善电力电子器件热特性的应用进行初步的探索。方法将金刚石薄膜用于电力电子器件（横向二极管）的热沉,建立横向二极管的导热模型,采用Microsoft VisualBasic 6.0程序设计语言对导热模型进行计算机模拟仿真。结果当金刚石薄膜的厚度达到约50μm以上时,所获得的散热效果较显著,但并不是随着金刚石薄膜厚度的增加,器件的温度随之线性降低,当h>100μm以后,温度降低变缓。结论金刚石薄膜作为电力电子器件的导热层能明显地降低器件的温升。     

一种新型电力电子技术装置的研究

利用电力MOSFET来代替晶闸管,制作学生实验用的电力电子技术实验装置,不仅能够得到和晶闸管电路一样的实验结果,而且可以简化电路,缩短研制周期,节约成本。以一个单相半控桥式整流电路为例,分析了主电路和控制电路的工作原理,最后实验的结果验证了理论的正确性。     

失效树中门重要度的算法分析

把失效树中基本事件级的重要度推广到门事件级的重要度,分析了怎样用通常的失效树算法计算门重要度,给出了计算门可靠性重要度的计算公式。并通过例子来比较改进前后的算法,说明该算法的简单实用和精确性,及其易于在计算机上实现。     

ABS表面化学镀Cu／Ni－P的电磁屏蔽功能

在ＡＢＳ塑料表面以化学镀沉积ＣＵ／Ｎｉ－Ｐ双镀层，并探讨其与基体的结合强度、环境稳定性、导电性及电磁屏蔽性能；以ＳＥＭ观察了镀层的微结构及表观形貌．研究结果表明，ＡＢＳ／Ｃｕ／Ｎｉ－Ｐ材料具有较高的电磁屏蔽效率，且经久耐用．     

高能高分辨电子能量损失谱仪的地磁屏蔽装置

从矢量迭加的地磁屏蔽基本原理出发，建立了一套设计地磁屏蔽装置的计算机程序，计算并获得了最佳方案，研制成了满足高能高分辨电子能量损失谱仪要求的地磁屏蔽装置．     

长距离发输电系统稳定控制装置的设置和管理

以阳城发电输电系统为例,总结了电网发电输电系统稳定控制装置的设置和运行的管理。     

Power Builder在白龙洗煤厂设备管理中的应用

介绍了Sybase公司的软件开发工具PowerBuilder在霍州煤电集团公司白龙焦煤分公司洗煤厂设备定检方面的开发应用。通过设备管理软件开发，细化量化了设备定检内容，使现场操作、检查验收、设备检修保养评估有据可依，应用前景广泛。     

碳纤维长丝屈曲排布对电磁波屏蔽性能的影响

基于所提出的屈曲排布模型制作了碳纤维屏蔽材料,探讨了辐射源频率、屈曲波幅和行间距对其在微波段电磁波(EMW)屏蔽性能的影响.结果表明,辐射源频率因素影响显著,且屈曲排布碳纤维屏蔽材料在1.4～2.0GHz频段内具有良好的屏蔽效果;屈曲波幅和行间距对屏蔽性能影响显著,屈曲波幅为2 H(H为厚度)和行间距为5mm的试样,在测试范围内屏蔽效果相对最优;碳纤维含量的增加对屏蔽性能的影响并不显著.     

高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型

介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型,该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET。运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。