PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。     

金刚石薄膜／立方氮化硼异质结的制备

利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备ｎ型立方氮化硼半导体材料。通过化学气相沉积方法在ｎ型立方氮化硼上外延生长ｐ型金刚石薄膜。在基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜／立方氮化硼异质ｐｎ结,并给出ｐｎ结的伏安特性曲线。     

非晶硅太阳电池中缓变P-I异质结的光、热稳定性的研究

本文通过测量CP—I和GB—I异质结光照前、后以及在不同温度下的I—V和C—V特性,研究了光诱导和热诱导缺陷态对两种结的光稳定性和热稳定性的影响。结果表明,GBP—I结改进了P—I结的界面特性,但都明显地受到强光和高温的影响,使结特性退化。     

石墨烯/PC6/石墨烯异质结输运性质第一性原理研究

自石墨烯成功制备以来,二维碳基材料的研究受到了广泛关注,可期待克服硅基场效应管中出现的短沟道效应.采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理方法,研究了石墨烯/PC₆/石墨烯异质结输运特性.研究发现金属的石墨烯与半导体的PC₆之间为肖特基接触,形成的势垒为0.15 eV.在非平衡态下,电流随电压增大,呈非线性增加特性.在较小的偏压下,可获得较大的开路电流.     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应

本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。     

V2NO2/TiSi2N4异质结界面性质调控的理论研究

使用第一性原理计算研究了外加电场对V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构接触类型和肖特基势垒的调控．计算结果表明,外电场可以有效地调控V₂NO₂/TiSi₂N₄肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型．正负向外电场均能实现V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化．此项工作为基于TiSi₂N₄半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础．     

电沉积纳米异质结构生长机制的分析

电沉积法制备具有金属和半导体特性的微米到纳米量级的有序结构,是当今纳米研究领域的热点之一.由于生长前沿沉积电势的分布直接影响着纳米异质结构的形貌,所以推导生长前沿沉积电势分布的情况就尤为重要.利用数学手段推导了准二维电沉积纳米异质结构沉积电势分布的解析表达式,合理地解释了准二维纳米结构生长的形貌,为理论分析奠定了基础.     

外电场调控V2NO2/MoGe2N4异质结界面性质的第一性原理

采用第一性原理计算系统地研究V₂NO₂和Mo Ge₂N₄的基础性质,及其异质结界面的电场响应特性．V₂NO₂具有类金属特性,Mo Ge₂N₄为间接带隙半导体特性．两种结构搭建的异质结具有六种不同堆叠方式,全部构型进行优化并选用了最低能量构型进行电场响应特性分析．V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结构的界面相互作用为范德瓦尔斯相互作用,两种结构在异质结中良好地保持了自己的本征性质．在外电场的调控下,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结可以在p型肖特基接触和欧姆接触之间转换．结果表明,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄是可调的金属/半导体接触．     

1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构对激光器阈值和T_0值的影响

研究了 1 .3 μmInGaAsp InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0 值的影响 ,并得到了最佳的夹层厚度     

水平二层土壤中矩形复合地网基础接地电位研究

用矩量法,对埋在水平分层的二层土壤中的矩形混凝土内含有水平以及竖直钢筋的复合接地网,在地面所产生的电位进行了研究,得出计算公式,用FORTRAN语言编制了计算程序,用MATLAB软件绘制出电位分布图.由图看出,混凝土以及土壤的电阻率对地面电位分布影响较大,当混凝土电阻率远大于土壤电阻率时,地面地位分布与没有混凝土的地网相近,此时,地面电位在钢筋外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率远小于土壤电阻率时,地面电位则在混凝土的外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率与外部土壤电阻率相差不是很大时,跨步电压则在钢筋外部边角附近以及混凝土的外部边角附近各形成一个峰值.从安全接地来看,利用基础接地时,应对这2处跨步电压可能出现峰值的地方都加强安全措施.     

孤立条件下手性α-丙氨酸分子结构特性的理论研究

使用基于密度泛函理论的B3LYP方法,采用6-31＋g（d,P）基组,用Gaussian03对孤立条件下的手性α-丙氨酸分子结构特性进行理论计算．首先优化了三种α-丙氨酸分子的可能构型,进行了红外振动频率计算,由此得到三种稳定构型,而后由能量最低原理确定了α-丙氨酸分子最可能的构型．再由手性分子的空间结构特点,得到其对映体的结构,并进行了结构优化．最后在B3LYP／6—31＋g（d,P）水平上,对α-丙氨酸分子的一对对映体进行了VCD谱与前线分子轨道的计算与研究．     

关于求解带电球体电位的一个问题

在电磁学课的教学中，学生往往出现作业题上的错误，其原因在于弄不清楚基本概念和公式成立的前提条件，教师应当及时发现问题，引导学生走出误区，下面仅以一道静电学问题为例来说明这个问题。     

油压特性对换档离合器结合性能影响研究

针对车辆动力换档传动装置，建立了换档离合器在结合过程中的数学模型，分析了油压特性对充油流量的影响，以及油压特性对换档过程中摩擦转矩和滑磨时间的影响，本文研究结果可以用于车辆动力换档传动装置换档离合器与液压系统的性能匹配和性能预测。     

海南岛中部山区地质灾害的分布特征及其危害研究

以海南岛中部山区主要地质灾害为研究对象,运用现场、室内研究和实验的方法,针对该地山区地质灾害的分布及其危害进行探讨,对地质灾害点的水源条件、下垫面条件(地形、地质、土壤、植被等)、人为因素进行现场调查、采样、记录.在实地踏勘的基础上,利用遥感技术、现代灾害学研究方法,确定海南岛中部山区地质灾害的分布特征和危害程度.     

部分极化情况下SINR极化滤波器性能研究

针对最为一般性的部分极化情况,研究了ＳＩＮＲ滤波器的极化域性能,着重讨论了滤波器的通带特性,推导了滤波器通带及其面积公式,并利用通带特性分析给出了一种新的最优滤波参数求解方法,由此直接得到了最优滤波器参数的解析式。     

Ag-DNA的I-V特性及导电机理研究

在扫描隧道显微镜（STM）模式下观测了单根Ag-DNA的细部形貌,发现单根Ag-DNA出现解链并伴有部分碱基呈现混沌现象.测量了梳直在金薄膜电极表面的Ag-DNA及小牛胸腺DNA的电流-电压（I-V）特性曲线,结果表明Ag-DNA束的横向导电能力比纯DNA弱.     

葡萄籽饱和烃馏分中生物标志化合物分布特征

用柱色层族组成分离方法,将从葡萄籽抽提出的混合有机物经过双层柱层析,用不同性质的洗脱剂对其进行族组成分离,依次得到非极性(饱和烃馏分)、弱极性、极性3个馏分,再将这3个馏分分别GC/MSD进样分析,从饱和烃馏分中分析检测出正构烷烃、类异戊二烯烷烃、三环二萜烷、五环三萜烷及甾族5个系列58种生物标志化合物,分析研究了其分布特征,为生物标志化合物用于天然有机物的分析研究提供了参考.     

低温高效苯酚降解菌的筛选及降解特性的研究

利用微生物学的方法,从哈尔滨工业大学下水道活性污泥中筛选出一株可降解苯酚的优势菌株,此菌株可利用苯酚作为唯一碳源和能源.通过对这种菌株在不同温度、pH,以及不同苯酚浓度下的生长和苯酚降解情况的考察,确定了这种菌株的最适生长温度为10℃,最适pH为7.5,最大可降解苯酚浓度为3000 mg/L并且具有较强的苯酚降解能力,在10℃、pH值为7.5、装液量为50 mL、接种量15%、摇床振荡速度160 r/min的条件下,反应48 h后可使500 mg/L的苯酚降解率达98%以上.     

微位移器振动特性的研究

设计出应用于超声波振动切削的微位移器,并分析其振动规律和动态特性,讨论了电路匹配问题,试验证明了理论分析的正确性。文中同时指出该微位移器也适应于误差补偿和机械精密加工。