60Si2MnRE钢中夹杂物、微观组织和本质晶粒度的研究

采用金相和探针等实验方法，研究了60Si2Mn钢和添加稀土后的60Si2MnRE钢的夹杂物、微观组织和本质晶粒度，发现稀土加入钢中不仅能脱硫，而且能显著改变硫化物夹杂的形态与分布，从而有利于提高钢的韧性。     

取代元素对贮氢电极性能影响的研究

本文详细地研究了取代元素Mn,Co,Al,Si,Cr,Fe等对MLNi5基贮氢电极（ML：富镧混合稀土金属）性能的影响，结果表明，随着取代元素及其含量的不同，电极的性能存在明显判别，从综合性能考虑，含有少量Mn,Co,AL的贮氢电极具有较好的效果。     

喷丸强化对不同组织状态60Si2Mn钢多冲疲劳抗力的影响

将60Si2Mn弹簧钢经不同奥氏体化温度淬火后低温回火,对喷丸强化后的残余奥氏体进行了测定,对多冲疲劳抗力指标进行了喷丸前后的对比,提出了60Si2Mn钢经1000℃加热淬火+250℃回火+喷丸处理后的试样,其多冲疲劳寿命与不喷丸相比可提高约3倍.冲击断口的扫描电镜观察表明,片状马氏体和板条马氏体混合组织的断口属韧窝型,具有较多的撕裂棱,说明60Si2Mn钢具有较好的塑性,这与微观断裂机制密切相关.     

60Si2MnREB弹簧钢中的碳硼化相的研究

使用X射线衍射和电子探针微区分析方法对60Si2MnREB弹簧钢中的碳硼相进行了综合分析，当样品中的硼含量超过0.003%，在850℃淬火后，沿奥氏体晶界出现不连续的Fe23(B,C)网，使材质变脆，950℃正火后，晶界仅有少量粒状Fe3(B,C)相存在，研究了这两种碳硼相的析出与转变机制。     

矩阵m次根的唯一性问题

设A∈Mn(C)是非奇异的，若存在一个m次根短阵B∈Mn(C)，使得σ（B）满足拟唯一谱条件，文章证明在相似意义下B是唯一的。     

过载列60Si_(2)Mn钢弯曲疲劳性能的影响

对60Si2Mn钢的弯曲疲劳性能进行了研究．考察了拉伸过载和压缩过载对其弯曲疲劳行为的影响规律．并用扫描电镜对疲劳断口进行了观察和分析．结果表明，周期性的拉伸过载可以延长弯曲疲劳寿命，而周期性的压缩过载则缩短弯曲疲劳寿命．     

SnAgCuRE钎料合金的力学性能及其钎焊接头的组织与性能

对真空条件下制备的SnAgCuRE钎料合金的力学性能及其钎焊接头的组织与性能进行了研究。试验结果表明：当稀土（RE）的添加量小于0．1％（质量百分比）时,RE均匀地分布在钎料合金中,减少了共晶组织的比例,同时细化富Sn相,提高了其力学性能。接头处钎料与Cu试样间的界面层厚度会由于RE的加入而发生变化,且在添加量小于0．1％时其厚度减小同时界面层更加平滑,此时接头的剪切强度达最大值36MPa。     

催化动力学光度法测定痕量铁的研究

本文研究了pH＝8．5的Na2B4O7-HCl介质中，Fe（Ⅱ）催化H2O2氧化茜素红褪色，建立了动力学光度法测定痕量Fe（Ⅲ）的新方法．本法灵敏度高，选择性好，除Mn2 、Co2 等离子外，其余共存离子基本无干扰，实测了天然水中痕量铁，结果满意．     

溅射压强对WSe2纳米薄膜形貌及光电性能的影响

采用射频（RF）磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备WSe₂纳米薄膜，研究在不同制备压强（2.0、2.5、3.0 Pa）下WSe₂纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、光致发光谱（PL）、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明：溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响，随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe₂的生长取向，XRD测试结果表明WSe₂薄膜在（008）晶面优先生长，证明压强的不同会改变WSe₂的晶体结构，提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明，WSe₂纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe₂具有可控性好，易于重复等优点，在构建多功能WSe₂器件领域中具有很好的应用前景.     

W UMa型相接双星RZ Com的CCD测光研究

对W UMa型相接双星RZ Com的B光观测资料进行了分析，用最新版本的Wilson-Devinney程序解出了轨道参数，结果显示：RZ Com是一个W次型相接双星系统，其质量比q=m2／m１=2．354，次子星温度T2=5486K，与Wilson等人(1973)的结果非常接近,研究结果表明，RE Com没有明显的活动迹象。     

亚稳材料热稳性的实验研究

在2－8GPa压力和600－930K温度的范围内,对非晶（Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶体化过程中亚稳Fe3B到Fe2B的相变进行了实验研究,并确定了其转变温度随压力变化的关系。     

大电流MAG焊焊缝金属的冲击韧性

探讨大电流MAG焊焊缝金属的冲击韧性.对在4种不同工艺条件下运用大电流MAG焊得到的焊缝金属进行低温冲击试验.试验结果表明,采用不同的焊接材料和不同的焊接参数,试样的冲击韧性差别较大.通过化学成分分析和光学显微镜观察得出:当焊缝金属的C、Si、Ti含量过大时,会产生脆而粗大的贝氏体组织,韧性较差;当C、Si、Ti含量适中时,焊缝金属中出现细小的针状铁素体,低温冲击韧性很好.     

秋水仙碱与DNA的相互作用

298.15K下,应用等温微量热法研究了抗肿瘤药物秋水仙碱（COL）与小牛胸腺DNA（ctDNA）结合作用,测定了药物与DNA分子的结合比、结合常数、结合焓变（△H°）、熵变（△S°）及吉布斯自由能变（△G°）等热力学参数.结合应用紫外-可见吸收光谱及荧光光谱研究了秋水仙碱与小牛胸腺DNA的分子间相互作用,探讨了药物对DNA分子构象的影响.     

下电极TiN粗糙度对HZO薄膜铁电性的影响

传统钙钛矿铁电薄膜具有一系列优点的同时也具有较为明显的缺点，主要包括：与Si工艺兼容性较差、物理厚度较大、带隙宽度较小以及非环境友好等2011年新型掺杂HfO2铁电薄膜的出现，为解决上述一系列问题提供了新思路其中，因铁电性能显著及易于制备，HfO2 ZrO2固溶体（HZO）体系成了重要的研究热点之一与此同时，在充分考虑制备成本和可控沉积条件之后，研究者发现溅射技术是制备HZO薄膜较为有效的手段之一该文在利用溅射技术制备TiN/HZO/TiN（MFM）铁电电容结构的过程中发现：下电极TiN粗糙度对新型HfO2基MFM电容结构铁电性的产生具有重要影响；相较于磁控溅射技术而言，离子束溅射技术制备的下电极TiN具有更好的粗糙度，更有利于体系铁电性能的出现.     

压力对金属化合物Mg_2Si光学性能影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg_2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0～40GPa高压作用下Mg_2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg_2Si的电子结构并改变其光学性能。     

叠氮根桥联双核锰（Ⅱ）配合物的合成及磁学性能表征

通过常温溶液法合成了一例双核锰（Ⅱ）的配合物，[Mn2（μ1,1-N3）2（N3）2（bpbp）]-2H2O（1，bpbp=3,3′-bis-Dimethylamino-1，1′-pyridine-2，6-diyl-bispropenone），同时对此配合物进行了单晶结构表征及变温磁化率的测定．测试结果表明：该配合物为三斜晶系，空间群为P-1，单胞参数为a=10．526（2）A，b=10．965（2）A，c=10．965（2）A，a=94．42（3）°，β=105．96（3）°,γ=96．80（3）°，V=2003．0（7）A3，Z=2；双棱二价锰之间则通过叠氮根联接并呈现弱的铁磁相互作用；利用双白旋Handlton模型拟合得到耦合常数为J=2．72cm1-，正耦合数值同样揭示双核Mn（Ⅱ）闻铁磁作用的存在．     

金属离子质量浓度对冷磷液磷化性能的影响

研究了Zn2+,Mn2+,Cu2+等金属离子质量浓度对磷化过程中电位及时间参数的影响,结果表明,Mn2+,Cu2+离子的存在有助于提前完成磷化膜生成时间,明显推迟基体过腐蚀时间.Zn2+,Mn2+,Cu2+3种离子同时存在,更容易形成细致的磷化膜,抗腐蚀能力明显提高.     

α—Fe2O3纳米薄膜的超声喷雾热解制备及其表征

采用超声喷雾热角制备技术在Si（Ⅲ）基片上制备了α-Fe2O3纳米薄膜，选用0．01mol/L的Fe(acac)3乙醇／水（1：1）混合液作为前驱液，在衬底温度380℃及载气流量6L／min条件下，制备出平均粒径为4．1nm，具有（104）择优取向的纳米薄膜，并通过XRD，AFM等对其微结构进行了表征。     

HfO2基铁电薄膜在循环电场 载荷下的极化翻转行为

二氧化铪（HfO2）铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性，10 nm以下工艺制程的微缩能力，可采用原子层沉积（ALD）技术实现在3D电容器结构中的保型生长，因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力该文首先简要回顾了HfO2基铁电薄膜的发现过程和随后的国内外研究现状，然后以Si掺杂HfO2铁电薄膜在循环电场载荷下的实测结果为例，介绍了这一新型铁电材料极化翻转行为中出现的唤醒（wake up）、疲劳和饱和极化翻转电流峰劈裂等效应，分别总结了对上述现象现有的实验和理论研究进展     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.