基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真.仿真结果表明,在具有相同的跨阻增益条件下,基于0.18μm CMOS工艺下shunt-feedback型跨阻放大器无负阻抗电路时,其-3 dB带宽约为3.1 GHz,而具有负阻抗电路时,其-3dB带宽约为4.3GHz,两者相比带宽性能约提高了40%.该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积,在实践上具有一定的可行性.     

基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真仿真结果表明，在具有相同的跨阻增益条件下，基于0.18 μm CMOS工艺下 shuntfeedback型跨阻放大器无负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为3.1 GHz，而具有负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为4.3 GHz，两者相比带宽性能约提高了40%该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积，在实践上具有一定的可行性     

用于蓝牙接收通道的CMOS限幅放大器和功率指示计

介绍一种分段线性对数放大器,它可以作为蓝牙接收通道的限幅放大器和功率指示计.电路用0.35 μmCMOS工艺集成在单片蓝牙射频收发芯片中.测试结果显示,在40 dB的输入动态范围下,功率指示计非线性误差仅为0.5 dB.     

基于ADS的超高频射频识别系统前置级功放设计

本文基于ADS仿真软件,采用多谐波双向牵引法设计了输入输出匹配网络,对完成匹配后的功率放大器利用ADS软件进行进行仿真优化,最终得到了一个应用于UHF RFID系统前置级的功率放大器,该放大器工作频段为902 ～ 928 MHz,在频率范围内绝对稳定,功率增益高达13.8 dB.仿真结果表明该功率放大器完全满足设计要求.     

多小区有限反馈系统中的双码本设计

针对两小区的Wyner 模型有限反馈无法达到满复用增益的问题,提出一种能使系统达到满复用增益的双码本方案. 该方案利用反馈的信道夹角信息(perfect channel, PI) 的统计特性,获得PI 的概率密度函数,在此基础上设计了一种非均匀量化的反馈夹角码本. 仿真结果表明,与传统的CDI 反馈方案的系统容量相比,在不增
加反馈比特的条件下性能有2.5 dB 的提升;相对于均匀量化PI 方案,系统容量性能有1 dB 的提升.     

10位40MSPS模数转换器片内基准电压源设计

设计了10位40MSPS的ADC片内面积小、高精度的基准电压源,采用带隙电压源为基本结构,重点设计了一种新型的高增益、宽输入范围的CMOS运算放大器,以提高基准电压源精度;并设计出两组基准电压RET与REB,及其差值为ADC的基准比较电压,以进一步减小绝对误差.采用Chart0.35μmCMOS工艺参数进行了Hspice仿真,所设计的运算放大器增益为88dB,基准电压源的随电源电压变化的偏差小于5mV,温度系数小于10^-4/℃.经流片测试所设计的基准电压源能很好地满足ADC的要求.     

放大器型双极化有源微带天线阵的理论与实验

基于Green函数法推导出角馈双极化微带天线单元的输入阻抗和互阻抗的闭合表达式,并用腔模理论分析了其阵列的主极化和交叉极化方向图.设计了一副4×4元天线阵与低噪声放大器相接,将天线阵增益提高了12dB.有源器件对天线阵的方向留影响较小,方向图主瓣范围内交叉极化低于-36dB.有源天线阵的VSWR带宽和隔离度均大于无源天线阵.     

基于腔衰荡光谱技术的半导体光放大器增益测量

提出并验证一种基于腔衰荡光谱（CRDS）技术的半导体光放大器（SOA）增益测量方法．实验系统包括经RF信号调制的DFB激光器、半导体光放大器、环形器、光纤布拉格光栅、耦合器、温度控制器、光电探测器及示波器．导出了半导体光放大器增益与腔衰荡时间之间的函数关系式．结果表明,腔衰荡时间是半导体光放大器增益的函数,增益是波长的函数,给出了一种测量SOA增益的新方法及技术可行性．     

基于ADS的超高频射频识别系统前置级功放设计

本文基于ADS仿真软件,采用多谐波双向牵引法设计了输入输出匹配网络,对完成匹配后的功率放大器利用ADS软件进行进行仿真优化,最终得到了一个应用于UHFRFID系统前置级的功率放大器,该放大器工作频段为902～928MHz,在频率范围内绝对稳定,功率增益高达13.8dB。仿真结果表明该功率放大器完全满足设计要求。     

一种新型高速高分辨率采样保持电路

提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart 0.35μm CMOS工艺,进行HSPICE仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70 MHz/s.     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

基于PbS掺杂少模光纤的线偏振模放大

本文采用改进的化学气相沉积（modified chemical vapor deposition,MCVD）法制备了一种新型少模光纤——硫化铅（PbS）掺杂少模光纤,研究了该光纤的荧光特性,并基于空间光调制器搭建了少模光纤放大系统,测量了光纤的模式增益特性。实验结果表明：在980 nm激光泵浦下,该光纤表现出超宽带近红外发光,光谱范围为1 050~1 650 nm;在1 540~1 560 nm波段范围内,实现了LP₀₁和LP₁₁模式放大,平均模式开关增益为4.5 dB,差模增益小于0.6 dB。该光纤为模分复用系统实现宽带模式放大提供了可行性。     

基于SVM判决的RS编码EBPSK调制解调器

冲击滤波器能将扩展的二元相移键控（extended binary phase shift keying, EBPSK）调制信号的相位跳变转化为幅度冲击,从而突出了“0”和“1”码元的波形差异. 为了充分利用该特性,文中设计了基于支持向量机（support vector machine, SVM）判决的RS编码EBPSK调制解调器. 简述了EBPSK调制解调原理,并
利用SVM的分类能力给出了EBPSK检测模型. 对二元相移键控BPSK和EBPSK的性能进行对比,设计了基于SVM的RS编码EBPSK调制解调器. 仿真结果表明：1) 以比特每秒/赫兹/信噪比为综合指标,EBPSK系统性能优于BPSK;2) 在AWGN信道下,当误码率为10−4时与自适应门限判决的RS编码EBPSK调制解调器相比,基于SVM的调制解调器可获得约1 dB的编码增益.     

新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

基于迭代结构和MS估计的信源信道联合解码

利用信源参数的非等概分布和时间相关性,以及软输入软输出信道解码提供的接收参数似然信息,提出了基于递归结构的联合信源信道解码算法.该算法由基于MS估计的软输入信源解码和基于迭代结构的维特比信道解码两部分组成.仿真实验表明对于具有时间相关性的高斯信源和加性高斯白噪声信道,与信源信道独立解码相比,联合算法得到的参数信噪比提高了近10 dB,有效提高了接收系统性能.     

基于双密度双树复小波的结构化CS图像重构

提出了一种基于双密度双树复小波(double-density dual-tree complex wavelet transform, DDDT-CWT)基的结构化CS图像重构算法,该算法将图像在双密度双树复小波变换下的系数呈现的树结构化特征与CoSaMP重构算法相结合,实现了对原始图像的更精确重构.实验结果表明:在相同压缩比的前提下,与传统使用DWT基且未考虑变换系数结构化特征的重构算法相比,使用DDDT-CWT基和融入结构化特征的重构算法分别可获得2.9~3.2 dB与0.2~1.2 dB的增益,综合两者后的重构算法可获得3.8~4.3 dB以上的增益.     

一种新型的压控振荡器用自动幅度控制电路

提出了一种新的压控振荡器用自动幅度控制电路:电荷泵式自动幅度控制电路.该电路的固有特性决定了它具有比模拟稳幅电路更好的相位噪声性能.文章基于S域小信号模型分析了该电路的稳定性,并且通过仿真比较了电荷泵式AAC和模拟AAC的相位噪声性能.     

基于最小速率的MIMO多接入信道容量和最优功率分配策略

分析了平均功率受限条件下,基于最小速率约束的MIMO多接入信道容量域,并给出了最优功率分配策略.策略分为两个步骤:第一步分配给每个用户所有信道状态下,保证最小速率的最小功率;第二步采用多级注水分配剩余功率最大化遍历容量.分析表明顺序译码是获取容量的有效手段,数值结果显示出,策略在满足最小速率约束要求下获得了显著的容量增益,取得了很好的性能折衷.