应变式钢杯压力传感器的多层介质膜研究

在应变传感器的使用过程中,通常是将应变片用胶粘到待测的传感元件上,这种结构导致被测的应变片产生温度漂移.同时,胶膜引起的蠕变和滞后,也限制了传感器的准确度和长期稳定性.开发良好的铂薄膜电阻应变式钢杯压力传感器的研究具有重要意义.通过多层介质膜解决金属薄膜衬底和铂薄膜电阻间的隔离层问题,提高了应变式钢杯压力传感器的力学特性和长期稳定性.     

连续外延双层（BiAl）YIG薄膜的铁磁共振研究

首先叙述了双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜的生长及层间晶格失配情况，测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱，铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同，用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象，计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。     

单模光纤—LiNbO3波导器件之间耦合损耗的研究

研究了单模光纤－波导之间的模场失配对光纤－波导对接耦合损耗的影响．实验测量了不同Ｔｉ膜宽度的ＬｉＮｂＯ＿３条波导的导模宽度和深度．适当选择波导制作参数可得到非常小的光纤－波导之间的耦合损耗．     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

从微观结构探讨Nb2O5含量对NiZnCu铁氧体电磁性能的影响

在基本配方Ｎｉ＿（０．３）Ｚｎ＿（０．７）Ｃｕ＿（０．０４）Ｆｅ＿（２．０４）Ｏ＿（４＋δ）中，掺入不同含量的Ｎｂ＿２Ｏ＿５，将使材料的微观结构产生明显的变化，而这种结构的变化是导致材料性能改变的主要原因．实验表明：Ｎｂ＿２Ｏ＿５既能促进烧结，又能阻滞巨晶生长，并能有效地提高材料的烧结密度和电阻率；对晶格常数、起始磁导率和磁损耗均产生了很大的影响．文中还讨论了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对烧结机制的作用，和分析了Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量对材料电磁性能的影响．     

热流计SiO_2热阻层离子束溅射制备及耐热性研究

薄膜热阻式热流计具有响应速度快、结构微型化以及量程广、输出大等优点,是当前使用最广泛的热流传感器.热阻层SiO_2膜层与基底材料的结合性能对于热流计的高可靠性来说十分重要,而膜层特性与溅射沉积参数、后期热处理技术之间密切相关.因此,该文围绕离子束溅射SiO_2薄膜作为热流计热阻层材料,对不同镀膜时间、热处理工艺之后膜层的表面成分、形貌以及与基底结合强度进行了研究分析.研究发现,550℃热处理能够有效改善膜层的结合力,离子束溅射制备的SiO_2薄膜热阻层在高温循环考核的环境下依然保持了较强的结合力.     

离子束增强沉积制备Al、Al－Y薄膜改善304不锈钢抗氧化性能的研究

用离子束增强沉积的方法，在３０４不锈钢表面合成了Ａｌ及Ａｌ－Ｙ薄膜．通过在９５０℃、１０５０℃的恒温氧化和９５０℃的循环氧化实验发现，由于Ａｌ＿２Ｏ＿３保护膜的生成显著提高了３０４不锈钢的抗氧化性，而Ｙ的加入又明显地提高了Ａｌ＿２Ｏ＿３氧化膜的抗循环氧化能力．本文通过ＳＥＭ、ＡＥＳ、ＥＰＭＡ及Ｘ射线衍射相分析等手段，分析了氧化产物层的形貌和组成．并根据实验结果探讨了Ａｌ、Ｙ有益作用的机制．     

金属有机物分解法制备HfO2 ZrO2纳米多层薄膜及其铁电性能研究

HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能     

有机薄膜器件中Tb^3＋的电致发光

研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３．ｐｈｅｎ／Ａｌ。各功能均用真空热蒸发的方法制备。在正向直刻苦坟驱动下获得了Ｔｂ＾３＋的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射、它来源于空穴输运层ＴＰＤ。在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的     

器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力^[1].由于Si-SiO₂界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.     

聚一氯对二甲基苯膜的热稳定性与介电特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料,通过真空化学气相沉积法制备聚一氯对二甲基苯(Parylene C)膜,对该高分子薄膜材料的热稳定性和介电性能进行研究.通过DSC测得Parylene C膜的玻璃化转变温度为85℃,熔点为300℃,且Parylene C膜在不同的升温速率都表现出很好的热稳定性.测定膜厚为0.05 mm的介电常数为2.35,通过对绝缘性能的分析,以膜厚0.05 mm为测试基准.当蒸发温度在75~115℃,裂解温度在675~680℃时,介电强度达到5 500 V/mm,证明在合适的工艺条件下,Parylene C膜有很好的绝缘性.     

热针法测量材料导热系数研究

研究了可测量软性材料导热系数的热探针法,所用热探针由20匝直径为0.02mm的漆包铜丝紧密封进外径为0.3mm的不锈钢针管制成,铜丝同时起加热和测温元件作用.理论和实验研究表明,采用适当延迟测量时间可以克服因热针壁厚引起的误差.测量误差估计小于±3%.     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

酞菁铜蒸发膜电导特性的电极效应

本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO₂、In₂O₃)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电极时,改变电极极性所得暗电流是对称的,V-I特性属典型的SCLC型.而Al/PcCu/Al体系呈现阻挡接触,估计这是蒸得的Al电极上存在氧化层之故.当Al作顶电极,玻璃基片上的SnO₂或In₂O₃层作底电极时,Al极加负电压观察到SCLC,而当SnO₂极加负电压时观察到电极限制电流,In₂O₃极加负电压时观察到负阻效应.     

节能玻璃的物理特性测量及应用

测量节能玻璃的导热率和光透射率，并在同样的实验条件下，与普通单层玻璃、普通双层玻璃相比较，实验结果表明节能玻璃具有明显低导热率和高透光率等优点．     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

Pt原子百分含量对FePt合金薄膜结构的影响

采用直流磁控溅射在SiO2（0001）基片上制备了不同Pt原子百分含量的FePt合金薄膜,薄膜样品经过650℃热处理1h,得到了L10有序结构．利用X射线衍射对样品的结构进行了分析,结果表明Pt原子百分含量对形成L10有序结构有明显的影响．     

二甲基甲酰胺中Sm（Ⅲ）电化学性质及其合金膜研究

通过循环伏安法研究二甲基甲酰胺中Sm（Ⅲ）在Pt上的电化学性质,表明Sm（Ⅲ）在Pt上的还原为不可逆反应,同时测得传递系数α=0.0289,扩散系数D0=1.288×10^-5cm^2·S^-1;通过塔菲尔曲线求得交换电流密度i0=1.596×10^-7A/cm^2;对Sm（Ⅲ）在Pt上离子成核机理研究表明,Sm（Ⅲ）在Pt电极上是按三维模式扩散控制下连续成核的;用恒电位法可以制得有金属光泽、附着力好、表面均匀致密的Sm-Ni-Co合金膜,与Ni-Co合金膜相比较结构性能有所提高.     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.