高能光子在硅中能量沉积的蒙特卡罗模拟

本文分析了高能光子与物质的相互作用机制,给出了高能光子蒙特卡罗模拟的具体抽样方法,应用MATLAB软件编写了模拟程序,计算了高能光子在Si中能量沉积及其分布。通过对计算结果的分析,表明方法是可行的。     

使用自洽场理论研究嵌段共聚物受限在平行板间和球腔内的自组装行为

使用自洽场理论研究了二嵌段共聚物体系在一维平行板间和三维球腔内的自组装行为．研究表明,在三维球腔内受限状态下,体系可以形成多种介观结构,这些结构是在本体和一维或二维受限状态下不能观察到的．嵌段共聚物受限在球腔内自组装的相行为非常复杂,结构间的转变比一维平行板间受限状态下自组装结构的转变要复杂得多．     

自激振荡腔频率特性及腔室设计研究

为了进一步研究自激振荡腔在石油工业中的应用,对其固有频率特性作了较为深入的研究,探讨了固有频率与相关参数之间的关系,并用实验对理论公式进行了验证;同时给出了41/2″单牙轮钻头和5″金刚石钻头的一种新型的腔室设计—带自振腔的单牙轮钻头和金刚石钻头;此外,还为实现腔内流体流动规律的计算机模拟做了一些基础性的研究工作。     

SCF abinitio计算中基函数的初步研究

本文考察了优化的系列分子基函数非线性参数ξ与原子电负性之间的关系,发现用原子电负性及其它参数可以较好地拟合基函数中非线性参数ξ的优化值.因此,可用因素分析式的形式反映优化ξ随环境变化而变化,这对于自洽场从头计算来说,是一个减少计算饥机时的方法.通过对系列分子中各个原子的ξ在文献中的优化值,由因素分析式计算的值及本文中的优化值相比较表明:用原子电负性及其它参数确定自洽场从头计算中基函数的近优化的非线性参数ξ是可行的.     

8-羟基喹啉铝处干SiO气凝胶纳米孔中的光谱特性研究

制备了块状的SiO气凝胶，把具有很好电致发光(EL)和光致发光(PL)性能的8-羟基喹啉铝渗入到气凝胶的纳米孔洞中。可见—紫外吸收光谱表明8-羟基喹啉铝在SiO气凝胶的纳米孔洞中发生了化学吸附，且吸附作用随着气凝胶密度的减小而增强；PL谱中8-羟基喹啉铝的光致发射谱峰从470nm移至450nm。     

^4He^＋离子在C和Cu上能量沉积系数的理论计算

利用部分地考虑能量损失的角关联的改进离子输运双群模型，计算了＾４Ｈｅ＾＋离子垂直入射到Ｃ和Ｃｕ上的能量沉积参数，改进了早期的离子输运双群模型。     

8—羟基喹啉铝处于SiO2气凝胶纳米孔中的光谱特性研究

制备了块状的ＳｉＯ２气凝胶,把具有很好电致发光（ＥＬ）和光致发光（ＰＬ）性能的８－羟基喹啉铝渗入到气凝胶的纳米孔洞中,可见－紫外吸收光谱表明８－羟基喹啉铝在ＳｉＯ２气凝胶的纳米孔洞中发生了化学吸附,且吸附作用随着气凝胶密度的减小而增强：ＰＬ谱中８－羟基喹啉铝的光致发射谱峰从４７０ｎｍ移至４５０ｎｍ。     

CdS多晶薄膜的异常电导现象研究

对化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备的ＣｄＳ多晶薄膜的电导率测试,发现电导率－温度关系的异常现象,在室温附近,电导率随温度增加的变化逐渐变慢,出现异常;温度继续升高则恢复正常．本文就此异常现象和测试结果对ＣｄＳ多晶薄膜性能的影响进行了讨论．     

电子自旋影响微观体系能量规律的研究

从非相对认缇子力学和相对论量子力学两方面探讨了电子自旋对微观体系能量影响的方式，并得出其发生影响的一般规律。     

负电子亲和势GaN光电阴极特性研究

分析了NEAGaN光电阴极的产生背景,介绍了NEAGaN光电阴极的结构以及工作模式,研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因,P型GaN经过Cs、O处理后的有效电子亲和势约为一1．2eV。分析表明：充分激活后形成的双偶极层是表面真空能级降低的原因,体内产生的光电子按照光电发射的“三步模型”逸出到真空中。     

用非绝热近似下的自组织理论探讨非线性光学中谐波的产生

本文论证了非线性光学中谐波的产生问题。我们指出,如应用H.Haken的自组织理论来分析不是很恰当的,而应用不久前我们提出的非绝热近似下的自组织理论来研究较为妥善。