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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
分别采用单晶Ni(111)、Cu(111)和Pd(111)作为水煤气变换反应的模板催化剂,运用键级守恒-Morse势(BOC-MP)方法对Ni(111)、Cu(111)和Pd(111)表面上催化的WGS反应的surface redox机理中的基元反应动力学参数进行了计算。通过微观动力学参数的比较分析,发现Cu(111)比Ni(111)、Pd(111)具有更加优良的催化水煤气变换反应的能力(活性顺序为Cu>Ni>Pd),从而初步从分子不平上解释了工业生产中选择多种铜作为水煤气变换反应催化剂的原因。  相似文献   

2.
Ordered epitaxial ZrO2 films were grown on Pt(111) and characterized by low energy electron diffraction (LEED), synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The films were prepared by vapor deposition of zirconium in an O2 atmosphere followed by annealing under ultra high vacuum. At low coverages, the films grew as discontinuous two-dimentional islands with ordered structures. The size and structure of these islands were dependent on the coverage of Zr...  相似文献   

3.
构成了H-Cu,H-Pt相互作用的5参数Morse势、用经典的对势 氢原子在Cu(100),Cu(111),Cu(110),Pt(100),Pt(111),Pt(110)面上的吸附和扩散,得到了氢原子在6个表面上的吸附位,吸附几何,键能及本征振动等数据和实验结果附和得很好。  相似文献   

4.
LEED和XPS实验观察到了Zr(0001)初始氧化的表面结构变化,多重散射理论分析结构表明,Zr(0001)表面的初始氧化形成的(2×2)表面结构,为表面FCC重构的underlayer的C(B) A(C)BAB的结构形式,并存在纵向的原子的Relaxation,使Zr原子移向O原子,计算的最佳模型中的位移量为d_(11)=0.005nm,d_(22)=0.005 nm。  相似文献   

5.
用HDEHP并以正庚烷为稀释剂从存在大量的Ag(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的硝酸溶液中萃取In(Ⅲ)。研究了In(Ⅲ)在两相之间的分配比与酸度、HDEHP浓度及In(Ⅲ)含量的关系。用不同浓度的盐酸从有机相中反萃取In(Ⅲ),并测量了In(Ⅲ)的回收率。从回旋加速器内靶装置上,用α粒子辐照的镀银靶物质中,分离出高纯度、无载体的 ̄(111)In,并制成了 ̄(111)InCl_3注射液。  相似文献   

6.
7.
Fabrication of metal nanoclusters on graphene grown on Ru(0001 )   总被引:2,自引:1,他引:1  
Monolayer graphene was epitaxially grown on Ru(0001) through exposure of the Ru(0001) to ethylene at room temperature followed by annealing in ultrahigh vacuum at elevated temperatures. The resulting graphene structures were studied by scanning tunneling microscopy (STM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). The graphene/Ru(0001) surface was used as a periodic template for growth of metal nanoclusters. Highly dispersed Pt clusters with well controlled size and spatial distribution were fabricated on the surface.  相似文献   

8.
为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SIC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SIC(0001)(3×3)重构的角分辨x射线光电子能谱(xPs),得出该结构中Si2p和Cls的能态结构,进而发现SIC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物。通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量。  相似文献   

9.
10.
采用分子动力学静态计算的方法分别对Ag、Cu和Ag2、Cu2在Ag(111)和Cu(111)表面上的扩散势垒分别进行了计算,探讨同质和异质以及异质中互换衬底和吸附原子的情况下吸附原子或二聚物在表面上的扩散和解离势垒的特点,并与吸附原子或二聚物与衬底的结合能、匹配关系等进行比较,探讨吸附原子和二聚物的扩散势垒与结合能、失配度等的关系.原子间相互作用采用半经验的EAM势.结果表明:对于同一衬底表面来说,不同的吸附原子或二聚物在表面上的扩散势垒似乎和它们与表面的结合能有关;在不同的衬底表面上,单个吸附原子或二聚物的扩散势垒和它们与衬底的匹配关系关联密切.  相似文献   

11.
用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。  相似文献   

12.
13.
We present a spin-dependent scattering theory to explain the new type of magnetoresistance effect and magnetization in Co/Cu(111) su-perlattice with atomically smooth interfaces. Our model is simple, but the calculated results are consistent with the experimental ones.  相似文献   

14.
研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。还用LEED监测Si生长时的表面结构状态。  相似文献   

15.
由于Fe,Co,Ni元素密集面上的原子与石墨层面上单号原子间距相近,常用作触媒,使石墨在较低压力和温度下直接转化为金刚石,异相界面上电子密度的大小和差异直接影响其结合能力.笔者应用余瑞璜教授的固体与分子经验电子理论,对Fe,Co,Ni,C的价电子结构进行了键距差(BLD)分析,发现γ-Fe处于B种杂化第12阶, Co 在第12 阶,Ni在第10 阶,C在第6 阶.计算出γ-Fe(111),Co(0001),Ni(111),C(0001)晶面的平均共价电子密度(简称电子密度)分别为38.272 8 nm - 2,54.603 5 nm - 2,54.766 6 nm - 2,76.334 0 nm - 2.作为触媒,Co 和Ni优于Fe.  相似文献   

16.
建立了GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于DFT动力学赝势方法,对TiO2分子的吸附进行了理论计算.研究了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、成键方位及表面化学键特性.计算结果表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,化学结合能达到7.184~7.423 eV.不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,O—O连线与GaN[11-20]方向平行,与实验观测(100)[001]TiO2//(0001)[11-20]GaN一致.  相似文献   

17.
18.
合成了一系列Eu(Ⅲ),Tb(Ⅲ)与对2,6-二甲酸吡啶(H2DPA)的单核,同多核以及其与La(Ⅲ),Gd(Ⅲ)T(Ⅲ)的异多核配合物。对其进行了红外、热重和荧光性能的测试和表征,发现La(Ⅲ)与Eu(Ⅲ),Tb(Ⅲ)形成的异多核配合物荧光性能优于相应的各种单核、同时核和其它异多核配合物。  相似文献   

19.
20.
秦新波 《贵州科学》1999,17(4):246-249
本文根据已知的抽象结果,证明了积分方程x(t)=∫0^1f(t,s,x(s),x′(s),…,x^(n)(s))ds的正解的存在性。  相似文献   

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