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相似文献
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1.
利用真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/NPB(20 nm)/MCP(3 nm)/MCP:Firpic(z%,x nm)/TPBi(10nm)/Alq3(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了不同掺杂浓度(z=5,8,10和12)和不同厚度(x=5,10,15,20和25)对器件性能的影响.首先确定MCP:Firpic层的厚度为5 nm,调节掺杂浓度.结果表明当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度都为最大.驱动电压为8 V时,最大电流效率为6.996 cd/A;驱动电压为15 V时,最大亮度为10 064 cd/m2.在10%的掺杂浓度下,调节MCP:Firpic层的厚度.当厚度为20 nm时,器件的性能较好.驱动电压为13 V时,电流密度为2.248 mA/cm2,效率为10.35 cd/A;驱动电压为21 V时,电流密度为304.16 mA/cm2,亮度为21 950 cd/m2.  相似文献   

2.
采用蓝色荧光有机染料DSA-Ph作为客体材料,将其掺入主体材料BUBH-3中,制备了高效率色稳定的单发光层掺杂结构的蓝色有机荧光器件.当DSA-Ph掺杂质量比为3 wt.%时,器件的最大电流效率4.17 cd/A,对应色坐标为(0.161,0.286),亮度为5 038 cd/m2.当电压为14 V时,器件的最大亮度为16 160 cd/m2.另外,亮度从907 cd/m2增加到14 680 cd/m2过程中,其色坐标从(0.163,0.287)到(0.159,0.281),变化量ΔCIExy仅为(0.004,0.006).  相似文献   

3.
主要介绍结构为MeO-TAD(x nm)/NPB(40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/AL的蓝色有机电致发光器件,空穴注入层MeO-TAD的厚度x按照0 nm、1.0 nm、1.5 nm、2.0 nm变化,其它层保持不变.当x=2 nm时,其器件性能最好,在15 V时亮度达到最大,为5 876 cd/m2.器件的开启电压较低,在5 V的驱动电压下亮度达到10.5 cd/m2,器件在8 V电压时电流效率达到最大,为3.22 cd/A;且器件的色坐标稳定,在5 V到13 V的驱动电压下几乎不发生改变,稳定在x=0.17、y=0.18附近,属于很好的蓝光发射.  相似文献   

4.
采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.  相似文献   

5.
制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.  相似文献   

6.
通过利用ADN发光材料和其他各有机发光材料之间的能级关系设计了利用BCP作为空穴阻挡层,Alp3:DCJTB层和Alp3:DCJTB层之间的ADN层为发光层的三种结构的器件.实验结果表明,在NPB层和Alq3:DCJTB层之间不插入ADN,只在Alq3:DCJTB层和BCP层之间插入ADN的器件A的性能最好.其原因在于利用了NPB和发光层之间的LUMO能级较高的势垒限制了电子的迁移和输运,改善了激子的形成几率,促进了白光的形成.该器件的启亮电压为5V,当外加电压达到17V时,器件最大发光亮度达12450 cd/m2.最大效率是1.733 cd/A.  相似文献   

7.
利用真空气相沉积法制备了基于稀土镱配合物的有机电致发光器件,其器件结构为ITO/m-MTDATA/TPD/TPD:Yb(DBM)3Pyphen/ Yb(DBM)3Pyphen/BCP/LiF/Al.其中TPD为空穴传输层,Yb(DBM)3Pyphen为发光层,BCP为激子阻挡层.该器件的发射是来自Yb(DBM)3Pyphen与TPD形成的激基复合物的发光.在直流电压的驱动下,11 V时最高亮度和效率分别为103 cd/m2和0.47 cd/A,色坐标为(0.346 0.32).  相似文献   

8.
利用8-羟基喹啉、2-(2-羟苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑与醋酸锌反应,合成了一种新型的有机电致发光材料8-羟基喹啉-[2-(2-羟苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]合锌(Zn(ODZ)q).研究了其发光性能、热稳定性.制作了器件结构为ITO(120 nm)/NPB(40 nm)/Zn(ODZ)q(60 nm)/Al(150 nm)的有机电致发光器件,器件的电致发光光谱峰值为588 nm.在驱动电压14V时,器件的最高亮度为1 290 cd/m2;电流密度为38.3 mA/cm2时,器件的最大电流效率达到1.49 cd/A.  相似文献   

9.
合成并表征了两种基于萘基噁二唑衍生物环金属铱配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)和(DNOXD)2Ir(acac).以该类铱配合物为客体,聚9,9-二辛基芴(PFO)和2-叔丁基苯基-5-二苯基1,3,4噁二唑(PBD)为主体制作了电致发光器件.研究发现,两种配合物的电致发光均为红光,其中基于配合物(DFPhNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在580nm处,626nm处有肩峰,器件的最大发光效率为1.9cd/A.基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的电致发光器件的发射峰在593nm处,642nm处有肩峰,最大发光效率为3.3cd/A.值得关注的是,在电流密度为100mA/cm2时,基于配合物(DNOXD)2Ir(acac)的发光器件的效率滚降不明显,发光效率仍保持在2.2cd/A.  相似文献   

10.
制备了结构为ITO/NPB(40nm)/DPAVBi(znm)/Alq,(30nm)/LiF(0.5nm)/AI的蓝绿色OLED器件.通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响.当DPAVBi层厚度为20nm时,器件的性能较好.在电流密度为38.79mA/cm。时,效率为3.32cd/A;在电压为21V时,亮度为8296cd/m。.而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱.当驱动电压从10V增加到21V时,器件的色坐标从(0.27,0.48)变化到(0.25,0.45),始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小.  相似文献   

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